屏蔽膜及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽膜，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。本发明专利技术还公开了一种屏蔽膜的制作方法，该方法包括：提供具有屏蔽区图形凹槽以及与屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层；在屏蔽区图形凹槽和缓冲区图形凹槽内采用微电铸制备屏蔽区以及与屏蔽区连接的缓冲区；将连接在一起的屏蔽区和缓冲区与固化胶层分离，获得屏蔽膜。通过微电铸制备屏蔽区以及在屏蔽区至少一侧制备缓冲区，使得屏蔽区的整体的厚度差异较小，从而使屏蔽区的厚度比较均匀，进而增强了屏蔽膜的电磁屏蔽效果。屏蔽膜的电磁屏蔽效果。屏蔽膜的电磁屏蔽效果。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽膜及其制作方法


[0001]本专利技术涉及屏蔽膜
，特别是涉及一种屏蔽膜及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着液晶，CRT，PDP，EL等显示装置的发展，被广泛的应用在个人电脑、手机、公共信息展示，用于信息的展示和交互。这些电子显示设备也带来越来越多的电磁干扰问题。
[0003]近年来，金属网格薄膜被广泛的用于电磁信号的屏蔽上面。常用的制作方法有溅射法、蚀刻法和银络盐扩散法。这些方法工艺复杂，生产效率低，且普遍透过率不高。
[0004]目前UV压印与微电铸方法制作金属网格薄膜，其生产工艺简单，成熟，生产效率高，且金属网格薄膜镂空，透过率高。但现有微电铸技术由于其边缘效应，金属的生长速率不同导致在厚度上差异较大，造成电磁屏蔽能力的不均匀。
[0005]前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种降低屏蔽区厚度差异的屏蔽膜及其制作方法。
[0007]本专利技术提供一种屏蔽膜，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。2.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述缓冲区的宽度大于所述屏蔽区中金属线的宽度。3.如权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区中金属线的宽度为3-10μm，所述缓冲区的宽度为0.5-2cm。4.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区的厚度小于所述缓冲区的厚度，所述屏蔽区与所述缓冲区的厚度差异小于或等于3μm，所述缓冲区的厚度为5-20μm，所述屏蔽区的厚度2-17μm。5.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区设有第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述缓冲区设有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一导电层连接所述第一金属层，所述第二导电层连接所述第二金属层。6.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度，所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度。7.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层与所述第一金属层的材料相同，所述第二导电层与所述第二金属层的材料相同，所述第一导电层与所述第一金属层的材料为银或铜或金或石墨烯或其它导电材料的浆料，所述第二导电层与所述第二金属层的材料为银或铜或金或镍或铁镍合金或其它金属材料。8.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的接触面为平面或非平面，所述第一金属层与所述第二金属层的接触面为平面或非平面。9.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区四周均设置所述缓冲区。10.一种屏蔽膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘麟跃，周小红，基亮亮，
申请(专利权)人：苏州维业达触控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：