一种超小角中子散射谱仪屏蔽体制造技术

一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，本申请超小角中子散射谱仪屏蔽体为组合结构式超小角中子散射谱仪导管屏蔽体。其主要安装于超小角中子散射谱仪中子导管外侧，对从中子导管内逃逸出来的中子进行吸收屏蔽，其屏蔽体可根据中子导管长度进行组合调整搭接，满足不同长度下中子导管的屏蔽防护需求。装置主要包括支撑横梁、防护导管、凹形屏蔽块、不锈钢支架，支撑横梁、防护导管和凹形屏蔽块为定长制作，其两端设计防中子沿缝隙逃逸的搭接接口，组合实现对中子的多层屏蔽防护，通过其组合安装到中子导管外侧，对中子进行吸收屏蔽，让超小角中子能更好服务我们，而避免研究使用人员和环境受到中子的损害，确保我们的健康。确保我们的健康。确保我们的健康。

【技术实现步骤摘要】
一种超小角中子散射谱仪屏蔽体


[0001]本专利技术涉中子屏蔽
，特别是涉及到一种超小角中子散射谱仪屏蔽体。

技术介绍

[0002]超小角中子散射谱仪的专利技术，让我们可探测物质内部微米级的结构信息，可以全面测量材料内部纳米至微米尺度范围的微观结构。结合原位环境加载，让其可研究工程部件在服役条件下材料内部微结构的演变过程与规律。这些信息是开发新型工程材料、提高其服役性能与可靠性的基本科学依据。超小角中子散射谱仪在材料科学基础研究方面是有力的表征技术手段之一，又是在工程材料应用领域必要的诊断工具。但超小角中子本身呈电中性，与原子核直接发生作用，不予物质核外的电子发生作用，具备很强的穿透能力对人体和环境的危害严重，为让超小角中子能更好服务我们，需要对其进行有效的屏蔽，为此我们需要对超小角中子散射谱仪内产生的中子进行方便快捷的屏蔽处理制定合理的方案减小屏蔽的经济成本、体积和重量。

技术实现思路

[0003]为了解决上述存在问题。本专利技术提供一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，在其产生超小角中子输送导管的外侧安装设计一种可快速组合调整的屏蔽设体，将逃逸出输送导管的超小角中子进行屏蔽吸收，保护研究使用人员不受超小角中子的危害。
[0004]本专利技术提供一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，包括不锈钢支架、支撑横梁、防护导管对接口、防护导管、凹形屏蔽体、凹形屏蔽体固定连接架和凹形屏蔽体搭接槽；所述超小角中子散射谱仪屏蔽体为组合式结构体，上部为带内部通道的屏蔽体，所述屏蔽体内上端为防护导管，所述防护导管端头设置有防护导管对接口，所述防护导管下部为支撑横梁，所述支撑横梁底部有凹形屏蔽体固定连接架，所述防护导管外侧安装凹形屏蔽体，凹形屏蔽体两端设置凹形屏蔽体接槽；所述组合体下部为不锈钢支架，所述不锈钢支架底端设置有安装底座，顶端设置有安装托槽，所述支撑横梁安装在不锈钢支架顶端的托槽内。
[0005]作为本专利技术进一步改进，支撑横梁采用铅硼聚乙烯材料制作，屏蔽中子效果好，支撑横梁两端设置凹形屏蔽体固定连接架，采用错位搭接设计，避免中子在搭接处泄漏。
[0006]作为本专利技术进一步改进，所述防护导管采用紫铜制作，防护导管两端设置的防护导管对接口采用大小头设计，搭接长度大于防护导管的壁厚，内部可通过超小角散射谱仪导管。
[0007]作为本专利技术进一步改进，所述凹形屏蔽块采用铅硼聚乙烯材料制作，两端设置凹形屏蔽体搭接槽采用凹凸咬合搭接，搭接时错开防护导管搭接口和支撑凹形屏蔽体固定连接架。
[0008]作为本专利技术进一步改进，所述屏蔽体为组合结构体，可根据实际需要组合满足屏蔽超小角中子散射谱仪不同长度的导管。
[0009]本专利技术提供一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，具体设计如下：
1）本申请设计的超小角中子散射谱仪屏蔽体采用组合式设计，上部设计为内部上端为防护导管下端为支撑横梁，外部安装凹形屏蔽块的定长体，在屏蔽体的下部安装不锈钢支架，不锈钢支架为底端安装底座，顶端设计托槽，屏蔽体设计为组合结构体，可根据实际需要组合满足屏蔽超小角中子散射谱仪不同长度的导管。
[0010]2）本申请设计的超小角中子散射谱仪屏蔽体，支撑横梁和凹形屏蔽体采用硼聚乙烯材料制作，防护导管采用紫铜制作。
[0011]3）本申请设计的超小角中子散射谱仪屏蔽体，支撑横梁两端设置凹形屏蔽体固定连接架，采用错位搭设计；防护导管两端设置的防护导管对接口采用大小头设计，搭接长度大于防护导管的壁厚；两端设置凹形屏蔽体搭接槽采用凹凸咬合搭接，搭接时错开防护导管搭接口和支撑凹形屏蔽体固定连接架。
附图说明
[0012]图1本专利技术整体装置结构示意图；图示说明：1、不锈钢支架；2、支撑横梁；3、防护导管对接口；4、防护导管；5、凹形屏蔽体；6、凹形屏蔽体固定连接架；7、凹形屏蔽体搭接槽。
具体实施方式
[0013]下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述：本专利技术提供一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，在其产生超小角中子输送导管的外侧安装设计一种可快速组合调整的屏蔽设体，将逃逸出输送导管的超小角中子进行屏蔽吸收，保护研究使用人员不受超小角中子的危害。
[0014]作为专利技术的一种实施例，本专利技术提供一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，包括不锈钢支架1、支撑横梁2、防护导管对接口3、防护导管4、凹形屏蔽体5、凹形屏蔽体固定连接架6和凹形屏蔽体搭接槽7；其特征在于：所述超小角中子散射谱仪屏蔽体为组合式结构体，上部为带内部通道的屏蔽体，所述屏蔽体内上端为防护导管4，防护导管4采用紫铜制作，所述防护导管4两端头设置有防护导管对接口3，防护导管对接口3采用大小头设计，搭接长度大于防护导管的壁厚，内部可通过超小角散射谱仪导管。所述防护导管4下部为支撑横梁2，支撑横梁2采用铅硼聚乙烯材料制作，所述支撑横梁2下方设置有凹形屏蔽体固定连接架6，凹形屏蔽体固定连接架6采用错位搭接设计，避免中子在搭接处泄漏。所述防护导管4外侧安装凹形屏蔽体5，凹形屏蔽块5采用铅硼聚乙烯材料制作，凹形屏蔽体5两端设置凹形屏蔽体接槽7，两端凹形屏蔽体搭接槽采用凹凸咬合搭接；所述组合体下部为不锈钢支架1，所述不锈钢支架1底端设置有安装底座，顶端设置有安装托槽，所述支撑横梁2安装在不锈钢支架1顶端的托槽内。
[0015]作为专利技术的一种具体实施例，本专利技术提供如图1所示的一种超小角中子散射谱仪屏蔽体示意图，所示屏蔽体由组合式结构体组成，上部为导管屏蔽体，下部为不锈钢支架，所示导管屏蔽体外部为凹形屏蔽块5，凹形屏蔽块5采用铅硼聚乙烯材料制作，内部上端为防护导管4，防护导管4采用紫铜制作，防护导管4下端为支撑横梁2，支撑横梁2采用铅硼聚乙烯材料制作而成，所示，凹形屏蔽体5两端设置凹形屏蔽体接槽7，两端凹形屏蔽体搭接槽
7采用凹凸咬合搭接,；所示防护导管4两端头设置有防护导管对接口3，防护导管对接口3采用大小头搭接设计，搭接长度大于防护导管的壁厚；所示支撑横梁2下方设置有凹形屏蔽体固定连接架6，凹形屏蔽体固定连接架6采用错位搭接设计，设计搭接为避免中子在搭接处泄漏而设计，各屏蔽节搭接时错开其他屏蔽块搭接处。所示屏蔽体下部为不锈钢支架1，不锈钢支架1底端设置有安装底座，顶端设置有安装托槽，所示支撑横梁2安装在不锈钢支架1顶端的托槽内,。所示屏蔽体为组合结构体，可根据实际需要组合满足屏蔽超小角中子散射谱仪不同长度的导管。
[0016]以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非是对本专利技术作任何其他形式的限制，而依据本专利技术的技术实质所作的任何修改或等同变化，仍属于本专利技术所要求保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超小角中子散射谱仪屏蔽体，包括不锈钢支架（1）、支撑横梁（2）、防护导管对接口（3）、防护导管（4）、凹形屏蔽体（5）、凹形屏蔽体固定连接架（6）和凹形屏蔽体搭接槽（7）；其特征在于：所述超小角中子散射谱仪屏蔽体为组合式结构体，上部为带内部通道的屏蔽体，所述屏蔽体内上端为防护导管（4），所述防护导管（4）端头设置有防护导管对接口（3），所述防护导管（4）下部为支撑横梁（2），所述支撑横梁（2）底部有凹形屏蔽体固定连接架（6），所述防护导管外侧安装凹形屏蔽体（5），凹形屏蔽体（5）两端设置凹形屏蔽体接槽（7）；所述组合体下部为不锈钢支架（1），所述不锈钢支架（1）底端设置有安装底座，顶端设置有安装托槽，所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴傲立，冯丽华，王东，王金艳，
申请(专利权)人：江苏中海华核环保有限公司，
类型：发明
国别省市：