包括增强型电磁屏蔽件的集成电路封装制造技术

一些特征涉及一种封装，该封装包括：基板，耦合到该基板的电子组件，至少部分地围绕该电子组件的模塑件，以及该模塑件上方的第一屏蔽件和第一屏蔽件上方的第二屏蔽件，该第一屏蔽件由选择成具有高磁导率屏蔽件的材料制成。该封装包括增强型电磁屏蔽件。封装包括增强型电磁屏蔽件。封装包括增强型电磁屏蔽件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括增强型电磁屏蔽件的集成电路封装

技术介绍

[0001]公开领域
[0002]各种特征涉及用于集成电路封装的增强型电磁屏蔽件。
[0003]背景
[0004]集成电路、集成电路封装和电子器件正在被持续地向更小的形状因子驱动。需要更小的形状因子，以使得此类器件可以被集成到移动设备(诸如移动电话、平板设备、膝上型设备等)中。集成电路封装包括若干组件(诸如基板)和电子器件(包括管芯、集成电路和无源器件)。这些电子器件(包括管芯、集成电路和无源器件)需要电磁屏蔽。电磁屏蔽件保护这些电子器件不受射频、电磁场和静电场的影响。同样，电磁屏蔽件保护在该电磁屏蔽件之外的电子器件不受由该集成电路封装上的电子器件生成的射频、电磁场和静电场的影响。实现具有改善的屏蔽有效性的小形状因子电磁屏蔽件存在挑战。
[0005]图1解说了包括常规屏蔽件的封装。具体而言，图1解说了集成电路(IC)封装100，IC封装100包括基板102、电子组件110和112(例如，管芯、或无源组件)、模塑件120、以及屏蔽件140。屏蔽件140被溅镀到模塑件120上。溅镀屏蔽件140以使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装，包括：基板；耦合到所述基板的电子组件；至少部分地围绕所述电子组件并且耦合到所述基板的模塑件；位于所述模塑件上方的第一屏蔽件；以及位于所述第一屏蔽件上方的第二屏蔽件，其中所述第一屏蔽件是高磁导率屏蔽件。2.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一屏蔽件具有大于10H/m的磁导率。3.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一屏蔽件具有相对于所述第二屏蔽件而言较高的磁导率。4.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一屏蔽件具有相对于所述第二屏蔽件而言大的粒度。5.如权利要求1所述的封装，进一步包括：在所述第一屏蔽件与所述模塑件之间的粘合层，所述粘合层耦合到所述模塑件。6.如权利要求5所述的封装，其中，所述粘合层是阻焊剂。7.如权利要求5所述的封装，其中，所述粘合层被配置成具有与所述第一屏蔽件的长度和宽度相似的长度和宽度。8.如权利要求1所述的封装，进一步包括多个模塑件侧壁和多个第一屏蔽件侧壁，其中所述第二屏蔽件位于所述多个模塑件侧壁和所述多个第一屏蔽件侧壁上方。9.如权利要求8所述的封装，进一步包括多个基板侧壁，其中，所述第二屏蔽件位于所述多个基板侧壁上方。10.如权利要求8所述的封装，其中，所述第一屏蔽件不位于所述多个模塑件侧壁上。11.如权利要求9所述的封装，进一步包括：位于所述第二屏蔽件上方的第三屏蔽件，其中所述第三屏蔽件是高磁导率屏蔽件，并且其中所述第一屏蔽件不位于所述多个模塑件侧壁上。12.如权利要求11所述的封装，进一步包括位于所述第三屏蔽件上方的第四屏蔽件。13.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一屏蔽件被配置成具有约100nm到约300μm的高度。14.如权利要求10所述的封装，其中，所述第二屏蔽件被配置成具有约0.5μm到19μm的高度。15.如权利要求1所述的封装，其中，包括所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件的总屏蔽件高度小于约319μm。16.如权利要求1所述的封装，其中，所述第一屏蔽件包括铁磁材料。17.如权利要求16所述的封装，其中，所述第一屏蔽件包括铁和镍或其合金。18.如权利要求1所述的封装，其中，所述第二屏蔽件是经溅镀的屏蔽件。19.如权利要求18所述的封装，其中，所述第二屏蔽件包括以下至少一者：钛、镍、铬、或其组...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：