多芯片封装方法技术

本申请提供了一种多芯片封装方法，包括：提供第一圆片，第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，第一圆片包括相背设置的正面和背面，主芯片的正面即第一圆片的正面，主芯片的背面即第一圆片的背面，主芯片的正面设置有多个第一焊盘；在每个第一焊盘位置处形成电连接件；在部分相邻的电连接件上设置桥接芯片，其中相邻的电连接件分别位于相邻的两个主芯片上，以使得相邻的两个主芯片通过桥接芯片电连接；切割第一圆片，以获得多个封装体，其中封装体中包含电连接的至少两个主芯片和至少一个桥接芯片。通过上述方式，本申请能够解决芯片重布过程中所存在的对位问题，降低对位所需的器件成本。

【技术实现步骤摘要】
多芯片封装方法
本申请属于封装
，具体涉及一种多芯片封装方法。
技术介绍
随着电子产品的更新换代，对于多芯片封装器件的功能要求越来越多，多芯片封装器件中的多个芯片之间的信号传输也越来越频繁。目前一般会采用硅桥等方式使多个芯片之间形成电互连结构，以实现信号传输。现有的形成上述多芯片封装器件的过程主要包括：先从圆片上切割获得单颗芯片，然后再将多颗芯片在基板上重布，接着再将硅桥与对应位置处的多颗芯片实现电连接。上述重布过程对对位精度要求较高，工艺成本较高。
技术实现思路
本申请提供一种多芯片封装方法，以解决多芯片封装器件制备过程中的对位问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种多芯片封装方法，包括：提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；在每个所述第一焊盘位置处形成电连接件；在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片，其中相邻的所述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：/n提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；/n在每个所述第一焊盘位置处形成电连接件；/n在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片，其中相邻的所述电连接件分别位于相邻的两个所述主芯片上，以使得相邻的两个所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；/n切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：
提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；
在每个所述第一焊盘位置处形成电连接件；
在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片，其中相邻的所述电连接件分别位于相邻的两个所述主芯片上，以使得相邻的两个所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；
切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片。


2.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：
利用可去除的第一胶膜将所述第一圆片的正面贴附在第一载板上；
研磨所述第一圆片的背面，以减薄所述第一圆片的厚度；
利用可去除的第二胶膜将所述第一圆片的背面贴附在第二载板上；
去除所述第一胶膜和所述第一载板。


3.根据权利要求2所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述提供第一圆片的步骤中相邻所述主芯片之间设置有非贯通的划片槽，且相邻所述主芯片的类型不同；
所述利用可去除的第一胶膜将所述第一圆片的正面贴附在第一载板上的步骤之前，还包括：去除所述划片槽位置处的部分所述第一圆片，以使得所述划片槽的深度增大；
所述研磨所述第一圆片的背面的步骤，包括：研磨所述第一圆片的背面直至所述划片槽露出。


4.根据权利要求3所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述去除所述划片槽位置处的部分所述第一圆片的步骤之后，还包括：在所述划片槽内形成绝缘层。


5.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，
所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：提供第二圆片，所述第二圆片上设有若干矩阵排列的桥接芯片；所述桥接芯片的正面即所述第二圆片的正面，所述桥接芯片的背面即所述第二圆片的背面，所述桥接芯片的正面设置有多个第二焊盘；
所述在部分相...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴颖，李骏，黄金鑫，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32