一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池，背面钝化膜包括由内向外依次沉积在太阳能硅片背面的AlO

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池


[0001]本技术涉及光伏组件领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着电池正面的性能由于局限于浆料的更新换代及钝化接触技术的复杂性，正面的优化进展较慢，而背面的钝化接触及近红外光学的优化仍然有一定空间去发掘。背面钝化技术及长波响应最典型的模型就是太阳能电池，通常情况下业内采用AlOx/SiN
X
组成的叠层介质钝化膜来对电池背面进行钝化，由于AlOx层自身携带丰富的固定负电荷，可以有效阻止少子电子到达背表面形成复合，降低背面SRV，起到场钝化的效果，另外同时会有内反射光学增益。目前，单纯利用AlOx/SiN
X
进行钝化后的电池背面饱和暗电流密度可达到30FA/cm2，背面反射率低，因此化学钝化和长波响应尚有很大的优化空间，以求进一步降低电池背面饱和暗电流密度，提高背面反射率。

技术实现思路

[0003]为了解决现有技术中存在的问题，本技术提供了一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池，可有效强化单纯镀AlO
X
/SiN
X
组成的叠层介质钝化膜的缺陷，有效改善对光的长波响应，同时加强背面悬挂键的化学钝化效果，所述技术方案如下：
[0004]本技术提供一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其包括由内向外依次沉积在太阳能硅片背面的AlO
X
层、SiO
X
N
Y
层和SiN
X
>层，所述AlO
X
层、SiO
X
N
Y
层和SiN
X
层均为一层或多层结构，所述AlO
X
层单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述SiN
X
层单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述SiO
X
N
Y
层单层的厚度范围为10
‑
80nm。
[0005]进一步地，所述太阳能硅片为P型硅片。
[0006]本技术还提供一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其包括沉积在太阳能硅片背面的AlO
X
层以及沉积在AlO
X
层表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiO
X
N
Y
层与至少一个SiN
X
层交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO
X
层表面的第一层为SiO
X
N
Y
层，所述AlO
X
层为一层或多层结构。
[0007]进一步地，所述AlO
X
层单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述SiN
X
层单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述SiO
X
N
Y
层单层的厚度范围为10
‑
80nm。
[0008]进一步地，所述太阳能硅片为P型硅片。
[0009]本技术又提供一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其包括沉积在太阳能硅片背面的AlO
X
层以及沉积在AlO
X
层表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiNX层与至少一个SiO
X
N
Y
层交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO
X
层表面的第一层为SiN
X
层，所述AlO
X
层为一层或多层结构。
[0010]所述AlO
X
层单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述SiN
X
层单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述SiO
X
N
Y
层单层的厚度范围为10
‑
80nm。
[0011]进一步地，所述太阳能硅片为P型硅片。
[0012]本技术再提供一种太阳能电池，其包括太阳能硅片、由内向外依次沉积在太阳能硅片正面的扩散层、SiN
X
减反层和Ag层、以及沉积在太阳能硅片背面的背面钝化膜，所述SiN
X
层远离SiO
X
N
Y
层的一面沉积有Al
‑
LBSF层。
[0013]本技术再提供一种太阳能电池，其包括太阳能硅片、由内向外依次沉积在太阳能硅片正面的扩散层、SiN
X
减反层和Ag层、以及沉积在太阳能硅片背面的背面钝化膜，所述背面钝化膜包括AlO
X
层与沉积在AlO
X
层上的钝化层，所述钝化层远离AlO
X
层的一面沉积有Al
‑
LBSF层。
[0014]本技术提供的技术方案带来的有益效果如下：
[0015]本技术提供的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜及太阳能电池，增加SiO
X
N
Y
的叠层介质钝化膜，具有更好的化学钝化效果，形成的表面缺陷态更少，这样可有效减少背面的载流子复合；并且SiO
X
N
Y
具有高反射率的特点，可以有效反射透射光，加强了对入射进硅基体的长波光的反射，在光谱响应的长波响应处反射率增加，使一部分投射光再次被反射到电池正面，产生更多光生载流子，使Uoc和Isc提高，从而提升了太阳电池效率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本技术实施例提供的现有太阳能电池的结构示意图；
[0018]图2是本技术实施例提供的太阳能电池的第一种结构的结构示意图；
[0019]图3是本技术实施例提供的太阳能电池的第二种结构的结构示意图；
[0020]图4是本技术实施例提供的太阳能电池的第三种结构的结构示意图；
[0021]图5是本技术实施例提供的太阳能电池的反射率测试结果图。
[0022]其中，附图标记包括：1
‑
太阳能硅片，2
‑
AlO
X
层，3
‑
SiO
X
N
Y
层，4
‑
SiN
X
层，5
‑
扩散层，6
‑
SiNx减反层，7
‑
Ag层，8
‑
Al
‑
LBSF层。
具体实施方式
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括由内向外依次沉积在太阳能硅片(1)背面的AlO
X
层(2)、SiO
X
N
Y
层(3)和SiN
X
层(4)，所述AlO
X
层(2)、SiO
X
N
Y
层(3)和SiN
X
层(4)均为一层或多层结构，所述AlO
X
层(2)单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述SiN
X
层(4)单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述SiO
X
N
Y
层(3)单层的厚度范围为10
‑
80nm。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为P型硅片。3.一种晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，包括沉积在太阳能硅片(1)背面的AlO
X
层(2)以及沉积在AlO
X
层(2)表面的钝化层，所述钝化层由至少一个SiO
X
N
Y
层(3)与至少一个SiN
X
层(4)交替沉积形成，其中，沉积在所述AlO
X
层(2)表面的第一层为SiO
X
N
Y
层(3)，所述AlO
X
层(2)为一层或多层结构。4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述AlO
X
层(2)单层的厚度范围为1
‑
50nm，所述SiN
X
层(4)单层的厚度范围为60
‑
200nm，所述SiO
X
N
Y
层(3)单层的厚度范围为10
‑
80nm。5.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池用背面钝化膜，其特征在于，所述太阳能硅片(1)为P型硅片。6.一种晶体硅太阳能电池用背面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金花，费存勇，赵福祥，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：新型
国别省市：