光学邻近校正方法技术

本发明专利技术提供了一种光学邻近校正方法，包括如下步骤：提供包括阵列区域和非阵列区域的光掩膜版图设计，阵列区域包括多个至少一种重复图形；对阵列区域进行第一光学邻近校正，在多个重复图形中选择一个作为特征图形进行光学邻近校正，将其光学邻近校正结果应用于其他重复图形；对非阵列区域进行第二光学邻近校正，对每个图形一一进行光学邻近校正。本发明专利技术针对阵列区域和非阵列区域分别进行第一光学邻近校正和第二光学邻近校正，有效减少了阵列区域中重复图形之间的特征尺寸波动，改善了晶圆面内特征尺寸的均匀性，提升了器件良率。提升了器件良率。提升了器件良率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种光学邻近校正方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，光刻是决定器件特征尺寸的一道重要工艺。随着半导体器件特征尺寸的不断减小，光刻所采用的光掩膜的特征尺寸甚至已小于曝光光源的波长。由于光的衍射效应已无法忽视，需要在设计光掩膜时予以考虑，并消除其不利影响。
[0003]目前，在亚微米至纳米级的光刻工艺过程中，通常需要引入光学邻近校正(Optical Proximity Correction,OPC)方法，用于弥补光的衍射效应所造成的图形失真。光学邻近校正通过在图形边缘处设计额外的多边形以纠正因衍射效应带来的图形错误，能够使光刻过程后形成的光刻胶图形与版图设计的图形保持一致。在常见的光学邻近校正中，一般会针对版图设计中的所有图形都一一进行光学邻近校正，以确保光掩膜的每个图形在光刻后形成的光刻胶图形都尽可能与版图设计图形保持一致，而光刻胶图形则直接决定了刻蚀等工艺后形成的器件结构形貌。
[0004]然而，在三维存储器的版图设计中，在器件的阵列区域中存在大量相同的重复图形。出于三维存储器器件性能的要求，这些重复图形的特征尺寸需要保持高度一致，即需要确保较高的均匀性。由于现有光学邻近校正为每个图形都一一进行光学邻近校正，这会造成不同图形的特征尺寸在各自的光学邻近校正后出现微小波动，例如可出现约0.1nm的偏差。随着三维存储器制程的特征工艺尺寸不断减小，上述偏差已逐渐无法忽视，将会对晶圆面内特征尺寸的均匀性造成不利影响，甚至影响产品良率。
[0005]因此，有必要提出一种新的光学邻近校正方法，解决上述问题。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光学邻近校正方法，用于解决现有技术中阵列区域的重复图形在光学邻近校正后特征尺寸均匀性较差的问题。
[0007]为实现上述目的及其它相关目的，本专利技术提供了一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0008]提供光掩膜的版图设计，所述版图设计包括阵列区域和非阵列区域，所述阵列区域包括至少一种重复图形，所述重复图形为多个；
[0009]对所述阵列区域进行第一光学邻近校正，对所述非阵列区域进行第二光学邻近校正，以完成对所述版图设计的光学邻近校正；
[0010]在所述第一光学邻近校正的过程中，在多个所述重复图形中选择一个作为特征图形，对所述特征图形进行光学邻近校正，并将所述特征图形的光学邻近校正结果应用于其他所述重复图形；
[0011]在所述第二光学邻近校正的过程中，对所述非阵列区中的每个图形一一进行光学邻近校正。
[0012]作为本专利技术的一种可选方案，所述阵列区域包括三维存储器件的存储块区域，所述非阵列区域包括三维存储器件的周边电路区域。
[0013]作为本专利技术的一种可选方案，所述重复图形包括多边形。
[0014]作为本专利技术的一种可选方案，在提供所述版图设计后，还包括针对所述版图设计的图形添加曝光辅助图形的步骤。
[0015]作为本专利技术的一种可选方案，在完成对所述版图设计的光学邻近校正之后，还包括进行光学邻近校正验证的步骤。
[0016]作为本专利技术的一种可选方案，当所述光学邻近校正验证失败时，还包括重新执行本专利技术所述的光学邻近校正方法的步骤。
[0017]本专利技术还提供了一种光掩膜的制造方法，其特征在于，使用如本专利技术所述的光学邻近校正方法对所述光掩膜的图形进行光学邻近校正。
[0018]本专利技术还提供了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，使用如本专利技术所述的光学邻近校正方法对所述光掩膜的图形进行光学邻近校正。
[0019]本专利技术还提供了一种光学邻近校正装置，其特征在于，包括存储器和处理器；所述存储器用于存储计算机程序；所述处理器用于当执行所述计算机程序时，实现如本专利技术所述的光学邻近校正方法。
[0020]本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，当所述计算机程序被处理器执行时，实现如本专利技术所述的光学邻近校正方法。
[0021]如上所述，本专利技术提供一种光学邻近校正方法，具有以下有益效果：
[0022]本专利技术针对版图设计的阵列区域和非阵列区域分别进行第一光学邻近校正和第二光学邻近校正，在第一光学邻近校正中选择一个重复图形作为特征图形，并将特征图形的光学邻近校正结果应用于其他重复图形，有效减少了阵列区域中重复图形之间的特征尺寸波动，改善了晶圆面内特征尺寸的均匀性，提升了器件良率。
附图说明
[0023]图1显示为本专利技术实施例一中提供的一种光学邻近校正方法的流程图。
[0024]图2显示为本专利技术实施例一中提供的光学邻近校正前的光掩膜版图设计示意图。
[0025]图3显示为本专利技术实施例一中提供的光学邻近校正后的光掩膜版图设计示意图。
[0026]图4显示为本专利技术实施例一中提供的光学邻近校正及制备光掩膜的流程图。
[0027]元件标号说明
[0028]101
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阵列区域
[0029]101a
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重复图形
[0030]101b
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重复校正图形
[0031]102
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非阵列区域
[0032]102a
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第一图形
[0033]102b
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第二图形
[0034]102c
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第三图形
[0035]102d
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第一校正图形
[0036]102e
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第二校正图形
[0037]102f
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第三校正图形
[0038]103
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曝光辅助图形
[0039]201
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流程201
[0040]202
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流程202
[0041]203
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流程203
[0042]204
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流程204
[0043]205
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流程205
[0044]206
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流程206
[0045]S1～S2
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步骤1)～步骤2)
具体实施方式
[0046]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括如下步骤：提供光掩膜的版图设计，所述版图设计包括阵列区域和非阵列区域，所述阵列区域包括至少一种重复图形，所述重复图形为多个；对所述阵列区域进行第一光学邻近校正，对所述非阵列区域进行第二光学邻近校正，以完成对所述版图设计的光学邻近校正；在所述第一光学邻近校正的过程中，在多个所述重复图形中选择一个作为特征图形，对所述特征图形进行光学邻近校正，并将所述特征图形的光学邻近校正结果应用于其他所述重复图形；在所述第二光学邻近校正的过程中，对所述非阵列区中的每个图形一一进行光学邻近校正。2.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于：所述阵列区域包括三维存储器件的存储块区域，所述非阵列区域包括三维存储器件的周边电路区域。3.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于：所述重复图形包括多边形。4.根据权利要求1所述的光学邻近校正方法，其特征在于：在提供所述版图设计后，还包括针对所述版图设计的图形添加曝光辅助图形的步骤。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：董明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：