同轴线缆制造技术

本发明专利技术提供即使以弯曲的状态进行配线也能够抑制高速信号的衰减的同轴线缆。该同轴线缆具备：内部导体；绝缘体，其覆盖内部导体的周围；屏蔽层，其覆盖绝缘体的周围；以及护套，其覆盖屏蔽层的周围，内部导体以截面形状成为圆形状的方式将第一金属裸线捻合而构成，屏蔽层具有：横绕屏蔽层，其在绝缘体的周围以螺旋状卷绕多个第二金属裸线而构成；以及屏蔽带层，其将在树脂带的一方的面形成有金属层的屏蔽带以使金属层与横绕屏蔽层接触的方式以螺旋状卷绕于横绕屏蔽层的周围而构成，横绕屏蔽层在周向上相邻的第二金属裸线间的至少一处具有空隙，在垂直于长度方向的截面上，隔着空隙相邻的第二金属裸线间的距离w的合计值为第二金属裸线的外径d以下。金属裸线的外径d以下。金属裸线的外径d以下。

【技术实现步骤摘要】
同轴线缆


[0001]本专利技术涉及同轴线缆。

技术介绍

[0002]作为自动驾驶等使用的拍摄装置用的信号线缆、笔记本电脑、智能手机、平板终端等电子设备的设备内配线，使用细径的同轴线缆(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第6164844号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]近年来的电子设备等中，信号传送速度的高速化在推进，例如，期望具有即使在传送70GHz以上的非常高速的信号的情况下，也具有难以产生信号衰减的高的传送特性的同轴线缆。特别是在用作设备内配线的同轴线缆中，大多情况下以弯曲的状态进行配线，期望即使以弯曲的状态进行配线，高速信号的衰减量也小的同轴线缆。
[0008]因此，本专利技术的目的在于提供即使以弯曲的状态进行配线也能够抑制高速信号的衰减的同轴线缆。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]本专利技术以解决上述课题为目的，提供一种同轴线缆，其具备：内部导体；绝缘体，其覆盖上述内部导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述内部导体以截面形状成为圆形状的方式将第一金属裸线捻合而构成，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽层，其在上述绝缘体的周围以螺旋状卷绕多个第二金属裸线而构成；以及屏蔽带层，其将在树脂带的一方的面形成有金属层的屏蔽带以使上述金属层与上述横绕屏蔽层接触的方式以螺旋状卷绕于上述横绕屏蔽层的周围而构成，上述横绕屏蔽层在周向上相邻的上述第二金属裸线间的至少一处具有空隙，在垂直于长度方向的截面上，隔着上述空隙相邻的上述第二金属裸线间的距离w的合计值为上述第二金属裸线的外径d以下。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本专利技术，能够提供即使以弯曲的状态进行配线，也能够抑制高速信号的衰减的同轴线缆。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的一实施方式的同轴线缆的垂直于长度方向的截面的剖视图。
[0014]图2是说明在现有例中因弯曲而在绝缘体与横绕屏蔽层间产生间隙的说明图。
[0015]图3是说明在本专利技术中不会因弯曲而在绝缘体与横绕屏蔽层间产生间隙的说明图。
[0016]图4是屏蔽带的剖视图。
[0017]图中：1—同轴线缆，2—内部导体，21—金属裸线，3—绝缘体，4—屏蔽层，41—横绕屏蔽层，41a—第一金属裸线，42—屏蔽带层，421—屏蔽带，421a—树脂带，421b—金属层，5—护套，6—空隙。
具体实施方式
[0018]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。
[0019]图1是表示本实施方式的同轴线缆的垂直于长度方向的截面的剖视图。如图1所示，同轴线缆1具备内部导体2、覆盖内部导体2的周围的绝缘体3、覆盖绝缘体3的周围的屏蔽层4以及覆盖屏蔽层4的周围的护套5。同轴线缆1例如用作自动驾驶等使用的拍摄装置用的信号线缆、笔记本电脑、智能手机、平板终端等电子设备的设备内配线，其外径为2mm以下，优选为1.5mm以下。
[0020](内部导体2)
[0021]为了得到良好的传送特性，期望内部导体2的导电率为99％IACS以上。为了提高内部导体2的导电率，考虑使用单线导体，但该情况下，在施加反复弯曲时容易断线，另外，在使用激光进行终端加工时，容易对内部导体2产生损伤而导致断线。另外，若单纯地仅将多根裸线捻合，则难以使导电率成为99％IACS以上。
[0022]因此，在本实施方式中，以使截面形状成为圆形状的方式将第一金属裸线21无间隙地捻合而构成内部导体2。更详细而言，作为内部导体2，使用将多个第一金属裸线21捻合且以使垂直于线缆长度方向的截面形状成为圆形状的方式进行了压缩加工的压缩绞线导体。通过使用压缩绞线导体作为内部导体2，第一金属裸线21彼此贴紧，第一金属裸线21间的间隙消失，因此导电率提高，可得到良好的传送特性，并且也能够维持弯曲容易度。另外，压缩绞线导体相比单线导体在弯曲时难以断线。此外，将第一金属裸线21无间隙地捻合是指，相邻的第一金属裸线21的外表面通过面接触等互相相接，且在相互接触的第一金属裸线21彼此之间无间隙的状态下捻合。但是，也可以具有不影响本专利技术的效果的范围的间隙。
[0023]为了实现高的导电率，作为内部导体2使用的第一金属裸线21，可以使用由未实施镀敷的纯铜构成的软铜线。但是，如果是导电率99％IACS以上的镀敷，也可以实施，例如，可以将由实施了镀银的纯铜构成软铜线用作第一金属裸线21。此外，在压缩绞线导体中，在压缩工序中对第一金属裸线21施加应力，导致导电率降低，但是，通过之后进行加热处理(退火处理)，能够去除应力，实现99％IACS以上的导电率。
[0024](绝缘体3)
[0025]作为绝缘体3，为了提高高频信号的传送特性(更详细而言，例如在传送70MHz～100GHz的频带的高频信号时难以衰减)，期望尽可能使用介电常数低的绝缘体。另外，作为绝缘体3，考虑电子设备等的使用状况，期望为在-40℃以上且80℃以下的温度下稳定的介电常数。因此，为了满足这些特性，在本实施方式中，作为绝缘体3使用由氟树脂构成的绝缘体。作为绝缘体3使用的氟树脂，可以列举PFA(全氟烷氧基烷烃)、FEP(四氟乙烯六氟丙烯共聚物)、PTFE(聚四氟乙烯)等。通过使用氟树脂作为绝缘体3，绝缘体3的表面容易变得光滑，因此在将同轴线缆1弯曲时，构成后述的横绕屏蔽层41的第二金属裸线41a容易在线缆长度方向上移动，可以进一步抑制在横绕屏蔽层41与绝缘体3之间产生间隙。
[0026]此外，也考虑使用泡沫树脂作为绝缘体3，但同轴线缆1的外径为2mm以下的细径，因此绝缘体3的厚度也非常薄。由于难以稳定地制造薄的泡沫树脂，因此，在本实施方式中，使用介电常数较低的氟树脂作为绝缘体3。
[0027](护套5)
[0028]在绝缘体3的周围设有屏蔽层4，且以覆盖其周围的方式设有护套5。在本实施方式中，护套5与绝缘体3同样地由氟树脂构成。作为护套5使用的氟树脂，可以列举PFA、FEP、PTFE等。护套5的外径为2.0mm以下，更优选为1.5mm以下。
[0029](屏蔽层4)
[0030]本实施方式中，屏蔽层4具有：在绝缘体3的周围以螺旋状卷绕(横绕)多个第二金属裸线41a而构成的横绕屏蔽层41；以及在横绕屏蔽层41的周围以螺旋状卷绕屏蔽带421而构成的屏蔽带层42。
[0031]为了得到良好的传送特性，期望横绕屏蔽层41的导电率尽可能高。因此，作为第二金属裸线41a，与上述的第一金属裸线21同样地使用由未实施镀敷的纯铜构成的软铜线即可。但是，如果是导电率99％IACS以上的镀敷，则也可以实施，例如，也可以将由实施了镀银的纯铜构成的软铜线用作第二金属裸线41a。作为第二金属裸线41a，可以使用比内部导体2使用的第一金属裸线21细径的裸线。在此，使用外径d为0.05mm的第二金属裸线41a。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴线缆，其特征在于，具备：内部导体；绝缘体，其覆盖上述内部导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述内部导体以截面形状成为圆形状的方式将第一金属裸线捻合而构成，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽层，其在上述绝缘体的周围以螺旋状卷绕多个第二金属裸线而构成；以及屏蔽带层，其将在树脂带的一方的面形成有金属层的屏蔽带以使上述金属层与上述横绕屏蔽层接触的方式以螺旋状卷绕于上述横绕屏蔽层的周围而构成，上述横绕屏蔽层在周向上相邻的上述第二金属裸线间的至少一处具有空隙，在垂直于长度方向的截面上，隔着上述空隙相邻的上述第二金属裸线间的距离w的合计值为上述第二金属裸线的外径d以下。2.根据权利要求1所述的同轴线缆，其特征在于，在垂直于长度方向的截面中，隔着上述空隙相邻的上述第二金属裸线间的距离w的合计值为上述第二金属裸线的外径...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄得天，渡部考信，工藤纪美香，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：