本发明专利技术提供单层型电子照相感光体和图像形成装置。所述单层型电子照相感光体包括基体和在基体上设置的单层感光层，感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，空穴输送剂是用右述通式（１ａ）或（１ｂ）表示的化合物，所述电子输送剂在２５℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为２７～５０质量％。通式（１ａ）中，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［４］分别独立表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳基，Ａｒ↑［１］表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳烯基，通式（１ｂ）中，Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］分别独立表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳基，Ａｒ↑［２］表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳烯基，Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］中的至少一方可以与Ａｒ↑［２］结合而形成环，在Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］与Ａｒ↑［２］不结合的情况下，Ｒ↑［７］、Ｒ↑［８］分别独立表示碳原子数为１～１５的取代或非取代烷基、碳原子数为７～１５的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳基，在Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］中的至少一方与Ａｒ↑［２］结合的情况下，与Ａｒ↑［２］结合的Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］分别独立表示碳原子数为１～１５的取代或非取代亚烷基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳烯基，与Ａｒ↑［２］不结合的Ｒ↑［７］或者Ｒ↑［８］表示碳原子数为１～１５的取代或非取代烷基、碳原子数为７～１５的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳基，ｎ表示０或１的整数。由此，抑制膜化和黑斑，并且有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单层型电子照相感光体和具有所述感光体的图像形成装置。
技术介绍
用于图像形成装置等中的电子照相感光体使用有机感光体，所述有 机感光体具有由粘结树脂、电荷产生剂和电荷输送剂等感光体材料构成 的感光层。这样的有机感光体与无机感光体相比，容易制造，并且各种 感光体材料的选择多种多样，所以具有结构设计自由度高的优点。另一方面，为了稳定地形成高质量图像，在有机感光体中使用的有 机材料要满足各种各样的条件。特别是空穴输送剂(以下，有时简称为HTM)和电子输送剂(以下，有时简称为ETM)等电荷输送剂，要满足 (i)对光和热稳定；(ii)对由电晕放电产生的臭氧等物质稳定；(iii) 具有高的输送电荷能力；(iv)与有机溶剂和粘结树脂的相溶性高；以 及(v)容易制造而且便宜等各种条件。例如专利文献D1 (日本专利公报特公昭63 — 41053号)公开了一种 电子照相感光体，它作为满足上述各种条件、特别是含有输送电荷能力 优良的空穴输送剂的电子照相感光体，具有例如用下述通式(27)表示 的、含有腙化合物的感光层。<formula>formula see original document page 6</formula>(27)通式(27)中，R19、 R2Q、 R21、 R^分别表示可以有取代基的芳基， 至少一个以上的该芳基是具有由垸基形成的取代基的取代苯基，Ar表示 可以有取代基的芳烯基(亚芳基，arylene group)。此外，作为电子照相感光体的感光层中所含有的空穴输送剂的另一个例子，专利文献D2 (日本专利公报特公平2 — 24864号)公开了用下述 通式(28)表示的a—苯基芪衍生物。通式(28)中，A表示用下述通式(29)表示的基、9一蒽基或N— 垸基咔唑基，o表示0或l的整数。通式(29)中，R"表示低级烷基、低级垸氧基或卤素原子，1124和 R"表示低级垸基、苯甲基、无取代的苯基或者低级烷基、低级烷氧基、 或卤素取代的苯基，p表示0或l的整数。可是在专利文献D1和专利文献D2所述的专利技术中，关于所述腙化合 物或所述a —苯基芪衍生物与电子输送剂的组合，没有任何研究。因此 即使把所述腙化合物或所述a —苯基芪衍生物作为空穴输送剂使用，构 成单层型电子照相感光体，也可能由于与所述空穴输送剂组合使用的电 子输送剂的种类，产生灵敏度特性显著降低的问题。此外，在把所述腙化合物或所述a —苯基芪衍生物作为空穴输送剂 使用，构成单层型电子照相感光体的情况下，容易降低感光层的表面特 性，特别在高温高湿条件下进行图像形成的情况下，在感光层表面上容 易产生膜化的倾向。其结果导致在形成的图像上容易产生黑斑。因此谋求这样一种单层型电子照相感光体，可以抑制膜化和由此产 生的黑斑，此外可以更有效地发挥电荷输送剂具有的优良的输送电荷能 力。本专利技术的目的在于提供一种单层型电子照相感光体和图像形成装C=CH"("CH=CH")~A (28)
技术实现思路
置，无论在通常的温度湿度的使用环境下，还是在高温高湿的使用环境 下，都可以有效地抑制在感光层表面上产生膜化以及由此导致的在形成 的图像上产生黑斑，还可以有效地发挥具有特定结构的空穴输送剂的优 良的输送电荷能力、稳定地保持灵敏度特性。本专利技术提供一种单层型电子照相感光体，所述单层型电子照相感光 体包括基体；和在所述基体上设置的单层感光层；其中，所述感光层 包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，所述空穴输送 剂是用下述通式(la)或下述通式(lb)表示的化合物，所述电子输送 剂对四氢呋喃(THF)在25T的溶解度为27 50质量％。N—Ar1~^ /Ri / N—N (1a)R4 \ ，其中，通式(la)中，Ri W分别独立表示碳原子数为6 20的取 代或非取代芳基，A^表示碳原子数为6 20的取代或非取代芳烯基。通式(lb)中，R5、 116分别独立表示碳原子数为6 20的取代或非 取代芳基，A—表示碳原子数为6 20的取代或非取代芳烯基，RJ以及 R8中的至少一方可以与Ar2结合而形成环，在R7以及R8与Ar2不结合的 情况下，R7、 R8分别独立表示碳原子数为1 15的取代或非取代烷基、 碳原子数为7 15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6 30的取代 或非取代芳基，在R"以及R8中的至少一方与A 结合的情况下，与Ar2 结合的W以及RS分别独立表示碳原子数为1 15的取代或非取代亚垸 基(alkylene group)或者碳原子数为6 30的取代或非取代芳烯基，与 A—不结合的R7或者RS表示碳原子数为1 15的取代或非取代垸基、碳 原子数为7 15的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为6 30的取代或 非取代芳基，n表示0或1的整数。本专利技术还提供一种图像形成装置，所述图像形成装置包括像载体;带电装置，用于使所述像载体表面带电；曝光装置，用于使所述像载体 表面曝光，形成静电潜影；显影装置，用于使所述静电潜影作为调色剂 像显影；以及转印装置，用于把所述调色剂像从所述像载体转印到被转 印件上；其中，所述像载体是所述的单层型电子照相感光体。按照本专利技术，在通常的温度湿度的使用环境下，还是在高温高湿的 使用环境下，都有效地抑制在感光层表面上产生膜化以及由此导致的在 形成的图像上产生黑斑，并且有效地发挥具有特定结构的空穴输送剂的 优良的输送电荷能力、稳定地保持灵敏度特性。附图说明图1A是简要表示本专利技术第一实施方式的单层型电子照相感光体10 的一个例子的剖面图。图1B是简要表示本专利技术第一实施方式的单层型电子照相感光体10 的另一个例子的剖面图。图2是表示电子输送剂的溶解度和产生黑斑数的关系的曲线图。图3是表示电子输送剂的溶解度和产生黑斑数的关系的曲线图。图4是表示产生黑斑数和空穴输送剂从感光层中的溶解析出量的关 系的曲线图。图5是表示产生黑斑数和空穴输送剂从感光层中的溶解析出量的关 系的曲线图。图6是表示电子输送剂的含量和产生黑斑数的关系的曲线图。图7是表示电子输送剂的含量和产生黑斑数的关系的曲线图。图8是简要表示本专利技术第二实施方式的图像形成装置整体结构的断 面图。具体实施例方式本专利技术人发现在单层型电子照相感光体中，通过使用具有特定结构 的化合物作为空穴输送剂，并且使用对规定溶剂的溶解度在规定范围内的电子输送剂，可以有效地提高感光层的表面特性。据此，本专利技术人发现下述的电子照相感光体无论在通常的温度湿度 的使用环境下，还是在高温高湿的使用环境下进行图像形成，都可以有 效地抑制在感光层表面上产生膜化以及由此引起的在形成图像上产生黑 斑，并且还可以稳定地保持灵敏度特性。〈第一实施方式〉本专利技术第一实施方式的单层型电子照相感光体包括基体和在所述基 体上设置的单层感光层，所述感光层包括电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂，所述空穴输送剂是用下述通式(la)表示的化合物，或用下述通式(lb)表示的化合物，所述电子输送剂对四氢呋喃在25"C下的溶解度为27 50质量％。下面对本实施方式的单层型电子照相感光体进行具体说明。 l.基本构成如图1A和图1B所示，本实施方式的单层型电子照相感光体10在 基体12上设置单一的感光层14。 g卩，所述感光层14是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单层型电子照相感光体，其特征在于包括： 基体；和在所述基体上设置的单层感光层；其中， 所述感光层包含电荷产生剂、空穴输送剂、电子输送剂和粘结树脂， 所述空穴输送剂是用下述通式（１ａ）或下述通式（１ｂ）表示的化合物， 所述电子输送剂在２５℃的条件下对四氢呋喃的溶解度为２７～５０质量％， ＊＊＊ （１ａ） 通式（１ａ）中，Ｒ↑［１］～Ｒ↑［４］分别独立表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳基，Ａｒ↑［１］表示碳原子数为６～２０的取代或非取 代芳烯基， ＊＊＊ （１ｂ） 通式（１ｂ）中，Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］分别独立表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳基，Ａｒ↑［２］表示碳原子数为６～２０的取代或非取代芳烯基，Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］中的至少一方可以与Ａｒ↑［２ ］结合而形成环，在Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］与Ａｒ↑［２］不结合的情况下，Ｒ↑［７］、Ｒ↑［８］分别独立表示碳原子数为１～１５的取代或非取代烷基、碳原子数为７～１５的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳基，在Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］中的至少一方与Ａｒ↑［２］结合的情况下，与Ａｒ↑［２］结合的Ｒ↑［７］以及Ｒ↑［８］分别独立表示碳原子数为１～１５的取代或非取代亚烷基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳烯基，与Ａｒ↑［２］不结合的Ｒ↑［７］或者Ｒ↑［８］表示碳原子数为１～１５的取代或非取代烷基、碳原子数为７～１５的取代或非取代苯甲基或者碳原子数为６～３０的取代或非取代芳基，ｎ表示０或１的整数。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：浜崎一也，岩下裕子，冈田英树，市口哲也，宍户真，
申请(专利权)人：京瓷美达株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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