用于微电子基底的清洁组合物制造技术

技术编号:2747920 阅读:137 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
适用于清洁具有二氧化硅、低κ或高κ电介质和铜或铝金属化的微电子结构的清洁组合物包含强碱和选自酰胺、砜、环丁烯砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于从微电子基底清洁光致抗蚀剂和残留物的不含硅酸盐的清洁组合物,所述清洁组合物包含:    选自酰胺、砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂;和    强碱;    和任选的一种或多种以下组分:    酸、腐蚀抑制共溶剂、螯合剂或金属络合剂、氧化剂稳定剂、腐蚀抑制剂、金属腐蚀抑制剂、氟化物、表面活性剂和水。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:许建斌
申请(专利权)人:马林克罗特贝克公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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