半导体封装制造技术

公开了一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第二表面上并电连接到第一半导体芯片；以及模制图案，与第一半导体芯片的侧表面和第二半导体芯片的侧表面接界。第一半导体芯片的第一表面的至少一部分没有模制图案。玻璃图案在第一半导体芯片的第一表面上。片的第一表面上。片的第一表面上。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于2019年8月28日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请N0.10-2019-0105932的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及一种半导体封装，具体地涉及一种包括图像传感器芯片的半导体封装。

技术介绍

[0004]图像传感器，例如电荷耦合器件(CCD)传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，可以用于各种电子产品，例如手机、数码相机、光电鼠标、安全相机和生物计量设备。由于对小型多功能电子产品的需求不断增长，可以将包括图像传感器的半导体封装设计为具有改进的技术特性(例如，小尺寸、高密度、低功耗、多功能、高信号处理速度、高可靠性、低成本和/或清晰的图像质量)。为了实现半导体封装中的这种技术特性，已经进行了研究和开发努力。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些实施例提供了一种半导体封装，其包括具有减小的面积的图像传感器芯片。
[0006]根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体封装件可以包括：第一半导体芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第二表面上并电连接到第一半导体芯片；以及模制图案，与第一半导体芯片的侧表面和第二半导体芯片的侧表面接界。第一半导体芯片的第一表面的至少一部分没有模制图案。玻璃图案在第一半导体芯片的第一表面上。
[0007]根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体封装可以包括：图像传感器芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，在图像传感器芯片的第二表面上，并电连接至图像传感器芯片；模制图案，与图像传感器芯片的侧表面和半导体芯片的侧表面接界；以及玻璃图案，在图像传感器芯片的第一表面上。模制图案可以具有与玻璃图案物理接触的顶表面。
[0008]根据本专利技术构思的实施例，一种半导体封装可以包括：第一半导体芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一半导体芯片包括在第一表面上的微透镜；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的第二表面上，第二半导体芯片包括贯通通孔并具有与第一半导体芯片的第二表面相邻的第三表面和与第三表面相对的第四表面；再分布结构，在第二半导体芯片的第四表面上；模制图案，在第一半导体芯片的侧表面和第二半导体芯片的侧表面上；以及玻璃图案，在微透镜上。
附图说明
[0009]根据以下结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示本文所述的非限制性示例实施例。
[0010]图1是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的平面图。
[0011]图2是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的沿图1的线I-I
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截取的截面图。
[0012]图3是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的沿图1的线I-I
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截取的截面图。
[0013]图4是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的沿图1的线I-I
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截取的截面图。
[0014]图5A至图5F是示出根据本专利技术构思的一些实施例的制造半导体封装的方法的截面图。
[0015]应当注意，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。但是，这些附图没有按比例绘制且不能精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制示例实施例所包含的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位可以被减小或夸大。
具体实施方式
[0016]现在将参照示出了示例性实施例的附图来更全面地描述本专利技术构思的示例实施例。贯穿本说明书，相同的附图标记或相同的附图指示符可以表示相同的元件或组件。
[0017]如本文所用，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。将理解的是，当元件被称为在另一元件“上”、“附接”至、“连接”至、“耦合”至、“接触”等另一元件等时，它可以直接在、附接至、连接至、耦合至或接触另一元件或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为例如“直接在”另一元件“上”、“直接附接”至、“直接连接”至、“直接耦合”或“直接接触”另一元件时，则不存在中间元件。应注意，针对一个实施例描述的各方面可以并入不同的实施例中，尽管并未就此进行具体描述。也即，所有实施例和/或任意实施例的特征能够用任意方式和/或组合来予以组合。
[0018]图1是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的平面图。图2是示出根据本专利技术构思的一些实施例的半导体封装的沿图1的线I-I
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截取的截面图。
[0019]参考图1和图2，半导体封装1000可以包括半导体芯片SEC、粘合层300、模制图案400、再分布结构500和玻璃图案600。半导体芯片SEC可以包括第一半导体芯片100和第二半导体芯片200，在图2的截面图中，第一半导体芯片100和第二半导体芯片200在垂直方向上彼此堆叠。半导体芯片SEC的平面面积(W1*H1)为约5.65mmX4.345mm。第一半导体芯片100可以具有彼此相对的第一表面110a和第二表面100a。第一半导体芯片100可以包括第一半导体层110、第一互连结构120、滤色器CF和微透镜MR。第一半导体层110可以具有彼此相对的顶表面110a和底表面110b。第一半导体芯片100的第一表面110a可以与第一半导体层110的顶表面110a相同。第一半导体层110可以包括一种或多种半导体材料(例如，硅(Si)、硅锗(SiGe)和掺杂半导体材料)。光电转换器件PD可以设置在第一半导体层110中。每个光电转
换器件PD可以独立接收入射在第一半导体芯片100的第一表面110a上的光。光电转换器件PD可以具有与第一半导体层110的导电类型不同的导电类型。
[0020]第一互连结构120可以设置在第一半导体层110的底表面110b上。第一互连结构120可以包括第一绝缘层122、第一互连线124、第一通孔126和第一接合焊盘128。第一绝缘层122可以顺序地堆叠在第一半导体层110的底表面110b上。第一绝缘层122距第一半导体层110的底表面110b最远的表面可以对应于第一半导体芯片100的第二表面100a。第一绝缘层122可以包括一种或多种绝缘材料(例如，氧化硅(SiO
x
))。第一互连线124可以设置在第一绝缘层122中。第一互连线124可以包括一种或多种金属材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)和钨(W))和/或势垒金属材料(例如，钽(Ta)和钛(Ti))。第一通孔126可以设置在第一互连线124之间。第一通孔126可以将第一互连线124彼此电连接。第一互连线124可以包括一种或多种金属材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)和钨(W))。第一接合焊盘128可以设置在第一互连线124上，该第一互连线124距第一半导体层110的底表面110b最远。第一接合焊盘128可以设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片的第二表面上并电连接到所述第一半导体芯片；模制图案，与所述第一半导体芯片的侧表面和所述第二半导体芯片的侧表面接界，所述第一半导体芯片的第一表面的至少一部分没有所述模制图案；以及玻璃图案，在所述第一半导体芯片的第一表面上。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括：第一半导体层，具有彼此相对的顶表面和底表面，所述第一半导体层的底表面与所述第二半导体芯片相邻，所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案相邻；以及第一互连结构，在所述第一半导体层的底表面上，其中，所述模制图案的顶表面与所述第一半导体层的顶表面相邻，所述模制图案的顶表面与所述玻璃图案物理接触，以及所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案间隔开。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括：第一半导体层，具有彼此相对的顶表面和底表面，所述第一半导体层的底表面与所述第二半导体芯片相邻，所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案相邻；以及第一互连结构，在所述第一半导体层的底表面上，其中，所述模制图案的顶表面与所述第一半导体层的顶表面相邻，以及相对于作为基础参考水平的所述第二半导体芯片，所述模制图案的顶表面位于比所述第一半导体层的顶表面高的水平。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括：第一半导体层，具有彼此相对的顶表面和底表面，所述第一半导体层的底表面与所述第二半导体芯片相邻，所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案相邻；以及第一互连结构，包括在所述第一半导体层的底表面上的第一端子焊盘，其中，所述第二半导体芯片包括：第二半导体层，具有彼此相对的顶表面和底表面，所述第二半导体层的顶表面与所述第一互连结构相邻；以及第二互连结构，包括在所述第二半导体层的顶表面上的第二端子焊盘，其中，所述第一端子焊盘和所述第二端子焊盘彼此直接物理接触。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片包括：半导体层；以及贯通通孔，穿透所述半导体层。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的顶表面和底表面的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的底表面与所述第二半导体芯片相邻，并且所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案相邻，其中，所述半导体封装还包括在所述第一半导体层的顶表面的边缘上的粘合层，以及其中，所述粘合层分别与所述模制图案的侧表面和所述玻璃图案的侧表面物理接触。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的顶表面和底表面的第一半导体层，其中，所述第一半导体层的底表面与所述第二半导体芯片相邻，并且所述第一半导体层的顶表面与所述玻璃图案相邻，其中，所述半导体封装还包括在所述第一半导体层的顶表面的边缘上的粘合层，其中，所述粘合层具有与所述玻璃图案物理接触的顶表面，其中，所述模制图案具有与所述玻璃图案物理接触的顶表面，以及其中，所述粘合层的顶表面与所述模制图案的顶表面共面。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面，其中，所述第二半导体芯片的第三表面比所述第二半导体芯片的第四表面更靠近所述第一半导体芯片，以及其中，所述第二半导体芯片的第四表面的至少一部分没有模制图案。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片具有彼此相对的第三表面和第四表面，其中，所述第二半导体芯片的第三表面比所述第二半导体芯片的第四表面更靠近所述第一半导体芯片，以及所述半导体封装还包括在所述第二半导体芯片的第四表面上的再分布结构，其中，所述再分布结构包括：再分布件，在所述第二半导体芯片的第四表面上；在第二半导体芯片的第四表面上的保护绝缘层，所述再分布件的部分没有所述保护绝缘层；以及外部端子，在所述再分布件的所述部分上，其中，所述保护绝缘层在所述模制图案的底表面上。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片具有彼此相...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜东训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：