存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统技术方案

公开了存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统。所述存储器控制器被配置为控制存储器模块，所述存储器控制器包括：处理电路，被配置为：使用奇偶校验矩阵的第一部分对来自存储器模块的读取码字执行ECC解码，以生成第一校正子和第二校正子；基于第二校正子和判定校正子来确定读取码字中的错误的类型，判定校正子与第一校正子和第二校正子之和对应；以及输出指示错误的类型的解码状态标志。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统本申请要求于2019年9月17日提交的第10-2019-0114283号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本公开的一些示例实施例涉及存储器，更具体地，涉及存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统。
技术介绍
存储器装置可使用包括例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体来实现。存储器装置通常被划分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置表示当电源被关闭时存储的数据丢失的存储器装置。另一方面，非易失性存储器装置表示当电源被关闭时保持存储的数据的存储器装置。因为作为一种易失性存储器装置的动态随机存取存储器(DRAM)具有高存取速度，所以DRAM被广泛用作计算系统的工作存储器、缓冲器存储器、主存储器等。
技术实现思路
一些示例实施例提供了一种能够高效地确定在存储器模块中发生的错误的类型的存储器控制器。一些示例实施例提供了一种存储器系统，所述存储器系统包括能够高效地确定在存储器模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被配置为控制存储器模块的存储器控制器，所述存储器控制器包括：/n处理电路，被配置为：/n使用奇偶校验矩阵的第一部分对来自存储器模块的读取码字执行纠错码解码，以生成第一校正子和第二校正子；/n基于第二校正子和判定校正子来确定读取码字中的错误的类型，判定校正子与第一校正子和第二校正子之和对应；以及/n输出指示错误的类型的解码状态标志。/n

【技术特征摘要】
20190917 KR 10-2019-01142831.一种被配置为控制存储器模块的存储器控制器，所述存储器控制器包括：
处理电路，被配置为：
使用奇偶校验矩阵的第一部分对来自存储器模块的读取码字执行纠错码解码，以生成第一校正子和第二校正子；
基于第二校正子和判定校正子来确定读取码字中的错误的类型，判定校正子与第一校正子和第二校正子之和对应；以及
输出指示错误的类型的解码状态标志。


2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：
响应于判定校正子具有非零逻辑电平，输出指示读取码字的用户数据集包括可纠正的错误的解码状态标志；
基于奇偶校验矩阵的第二部分和读取码字来生成指示可纠正的错误的位置的第三校正子；以及
使用第三校正子来纠正可纠正的错误以获得纠正的用户数据集。


3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：响应于判定校正子具有零逻辑电平并且第二校正子具有零逻辑电平，输出指示读取码字的用户数据集不包括错误的解码状态标志。


4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：响应于判定校正子具有零逻辑电平并且第二校正子具有非零逻辑电平，输出指示读取码字的用户数据集包括不可纠正的错误的解码状态标志。


5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，读取码字包括用户数据集、与用户数据集相关联的元数据、错误定位奇偶校验数据、第一错误大小奇偶校验数据以及第二错误大小奇偶校验数据。


6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中：
存储器模块包括多个数据芯片、第一奇偶校验芯片和第二奇偶校验芯片；
用户数据集从所述多个数据芯片被读取；
元数据和错误定位奇偶校验数据从第一奇偶校验芯片被读取；以及
第一错误大小奇偶校验数据和第二错误大小奇偶校验数据从第二奇偶校验芯片被读取。


7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，奇偶校验矩阵包括第一奇偶校验子矩阵、第二奇偶校验子矩阵和第三奇偶校验子矩阵。


8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中：
第二奇偶校验子矩阵包括多个单位子矩阵和多个第一零子矩阵，所述多个单位子矩阵和所述多个第一零子矩阵中的每个子矩阵具有p×p个元素，所述多个单位子矩阵和所述多个第一零子矩阵交替布置，并且p是大于1的自然数；
第三奇偶校验子矩阵包括多个第二零子矩阵和多个第一偏移子矩阵，所述多个第二零子矩阵和所述多个第一偏移子矩阵中的每个子矩阵具有p×p个元素，所述多个第二零子矩阵和所述多个第一偏移子矩阵交替布置；
第一奇偶校验子矩阵包括多个第二偏移子矩阵和两个第三零子矩阵，所述多个第二偏移子矩阵彼此不同并与包括在存储器模块中的多个数据芯片对应；并且
奇偶校验矩阵的第一部分包括第二奇偶校验子矩阵和第三奇偶校验子矩阵。


9.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：
通过对读取码字和第二奇偶校验子矩阵执行矩阵乘法运算来生成第一校正子；
通过对读取码字和第三奇偶校验子矩阵执行矩阵乘法运算来生成第二校正子；以及
通过对第一校正子和第二校正子求和来生成判定校正子。


10.根据权利要求9所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：响应于判定校正子具有非零逻辑电平，通过对读取码字和第一奇偶校验子矩阵执行矩阵乘法运算来生成指示可纠正的错误的位置的第三校正子。


11.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，处理电路被配置为：
使用奇偶校验生成矩阵对用户数据集和元数据执行纠错码编码，以生成错误定位奇偶校验数据、第一错误大小奇偶校验数据和第二错误大小奇偶校验数据；以及
将输出码字输出到存储器模块，输出码字包括用户数据集、元数据、错误定位奇偶校验数据、第一错误大小奇偶校验数据以及第二错误大小奇偶校验数据。


12.根据权利要求11所述的存储器控制器，其中，奇偶校验生成矩阵包括第一奇偶校验子矩阵、第二奇偶校验子矩阵和第三奇偶校验子矩阵。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：李起准，金赞起，赵诚慧，李明奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR