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本发明公开了一种屏蔽膜，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。本发明还公开了一种屏蔽膜的制作方法，该方法包括：提供具有屏蔽区图形凹槽以及与屏蔽区...
该专利属于苏州维业达触控科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州维业达触控科技有限公司授权不得商用。

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