【技术实现步骤摘要】
半导体互联结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体互联结构及其制备方法。
技术介绍
电子半导体行业发展迅速，随着5nm工艺制程的普及，人工智能芯片和微处理器芯片的尺寸越来越小，但是芯片的互联焊盘(PAD)却越来越多，为了使芯片能够跟印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)做互联，传统的封装方式一般是采用扇出(FAN-OUT)的方式或者转接板(Interposer)扇出的方式来进行焊接，以把密集的PAD通过互联线扇出到面积更大的区域，从而后续可通过球栅阵列(BallGridArray，BGA)的焊球或者格栅阵列(LandGridArray，LGA)的引脚与PCB固定进行互联。但是这种互联工艺只考虑到把芯片的焊盘做了再分布，却没有考虑到BGA或者LGA在PCB板上占的面积却几乎没有变化。而伴随着芯片尺寸的变小，终端同样面临相似的趋势，要么终端直接微型化，或者终端上的芯片设计为更密集、功能更全且芯片在终端PCB上的焊接面积不能太大，很明显现在的扇出工艺难以进一步减少占用面积，...
【技术保护点】
1.一种半导体互联结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供第一基底，在所述第一基底中形成第一金属柱，并在所述第一基底的表面分别形成与所述第一金属柱的第一端及第二端电连接的第一金属连接层，且在所述第一基底中形成第一凹槽，以制备第一连接结构；/n提供第二基底，在所述第二基底中形成第二金属柱，并在所述第二基底的表面分别形成与所述第二金属柱的第一端及第二端电连接的第二金属连接层，且在所述第二基底中形成第二凹槽，以制备第二连接结构；/n键合所述第一连接结构及第二连接结构，使所述第一连接结构及第二连接结构电连接，且使所述第一凹槽及第二凹槽相连形成微流道，进行切割，以形成微流道...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体互联结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一基底，在所述第一基底中形成第一金属柱，并在所述第一基底的表面分别形成与所述第一金属柱的第一端及第二端电连接的第一金属连接层，且在所述第一基底中形成第一凹槽，以制备第一连接结构；
提供第二基底，在所述第二基底中形成第二金属柱，并在所述第二基底的表面分别形成与所述第二金属柱的第一端及第二端电连接的第二金属连接层，且在所述第二基底中形成第二凹槽，以制备第二连接结构；
键合所述第一连接结构及第二连接结构，使所述第一连接结构及第二连接结构电连接，且使所述第一凹槽及第二凹槽相连形成微流道，进行切割，以形成微流道结构模块；
提供第三基底，在所述第三基底中形成第三金属柱，并在所述第三基底的表面分别形成与所述第三金属柱的第一端及第二端电连接的第三金属连接层，以制备第三连接结构；
键合所述微流道结构模块及第三连接结构，使所述微流道结构模块与所述第三连接结构电连接，形成互联结构模块，所述互联结构模块显露所述微流道、第一金属连接层及第二金属连接层；
提供终端结构，所述终端结构包括凹槽及与所述凹槽相连通的通孔，且所述终端结构的表面及凹槽侧壁具有焊盘；
将所述互联结构模块嵌入所述终端结构中，所述微流道与所述通孔相贯通，且所述第三连接结构与所述终端结构表面的所述焊盘电连接，所述第一金属连接层、第二金属连接层分别与所述凹槽侧壁的所述焊盘电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：在进行切割工艺之前或之后，还包括在所述第一金属连接层及第二金属连接层的表面形成焊球的步骤。
3.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：在键合所述微流道结构模块及第三连接结构之前，还包括在所述第三连接结构表面形成焊球的步骤。
4.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：所述第一凹槽及第二凹槽相连形成的所述微流道为密封微流道，形成具有开口的所述微流道的方法包括刻蚀法或切割法。
5.根据权利要求1所述的半导体互联结构的制备方法，其特征在于：还包括在所述互联结构模块与所述终端结构之间的缝隙形成填充层的步骤。
技术研发人员：冯光建，莫炯炯，郭西，高群，顾毛毛，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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