一种场发射显示像素单元制造技术

本发明专利技术属于显示技术领域，公开了一种场发射显示像素单元，包括：栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路；所述栅电极为圆环形电极，且所述栅电极与所述驱动电路相连；所述电子收集电极与所述恒流源电路相连；其中，所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方，所述电子收集电极位于所述栅电极上方。本发明专利技术提供的场发射显示像素单元能够实现像素亮度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种场发射显示像素单元
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种场发射显示像素单元。
技术介绍
场发射显示单元由于场发射的均匀性缺陷导致在大规模使用时会出现亮度不均匀的问题，因此在大屏应用以及寿命上都存在问题。其中，主要是由于工艺引起的栅电极和电子发射尖间距的不一致性导致的场发射效率不一致，最终表现为像素亮度的不一致。
技术实现思路
本专利技术提供一种场发射显示像素单元，解决现有技术中像素单元亮度不均匀的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种场发射显示像素单元，包括：栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路；所述栅电极为圆环形电极，且所述栅电极与所述驱动电路相连；所述电子收集电极与所述恒流源电路相连；其中，所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方，所述电子收集电极位于所述栅电极上方。进一步地，所述驱动电路和所述恒流源电路布置在所述发射尖和所述电子收集电极之间的发射角的阴影内。进一步地，所述驱动电路与所述恒流源电路通过STI隔离工艺隔开。<br>进一步地，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场发射显示像素单元，其特征在于，包括：栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路；/n所述栅电极为圆环形电极，且所述栅电极与所述驱动电路相连；/n所述电子收集电极与所述恒流源电路相连；/n其中，所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方，所述电子收集电极位于所述栅电极上方。/n

【技术特征摘要】
1.一种场发射显示像素单元，其特征在于，包括：栅电极、电子收集电极、发射尖、驱动电路以及恒流源电路；
所述栅电极为圆环形电极，且所述栅电极与所述驱动电路相连；
所述电子收集电极与所述恒流源电路相连；
其中，所述发射尖布置在所述栅电极的内圈下方，所述电子收集电极位于所述栅电极上方。


2.如权利要求1所述的场发射显示像素单元，其特征在于，所述驱动电路和所述恒流源电路布置在所述发射尖和所述电子收集电极之间的发射角的阴影内。


3.如权利要求1所述的场发射显示像素单元，其特征在于，所述驱动电路与所述恒流源电路通过STI隔离工艺隔开。
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵发展，卜建辉，罗家俊，韩郑生，曹硕，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11