用于修整半导体晶片抛光垫的装置制造方法及图纸

一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置包括基底、纤维及从基底的表面突出且包围纤维的聚合物。聚合物。聚合物。

【技术实现步骤摘要】
用于修整半导体晶片抛光垫的装置


[0001]本专利技术实施例涉及一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)是广泛使用的工艺，通过所述工艺，化学力及物理力被用于将半导体工件(例如晶片)全局地平坦化。一般来说，平坦化使工件准备用于后续层的形成。典型的CMP工具包括由抛光垫覆盖的旋转平台。浆料分配系统被配置成向抛光垫提供具有化学组分及磨料组分的抛光混合物。然后使工件与旋转抛光垫接触，以将工件平坦化。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底、纤维以及聚合物。聚合物从基底的表面突出且包围纤维。
[0004]本专利技术实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底以及从基底的表面突出的第一突起。第一突起的第一部分包含聚合物，且第一突起的第二部分包含碳。
[0005]本专利技术实施例提供一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，其包括：基底、第一突起群簇以及第二突起群簇。第一突起群簇在基底上的第一位置处从基底的表面突出。第二突起群簇在基底上的第二位置处从基底的表面突出，基底上的第二位置与基底上的第一位置不同。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1是根据一些实施例的抛光垫修整装置的俯视图。
[0008]图2是根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起群簇(cluster)的俯视图。
[0009]图3是根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起阵列的图示。
[0010]图4示出根据一些实施例的抛光垫修整装置的突起群簇。
[0011]图5示出根据一些实施例的抛光垫修整装置的复合突起。
[0012]图6是根据一些实施例的抛光垫修整装置的复合突起的剖视图。
[0013]图7示出根据一些实施例的不同长度的若干复合突起。
[0014]图8示出根据一些实施例的晶片抛光装置。
[0015]图9示出根据一些实施例的修整装置的运动(movement)。
[0016]图10是根据一些实施例的修整装置的侧视图。
具体实施方式
[0017]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的若干不同的实施例或例子。以下阐述组件及布置的具体例子以简化本公开。当然，这些仅为例子而非旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开在各种例子中可重复使用参考编号或字母。此种重复使用是为了简明及清晰起见，且自身并不表示所论述的各个实施例或配置之间的关系。
[0018]此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下”、“在...下方”、“下部的”、“在...上方”、“上部的”等空间相对性用语来阐述图中所示一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可被另外取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
[0019]本文提供一个或多个用于修整半导体晶片抛光垫的抛光垫修整装置。根据一些实施例，抛光垫修整装置包括基底结构，所述基底结构具有从基底结构的表面突出的突起。根据一些实施例，基底结构是椭圆形盘，且突起中的至少一些是复合物。根据一些实施例，复合突起中的至少一些包含外接于纤维的聚合物(polymer circumscribing fiber)。根据一些实施例，纤维突出超过聚合物的尖端部分。根据一些实施例，突起以突起群簇布置在基底结构上。根据一些实施例，多个突起群簇以椭圆的形式布置在基底结构上。根据一些实施例，若干多个群簇以若干椭圆的形式布置在基底结构上。根据一些实施例，若干椭圆是同心圆。根据一些实施例，突起群簇内的一些突起是第一高度，而所述突起群簇中的其他突起是第二高度。根据一些实施例，第二高度不同于第一高度。
[0020]图1是根据一些实施例的抛光垫修整装置100的俯视图。根据一些实施例，抛光垫修整装置100包括贴合到基底104的突起102。根据一些实施例，基底104包括衬底、盘、平台、支撑结构或其他合适的器件或基础。根据一些实施例，基底104包含金属、聚合物、结晶材料、非结晶材料、物质、物质的混合物或其他合适的材料中的至少一种。根据一些实施例，基底104是包含半导体材料的衬底。在一些实施例中，基底104包含硅、锗、碳化物、镓、砷化物、锗、砷、铟、氧化物、蓝宝石或其他合适的材料中的至少一种。
[0021]根据一些实施例，基底104的形状是圆锥形、盘状、几何形、椭圆形、多边形、对称形、不对称形、不规则形或其他合适的形状中的至少一种。根据一些实施例，基底104是圆形、卵形(oval)、修圆的(rounded)或具有一个或多个焦点(foci)的其他形状中的至少一种。根据一些实施例，基底104包括外围部分108(例如在基底的周界处或邻近周界处)以及中心部分112。根据一些实施例，突起102位于外围部分108与中心部分112之间。根据一些实施例，突起102位于外围部分108、中心部分112或外围部分108与中心部分112之间中的至少一者处。
[0022]根据一些实施例，突起102远离基底104的表面106而突出。根据一些实施例，一些突起102远离并垂直于基底104的表面106突出。根据一些实施例，一些突起102以不垂直于基底104的表面106的角度远离基底104突出。根据一些实施例，一些突起102远离并垂直于基底104的表面106突出，并且一些其他突起102以不垂直于基底104的表面106的角度远离
基底104突出。
[0023]根据一些实施例，两个或更多个突起在基底104上被布置成突起群簇114。根据一些实施例，突起群簇114是指紧密定位在一起的多个突起。
[0024]根据一些实施例，抛光垫修整装置100包括一个或多个突起群簇。根据一些实施例，多个突起群簇116以椭圆118的形式布置在基底104上。根据一些实施例，椭圆(ellipse)是圆形、卵形、修圆的或具有一个或多个焦点的其他形状中的至少一种。根据一些实施例，椭圆118界定基底104的区域。根据一些实施例，多个突起群簇在基底104上被布置成多个同心椭圆。根据一些实施例，多个突起群簇在基底104上被布置成多个同心圆。根据一些实施例，第一多个突起群簇116距基底104的周界第一距离，且第二多个突起群簇116距基底104的周界第二距离。根据一些实施例，第一距离大于第二距离。
[0025]根据一些实施例，多个突起群簇116在基底104本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于修整半导体晶片抛光垫的装置，包括：基底；纤维；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政炳，陈世忠，彭升泰，陈鸿霖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：