MRAM-NAND控制器及内存条制造技术

本申请提供一种MRAM‑NAND控制器及内存条。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR‑DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口。由于MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR‑DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过网络接口，多个由控制器与存储单元封装而成的控制芯片可联合操作，有助提升存储的带宽。微控制器结合存储单元配置于内存条，实现靠近数据进行处理的原则，更能进一步节省电能。

【技术实现步骤摘要】
MRAM-NAND控制器及内存条
本申请涉及存储器
，特别是关于MRAM-NAND控制器及内存条架构。
技术介绍
固态硬盘(SolidStateDrives，SSD)，简称固盘，采用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。NAND闪存技术的发展虽然推动了SSD产业，但由于对尺寸的严格要求，现有的手机、平板电脑很难支持SSD。为能扩大技术适用性与提升存储器的读写速度与稳定性，现有方案一般是将DDR内存(DoubleDataRateDynamicRandomAccessMemory，双倍速率动态随机存储器，为DDR-DRAM的简称)技术结合MRAM(Magneticrandomaccessmemory，磁性随机存储器)存储技术，将其应用于手机、平板电脑的主控芯片上，以加速数据的读写速度与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MRAM-NAND控制器，其特征在于，包括：嵌入式MRAM、采用DDR-DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口；/n所述MRAM-NAND控制器通过所述主机接口与主机芯片连接；所述微控制器连接所述主机接口、所述网络接口、所述嵌入式MRAM与所述NAND控制器，以控制所述MRAM-NAND控制器的内部运作；/n所述网络接口用于与其它的网络接口相连接而形成控制网络；以及/n所述MRAM-NAND控制器制成在一个硅片上。/n

【技术特征摘要】
1.一种MRAM-NAND控制器，其特征在于，包括：嵌入式MRAM、采用DDR-DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口；
所述MRAM-NAND控制器通过所述主机接口与主机芯片连接；所述微控制器连接所述主机接口、所述网络接口、所述嵌入式MRAM与所述NAND控制器，以控制所述MRAM-NAND控制器的内部运作；
所述网络接口用于与其它的网络接口相连接而形成控制网络；以及
所述MRAM-NAND控制器制成在一个硅片上。


2.如权利要求1所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述NAND控制器为单通道或多通道。


3.如权利要求1所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述主机接口中预留一段地址，用于所述主机芯片控制所述微控制器与所述NAND控制器的操作。


4.如权利要求1所述MRAM-NAND控制器，其特征在于，所述微控制器可以是单核心或多核心的运算处理结构。


5.一种内存条，其特征在于，包括多个存储芯片，每一存储芯片封装有如权利要求1-4任一项所述的MRAM-NAND控制器与一个或多个NAND硅片。

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31