多重图形亚分辨率辅助图形添加方法技术

本发明专利技术涉及多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，相比于传统条状的SRAF，添加环状SRAF，SRAF更加连续，且部分第一掩模版环状SRAF和部分第二掩模环状SRAF宽度可以进一步扩大，能够大大增加第一掩模版目标层和第二掩模版目标层周围透光量，而增大第一掩模版目标层和第二掩模版目标层的光刻工艺窗口，进而实现更大幅度提高多重图形工艺窗口的目的。度提高多重图形工艺窗口的目的。度提高多重图形工艺窗口的目的。

【技术实现步骤摘要】
多重图形亚分辨率辅助图形添加方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种多重图形亚分辨率辅助图形添加方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造过程中，电路的图形结构首先定义在掩模板版图(Mask)上，之后通过光刻将掩模板版图上的图形结构即设计图形转移到形成于晶圆表面的光刻胶上并形成光刻胶图形。由于在光刻过程中，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模板版图上的图形不一致，产生光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)的失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模板版图上的图形进行OPC修正，经过OPC修正后的掩模板版图上的图形尺寸虽然和要求的不一致，但是经过曝光转移到光刻胶上之后光刻胶上的图形和要求一致。
[0003]但是随着集成度的增加，图形尺寸越来越小、版图设计越来越复杂，多重图形化工艺也已经被广泛应用。OPC修正过程中会遇到越来越多的热点，热点为OPC修正后的光刻版版图上出现各种问题的点，由于热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，其特征在于，包括：S1：提供原始设计掩模板，将原始设计掩模板拆分为第一掩模板和第二掩模板，其中第一部分图形分布于第一掩模板形成第一掩模版图形，第二部分图形分布于第二掩模板形成第二掩模版图形；S2：根据光刻到刻蚀之间的差值，对第一掩模版图形进行扩大形成第一掩模版目标层，并对第二掩模版图形进行扩大形成第二掩模版目标层；S3：在第一掩模版目标层附近添加第一掩模版环状SRAF，在第二掩模版目标层附近添加第二掩模版环状SRAF，其中第一掩模版环状SRAF和第二掩模版环状SRAF的初始宽度均为a；以及S4：将第一掩模版环状SRAF位于第二掩模版图形和第二掩模版目标层中的部分的宽度扩大，并将第二掩模版环状SRAF位于第一掩模版图形和第一掩模版目标层中的部分的宽度扩大。2.根据权利要求1所述的多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，其特征在于，S2中扩大的值根据当前的光刻工艺和刻蚀工艺后形成的光刻到刻蚀之间的差值确定。3.根据权利要求1所述的多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，其特征在于，S3为分别环绕第一掩模版目标层和第二掩模版目标层而添加第一掩模版环状SRAF和第二掩模版环状SRAF。4.根据权利要求3所述的多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，其特征在于，第一掩模版环状SRAF与第一掩模版目标层的形状相同；第二掩模版环状SRAF与第二掩模版目标层的形状相同。5.根据权利要求4所述的多重图形亚分辨率辅助图形添加方法，其特征在于，第一掩模版环状SR...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：