一种铁电陶瓷集束电子发射器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；栅极对应所述电子发射端设置，并与所述电子发射端间隔开，栅极用于吸引电子发射端发射出的电子；阳极对应栅极设置，并与栅极间隔开，聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹；调控磁场设置在真空玻璃管的管口，用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦，控制高能电子的出射方向。

A kind of beam collecting electron emitter of ferroelectric ceramics

【技术实现步骤摘要】
一种铁电陶瓷集束电子发射器
本技术涉及高能电子领域，具体涉及一种铁电陶瓷集束电子发射器。
技术介绍
电子发射，是电子从物体逸入周围媒质(真空或气体)的现象。物体中的电子在常态下所具有的能量都不足以克服表面势垒而逸出物体。要使它们从物体里释放出来，另外给予它们能量，进行激发，传统的金属电子发射体的电子管中，电子发射需要的加热温度高，发射密度低(10A/cm),且易受到残余气体的氧化而“中毒”，当热阴极表面不清洁时，或者阴极表面受到气体污染后，表面逸出功发生变化，导致阴极电子发射能力下降。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够提高阴极电子发射能力的铁电陶瓷集束电子发射器。为实现上述目的，本技术提供了如下方案：一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场x、阳极、调控磁场；所述真空玻璃管的底部为曲面形玻璃管，所述真空玻璃管的管身为弯曲的弧形玻璃管；所述电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；所述栅极的表面对应所述电子发射端表面设置，并与所述电子发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电陶瓷集束电子发射器，其特征在于，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；/n所述真空玻璃管的底部为曲面形玻璃管，所述真空玻璃管的管身为弯曲的弧形玻璃管；/n所述电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；/n所述栅极的表面对应所述电子发射端表面设置，并与所述电子发射端间隔开，所述栅极用于吸引所述电子发射端发射的电子，获得吸引电子；/n所述阳极对应所述栅极设置，并与所述栅极间隔开，所述阳极和所述栅极分别与不同的正电压连接，所述阳极与所述栅极之间形成电压差，在所述阳极与所述栅极之间的空隙形成电场，所述电场用于加速所述吸引电子，获得高能电子；/n所述聚...

【技术特征摘要】
1.一种铁电陶瓷集束电子发射器，其特征在于，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；
所述真空玻璃管的底部为曲面形玻璃管，所述真空玻璃管的管身为弯曲的弧形玻璃管；
所述电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；
所述栅极的表面对应所述电子发射端表面设置，并与所述电子发射端间隔开，所述栅极用于吸引所述电子发射端发射的电子，获得吸引电子；
所述阳极对应所述栅极设置，并与所述栅极间隔开，所述阳极和所述栅极分别与不同的正电压连接，所述阳极与所述栅极之间形成电压差，在所述阳极与所述栅极之间的空隙形成电场，所述电场用于加速所述吸引电子，获得高能电子；
所述聚焦电子磁场设置在所述电场对应所述真空玻璃管区域的外壁，所述聚焦电子磁场产生的磁场用于控制所述高能电子的运动轨迹；
所述调控磁场设置在所述真空玻璃管的管口，用于控制所述高能电子的出射方向。


2.根据权利要求1所述的一种铁电陶瓷集束电子发射器，其特征在于，所述电子发射端包括：铁电体和电极；
所述铁电体为锆钛酸铅陶瓷和锆钛酸铅薄膜中的任意一者；
所述铁电体按照阵列的排布方式粘覆在真空玻璃管的底部；
所述铁电体通过外接电路串联连接；
所述铁电体的表面覆盖半导体材料，在所述半导体材料的表面覆盖电极，所述电极与负脉冲电压电路连接，所述负脉冲电压电路用于提供负脉冲电压给所述电极。


3.根据权利要求1所述的一种铁电陶瓷集束电子发射器，其特征在于，所述栅极为网状平面结构；
所述网状平面结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹万强，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：新型
国别省市：湖北;42