投影光学系统以及具备该投影光学系统的曝光装置制造方法及图纸

一种投影光学系统，配有六个反射镜，用于在第二面上形成第一面的缩小像，其特征为：　　　　配备第一反射成像光学系统，用以形成该第一面的中间像，及第二反射成像光学系统用以在该第二面上形成该中间像的像；且　　　　该第一反射成像光学系统，依据该第一面来的光的入射顺序，配有第一反射镜（Ｍ１）、开口光圈（ＡＳ）、第二反射镜（Ｍ２）、第三反射镜（Ｍ３）、及第四反射镜（Ｍ４）；且　　　　该第二反射成像光学系统，依据该第一面来的光的入射顺序，配有第五反射镜（Ｍ５）及第六反射镜（Ｍ６）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为关于投影光学系统以及具备该投影光学统的曝光装置。例如利用X光以镜投影(mirror projection)方式，将罩幕上的电路图案，复制到感旋旋光性基板上的X光投影曝光装置，所适合的反射型投影光学系统。
技术介绍
从前，在半导体组件等的制造中使用的曝光装置，是将罩幕(光栅标线片，reticule)上形成的电路图案，透过投影光学系统投影复制到如晶片等的感旋旋光性基板上，在感旋旋光性基板涂布着光阻剂，受到透过投影光学系统的投影曝光，光阻剂被感光，形成对应罩幕图案的光阻图案。此处，曝光装置的分辨率W，与曝光的波长λ及投影光学系统的数值孔径NA(numerical aperture)关系以下式表示。W＝k·λ/NA(k常数) (a)因此，要提高曝光装置的分辨率，必需要缩短曝光的波长λ，或增加投影光学系统的数值孔径NA。一般由光学设计的观点，投影光学系统的数值孔径NA，要大于某所定数以上有困难，故只能就曝光波长的缩短化进行改善。例如，曝光使用波长248nm的KrF准分子激光(excimer laser)可得到0.25μm的分辨率；使用波长193nm的ArF准分子激光，可得到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥友刀，
申请(专利权)人：尼康株式会社，
类型：发明
国别省市：