复合密封件制造技术

技术问题是提供一种复合密封件，该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能，使用时不需要较强的按压力，无产生颗粒之虞，并且能够长期地维持真空密封性能，该技术问题的解决手段的特点是，所述复合密封件是由第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件，其中，所述第一构件包括密封主体部以及从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置的唇部，所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合密封件


[0001]本专利技术涉及在真空状态下使用的复合密封件，涉及例如在干蚀刻装置或等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的复合密封件。

技术介绍

[0002]随着电子工业的发展，作为IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等的电子部件的材料的半导体的制造技术特别是像个人计算机等那样伴随着高精度化和薄型化而取得了显著的进步。
[0003]因此，对半导体制造装置中使用的部件的要求变得严格，例如在干蚀刻装置、等离子CVD装置等半导体制造装置中使用的密封件也不例外。
[0004]但是，半导体制造装置中使用的密封件需要真空密封性能作为基本性能。此外，根据密封件的安装部位，要求兼具耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能。
[0005]以往，作为要求这样的真空密封性能和耐等离子性以及耐腐蚀气体性的密封件，如图10所示，使用由第一构件102和第二构件104构成的复合密封件100，其中，所述第一构件102由氟橡胶构成，所述第二构件104由比第一构件102硬质的材料且耐等离子性及耐腐蚀气体性良好的氟树脂构成(例如专利文献1)。
[0006]当这样的复合密封件100安装于在半导体制造装置150的一个构件152上设置的密封槽154时，例如在位于大气侧的密封槽154的一个壁156侧配置第一构件102，并且在位于暴露于蚀刻气体或等离子的一侧的密封槽154的另一个壁158侧配置第二构件104。
[0007]此外，在这种状态下，如图11所示，通过使一个构件152和另一个构件160靠近，而使得复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压，从而由第一构件102确保一个构件152与另一个构件160之间的密封状态，并且由第二构件104防止蚀刻气体或等离子侵入第一构件102侧，由此，第一构件102不会劣化，并且能够长期地维持密封性能。现有技术文献专利文献
[0008]专利文献1：日本专利第5126995号公报

技术实现思路

专利技术要解决的技术问题
[0009]但是，由于这种以往的复合密封件100在截面形状中为上下对称的块状，因此，如图11所示，在将复合密封件100安装于一个构件152的密封槽154，并且使一个构件152和另一个构件160靠近以将一个构件152与另一个构件160之间密封时，需要较强的按压力。
[0010]即，尽管复合密封件100在一个构件152与另一个构件160之间被按压时发生变形，但是由于是块状，因此，压缩时的反作用力较强，为了获得由复合密封件100实现的密封性能，需要以较强的按压力对复合密封件100进行按压。
[0011]在这样将较强的按压力作用于复合密封件100时，第二构件104和密封槽154的另
一个壁158接触，并且通过反复进行上述接触，从而第二构件104磨损，存在产生颗粒之虞。
[0012]颗粒的产生会影响密封性能，并且也会成为半导体制造装置150中的不良情况的原因，因此，是希望避免的现象之一，实际情况是需要新的复合密封件。
[0013]本专利技术是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种复合密封件，该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能，使用时不需要较强的按压力，无产生颗粒之虞，并且能够长期维持真空密封性能。解决技术问题所采用的技术方案
[0014]本专利技术是为了解决所述现有技术中的问题而专利技术的，本专利技术的复合密封件是第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件，其特征是，所述第一构件包括：密封主体部；以及唇部，所述唇部从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置，所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。
[0015]此外，本专利技术的复合密封件的特征是，所述复合密封件用于对一个构件与另一个构件之间进行密封，并且当所述复合密封件安装在设置于所述一个构件的密封槽内时，所述第一构件位于所述密封槽的一个壁侧，并且所述第二构件位于另一个壁侧。
[0016]若设置这样的唇部，则在将复合密封件安装于密封槽，并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时，唇部首先与另一个构件抵接，并能够确保密封状态，因此，能够在较弱的按压力下获得密封性能。
[0017]而且，当第二构件与密封槽的另一个壁接触时，第二构件也仅以较弱的力与密封槽的另一个壁接触。因此，如果是本专利技术的复合密封件，则无产生颗粒之虞，能够长期地维持真空密封性能。
[0018]本专利技术的复合密封件的特征是，所述唇部的倾斜角度在30～60度的范围内。
[0019]若是这样的倾斜角度，则当将复合密封件安装于密封槽，并且使一个构件和另一个构件彼此靠近以获得密封性能时，唇部可靠地与另一个构件抵接，并且逐渐地朝向密封主体部倾倒，因此，能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
[0020]另外，本专利技术的复合密封件的特征是，在所述第一构件的密封件主体部中的、与相邻的所述第二构件相反一侧的侧部设置有隆起部。
[0021]若是这样设置隆起部，则在密封槽的形状为燕尾槽或单侧燕尾槽的情况下，能够可靠地防止安装在密封槽内的复合密封件从密封槽脱落。
[0022]即，隆起部嵌入密封槽的倾斜面(一个壁)与底壁之间，能够防止复合密封件从密封槽脱落。
[0023]另外，本专利技术的复合密封件的特征是，所述密封件主体部的底部由平面构成。
[0024]若是这样设为平面，则密封槽的底壁会与密封主体部的底部面接触，因此，复合密封件相对于密封槽的落座良好，能够可靠地防止复合密封件在密封槽内滚动。
[0025]另外，本专利技术的复合密封件的特征是，在所述密封主体部的底部设置有凹部。
[0026]若是这样设置凹部，则在将复合密封件安装于密封槽内，并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时，复合密封件被按压而变形，并且复合密封件的一部分会进入凹部内。
[0027]因此，与未设置凹部的状态相比，在设置有凹部的状态下，复合密封件的反作用力变弱，能够在较弱的按压力下可靠地获得密封性能。
[0028]另外，本专利技术的复合密封件的特征是，所述第二构件包括：基部；以及延设片，所述延设片从所述基部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸，所述延设片朝向相邻的所述第一构件以倾斜姿势延伸。
[0029]若是这样构成第二构件，则在将复合密封件安装于密封槽内，并且使一个构件和另一个构件靠近以获得密封性能时，延设片会在第一构件的唇部之后与另一个构件抵接，但是由于延设片为倾斜姿势，因此，能够在较弱的按压力下变形，并能够减弱复合密封件的反作用力。
[0030]另外，此时，由于延设片与密封槽的另一个壁和另一构件这两者抵接，因此，能够利用延设片可靠地防止蚀刻气体、等离子进入第一构件侧。
[0031]另外，本专利技术的复合密封件的特征是，所述延设片的倾斜角度在50～80度的范围内。
[0032]特别地，若是这样的倾斜角度，则在将复合密封件安装于密封槽内，并且使一个构件与另一个构件靠近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合密封件，所述复合密封件是使第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件，其特征在于，所述第一构件包括：密封主体部；以及唇部，所述唇部从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置，所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。2.如权利要求1所述的复合密封件，其特征在于，所述唇部的倾斜角度在30～60度的范围内。3.如权利要求1或2所述的复合密封件，其特征在于，在所述第一构件的密封件主体部中的、与相邻的所述第二构件相反一侧的侧部设置有隆起部。4.如权利要求1至3中任一项所述的复合密封件，其特征在于，所述密封件主体部的底部由平面构成。5.如权利要求1至3中任一项所述的复合密封件，其特征在于，在所述密封主体部的底部设置有凹部。6.如权利要求1至5中任一项所述的复合密封件，其特征在于，所述第二构件包括：基部；以及延设片，所述延设片从所述基部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置，所述延设片朝向相邻的所述第一构件以倾斜姿势延伸。7.如权利要求6所述的复合密封件，其特征在于，所述延设片的倾斜角度在50～80度的范围内。8.如权利要求6或7所述的复合密封件，其特征在于，所述基部的底部由平面构成。9.如权利要求6至8中任一项所述的复合密封件，其特征在于，在所述基部设置有与所述第一构件嵌合的嵌合凸部。10.如权利要求1至9中任一项所述的复合密封件，其特征在于，所述第一构件由弹性构件构成，所述第二构件由比所述第一构件更...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相镐，黑田路，
申请(专利权)人：株式会社华尔卡，
类型：发明
国别省市：