一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法技术

本发明专利技术提供一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法，采用螺旋测微器测量4个硅片安装孔边缘同一相对位置的厚度，记录为研磨载体厚度值，并记录标记最薄的地方；将研磨载体厚度值最薄的地方放置到靠近中心齿轮一侧；选择载体顺时针自转的程序进行修正；将修正后的研磨载体重复测量研磨载体厚度值，直到所有测得的研磨载体厚度值波动范围在

【技术实现步骤摘要】
一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法


[0001]本专利技术涉及硅片研磨领域，具体涉及一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法。

技术介绍

[0002]当前研磨载体的测量是用螺旋测微器进行边缘的测量，因为研磨载体比较软，测量时测量边缘，虽然可以大致得到载体的厚度，但是不能确认到载体整体的一个厚度分布情况，在后续的硅片磨片过程中，会对研磨时硅片的厚度及TTV(硅片最大厚度与最小厚度之差)产生影响，由于研磨时研磨载体有正转和反转两种模式，所以研磨载体在使用的过程中会出现磨损量不一的现象，所以知晓载体的一个整体厚度分布情况，再选择与之对应的研磨程序，可以充分的保证研磨后硅片的质量。
[0003]载体的运行原理如图1、2所示(两种模式下载体自转的方向不一样)：研磨载体1(研磨载体上的4个孔为硅片安装孔，内部安装待研磨硅片)的自转方向C方向有顺时针和逆时针之分，主要是靠着内齿圈的角速度A和中心齿轮的角速度B的差值进行控制载体自转的方向，当角速度A大于B时，载体的自转为逆时针方向，反之当角速度A小于B时，载体的自转为顺时针方向，载体方向不同，在载体运动过程中，由于相对速度的差异会造成载体在逆时针自传时载体靠近中心齿轮的部分磨损较大，反之则靠近内齿圈的部分磨损较大。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种检测研磨载体厚度及保证研磨载体厚度均匀的方法，根据载体的运转过程，采用对称测试的方法进行测量，可以得出载体的整体分布情况，在使用时进行修正，可以保证硅片厚度波动范围在
±
3μm以内，TTV≤1μm。
[0005]本专利技术的技术方案是：一种检测研磨载体厚度的方法，研磨载体上均匀设置有多个硅片安装孔，采用螺旋测微器测量多个硅片安装孔边缘同一相对位置的厚度，记录为研磨载体厚度值。
[0006]进一步的，所述同一相对位置设置于硅片安装孔边缘与研磨载体外边缘最接近的点与点之间的位置。
[0007]进一步的，所述研磨载体上均匀设置有4个硅片安装孔。
[0008]本专利技术还提供一种保证研磨载体厚度均匀的方法，具体步骤如下：
[0009]步骤一、采用权利要求1-3任一所述的检测研磨载体厚度的方法测量得到研磨载体厚度值，并记录标记最薄的地方；
[0010]步骤二、将研磨载体厚度值最薄的地方放置到靠近中心齿轮一侧；
[0011]步骤三、选择载体顺时针自转的程序进行修正；
[0012]步骤四、将修正后的研磨载体重复步骤一，直到所有测得的研磨载体厚度值波动范围在
±
3μm以内。
[0013]进一步的，步骤三中，选择载体顺时针自转的程序进行修正5～10分钟。
[0014]进一步的，步骤五，在修正后厚度均匀的研磨载体内安装硅片，加工研磨硅片。
[0015]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过对载体的运作的原理的理解，可以在测量时先用螺旋测微器测量研磨载体四个硅片安装孔的孔边缘同一相对位置的厚度，找到最薄的一侧，然后做上标记，在放入5个载体时统一最薄的一侧都靠近中心齿轮，选择载体顺时针自转的程序进行修正载体5～10分钟，然后再进行测量保证载体厚度均匀后进行加工产品，保证产品质量。采用上述对称测试的方法进行测量，可以得出载体的整体分布情况，在使用时进行修正，可以保证硅片厚度波动范围在
±
3μm以内，TTV≤1μm。
附图说明
[0016]图1为角速度A大于B时，载体的自转为逆时针方向；
[0017]图2为角速度A小于B时，载体的自转为顺时针方向；
[0018]图3为研磨载体安装示意图。
[0019]图中：1为研磨载体，2为研磨载体测量点，3为内齿圈，4为硅片。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。
[0021]如图3所示，研磨盘的内齿圈3内部放置有5个研磨载体1，每个研磨载体1上均匀设置有4个硅片安装孔。
[0022]本专利技术提供一种保证研磨载体厚度均匀的方法，具体步骤如下：
[0023]步骤一、采用螺旋测微器测量4个硅片安装孔边缘同一相对位置的厚度，记录为研磨载体厚度值，并记录标记最薄的地方；本实施例中所述同一相对位置即测量点2设置于硅片安装孔边缘与研磨载体外边缘最接近的点与点之间的位置。
[0024]步骤二、将研磨载体厚度值最薄的地方放置到靠近中心齿轮一侧。
[0025]步骤三、选择载体顺时针自转的程序进行修正5～10分钟。
[0026]步骤四、将修正后的研磨载体重复步骤一，直到所有测得的研磨载体厚度值波动范围在
±
3μm以内。
[0027]步骤五，在修正后厚度均匀的研磨载体内安装硅片4，加工研磨硅片。
[0028]本专利技术通过对载体的运作的原理的理解，可以在测量时先用螺旋测微器测量研磨载体四个硅片安装孔的孔边缘同一相对位置的厚度，找到最薄的一侧，然后做上标记，在放入5个载体时统一最薄的一侧都靠近中心齿轮，选择载体顺时针自转的程序进行修正载体5～10分钟，然后再进行测量保证载体厚度均匀后进行加工产品，保证产品质量。采用上述对称测试的方法进行测量，可以得出载体的整体分布情况，在使用时进行修正，可以保证硅片厚度波动范围在
±
3μm以内，TTV≤1μm。
[0029]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测研磨载体厚度的方法，其特征在于：研磨载体上均匀设置有多个硅片安装孔，采用螺旋测微器测量多个硅片安装孔边缘同一相对位置的厚度，记录为研磨载体厚度值。2.根据权利要求1所述的一种检测研磨载体厚度的方法，其特征在于：所述同一相对位置设置于硅片安装孔边缘与研磨载体外边缘最接近的点与点之间的位置。3.根据权利要求1所述的一种检测研磨载体厚度的方法，其特征在于：所述研磨载体上均匀设置有4个硅片安装孔。4.一种保证研磨载体厚度均匀的方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一、采用权利要求1-3任一所述的检测研磨载体厚度的方法测...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，贺贤汉，王琪琳，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：