本实用新型专利技术提供了一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，包括基材层、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的低折射面上的金属硅层、金属功能层、黑化层、上保护层，设置在基材层另一面上的下保护层，在做所述金属功能层前，先做一层所述金属硅层打底作为粘结层，使所述金属功能层与基材贴合更紧密，所述金属功能层通过所述金属硅层间接粘结在所述基材层上，降低脱落现象，同时提高蚀刻后附着力，并使得所述金属功能层和基材粘结比较紧密，避免蚀刻后附着力不良断线，同时透光孔也减少，适用于大屏幕使用。
【技术实现步骤摘要】
一种大屏幕用低阻抗金属导电膜
本技术涉及一种大屏幕用低阻抗金属导电膜。
技术介绍
现有技术中，ITO导电膜也作为大屏幕用低阻抗金属导电膜，是利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。现有ITO导电膜的结构为：PET/IM/ITO氧化铟锡，其中IM为消影层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。由于已有技术中的ITO导电膜的ITO镀层是镀在有下保护层层的PET上，再蚀刻成触控线路板，虽然也透明，因为其与PET的折射率不一样，反射会比PET表面反射大，会有较重的影子。现有技术，还有通过不同打底层(铜镍，氧化锆等)制备得到，或者直接在基材上进行铜层蒸发的镀膜，会产生脱落现象，附着力不强，铜层和基材粘结不紧密，造成透光孔的产生。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种大屏幕用低阻抗金属导电膜。为了解决上述技术问题，本技术提供的技术方案是：一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其包括基材层、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的一低折射面上的金属硅层、金属功能层、黑化层、上保护层，设置在基材层另一面上的下保护层。在某些实施方式中，所述下保护层的材质为PET。在某些实施方式中，所述基材层的材质为PET、CPO、PIA或者CUP，厚度为50-200um,透光率在90％以上。在某些实施方式中，所述金属功能层为镀铜层、镀铝层或者镀钛层。在某些实施方式中，所述上保护层的材质为CPP。在某些实施方式中，所述基材层的材质为PET，厚度为50um、100um、125um或188um。在某些实施方式中，所述金属功能层为镀铜层，厚度为100nm-2000nm。在某些实施方式中，所述黑化层厚度为10-20nm。在某些实施方式中，所述金属硅层的厚度为3-6nm。本技术的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：本技术提供的一种大屏幕用低阻抗金属导电膜提高了制程良率，通过金属硅层作为粘结层，促使铜层和基材能够紧密贴合，附着力提高，降低脱落现象，避免蚀刻后附着力不良断线，同时透光孔也减少。附图说明图1为本技术的结构示意图；其中：10为基材层、11为金属硅层、12为金属功能层、13为黑化层，14为上保护层，15为下保护层。具体实施方式实施例1：一种大屏幕用低阻抗金属导电膜包括PET下保护层15、PET基材层10、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的低折射面上的5nm厚的金属硅层11、金属功能层12、黑化层13、CPP上保护层14。PET基材层10厚度为125um，透光率为95％，金属功能层12为镀铜层，厚度为100nm-2000nm之间，根据阻抗需要而定(不同阻抗厚度不同)。黑化层13为通过磁控溅射工艺镀设的氮化铜和氧化铜的混合物层，厚度为15nm。此时一种大屏幕用低阻抗金属导电膜具有较佳的性能。制备方法，包括以下步骤：步骤一：在所述基材层10的一面上贴设所述下保护层15；步骤二：在所述基材层10的另一面低折射面上通过磁控溅射工艺镀设所述金属硅层11；步骤三：在所述金属硅层11上通过磁控溅射工艺镀设所述金属功能层12；步骤四：在所述金属功能层12上通过磁控溅射工艺镀设所述黑化层13；步骤五：在所述黑化层13上贴设所述上保护层14，制作完成。以下为采用不同材质作为打底的试验数据：1.不同材质作为打底的附着力和透光孔对比，金属硅层作为打底具有较好的附着力，以及较少的透光孔2.不同厚度的金属硅对比，3-5nm厚的金属硅层作为打底能长时间保持较好的附着力，以及较少的透光孔3.不同材质作为打底电性测试(断线测试)将铜镍与氧化铝分别作为打底时，电性测试都有不通现象，而将金属硅作为打底时，电性测试通过率较好实施例2：一种大屏幕用低阻抗金属导电膜包括下保护层15、基材层10、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的低折射面上的金属硅层11、金属功能层12、黑化层13、上保护层14，下保护层15的材质为PET，基材层10的材质为COP，厚度为100um，透光率为93％，金属硅层11的厚度为4nm，金属功能层12为镀铝层，厚度为100nm-2000nm之间，根据阻抗需要而定(不同阻抗厚度不同)，黑化层13为通过磁控溅射工艺镀设的氮化铜和氧化铜的混合物层，厚度为16nm，上保护层14的材质为CPP。制备方法，包括以下步骤：步骤一：在所述基材层10的一面上贴设所述下保护层15；步骤二：在所述基材层10的另一面低折射面上通过磁控溅射工艺镀设所述金属硅层11；步骤三：在所述金属硅层11上通过磁控溅射工艺镀设所述金属功能层12；步骤四：在所述金属功能层12上通过磁控溅射工艺镀设所述黑化层13；步骤五：在所述黑化层13上贴设所述上保护层14，制作完成。当然上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其特征在于，其包括基材层（10）、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的一低折射面上的金属硅层（11）、金属功能层（12）、黑化层（13）、上保护层（14），设置在基材层另一面上的下保护层（15）。/n
【技术特征摘要】
1.一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其特征在于，其包括基材层（10）、通过磁控溅射工艺镀在所述基材层的一低折射面上的金属硅层（11）、金属功能层（12）、黑化层（13）、上保护层（14），设置在基材层另一面上的下保护层（15）。
2.根据权利要求1所述的一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其特征在于，所述基材层（10）的材质为PET、COP、PI或者PC，厚度为50-200um,透光率在90%以上。
3.根据权利要求1所述的一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其特征在于，所述金属功能层（12）为镀铜层、镀铝层或者镀钛层。
4.根据权利要求1所述的一种大屏幕用低阻抗金属导电膜，其特征在于，所述上保护层（14）的材质为CPP。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡业新，吕敬波，于佩强，高毓康，
申请(专利权)人：江苏日久光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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