本发明专利技术属于气相沉积技术领域，尤其是一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，针对现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置存在着无法让两种反应气体进行充分的反应，也就是不能让两种气体在反应筒内部进行充分的接触，从而导致材料的生产质量较差的问题，现提出以下方案，包括工作台，所述工作台的顶部外壁通过螺栓固定有安装板，所述安装板一侧外壁的顶部外壁与底部分别开有第一固定孔和第二固定孔。本发明专利技术减压箱通过散气板和散气管可以在减压箱内部形成快速流动的气流，此时气流的附近会形成一个低压区域，因此反应中的两种气体会朝着低压区域的衬底架附近移动，进而可以增强气体的沉积能力。而可以增强气体的沉积能力。而可以增强气体的沉积能力。
【技术实现步骤摘要】
一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置
[0001]本专利技术涉及气相沉积
，尤其涉及一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置。
技术介绍
[0002]化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
[0003]现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置还存在有以下不足之处：虽然目前的气相沉积技术已经是比较完善了，但是还是存在着无法让两种反应气体进行充分的反应，也就是不能让两种气体在反应筒内部进行充分的接触，从而导致材料的生产质量较差。
技术实现思路
[0004]基于
技术介绍
中提出的技术问题，本专利技术提出了一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置。
[0005]本专利技术提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，包括工作台，所述工作台的顶部外壁通过螺栓固定有安装板，所述安装板一侧外壁的顶部外壁与底部分别开有第一固定孔和第二固定孔，且第一固定孔的内壁插接有第一进气管，所述第二固定孔的内壁插接有第二进气管，所述安装板一侧外壁通过螺栓固定有反应筒，所述反应筒的内壁通过螺栓固定有安装环，所述安装环的内壁通过螺栓固定有等距离分布的固定杆，所述固定杆的一端通过螺栓固定有连接板，所述连接板的一侧外壁通过轴承连接有转杆，所述转杆的外壁分别通过螺栓固定有等距离分布的加速板和煽动板，所述反应筒的内壁通过螺栓固定有衬底架，所述衬底架的顶部外壁开有等距离分布的通风孔，且反应筒的外壁通过固定有减压箱，所述减压箱的一侧外壁通过螺栓固定有吸气泵，所述吸气泵的输入端套接有吸气斗，所述减压箱的一侧内壁通过螺栓固定有散气板，所述散气板的一侧外壁开有等距离分布的插接孔，所述插接孔的内壁插接有等距离分布的散气管，所述散气管和通风孔配合使用。
[0006]优选地，所述衬底架的顶部外壁通过螺栓固定有等距离分布的衬底，且衬底和煽动板配合使用。
[0007]优选地，所述反应筒的顶部外壁通过螺栓固定有加热箱，且加热箱的底部外壁与反应筒的内部相通，减压箱的一侧外壁通过螺栓固定有出气板。
[0008]优选地，所述反应筒的底部外壁开有安装孔，且安装孔的内壁通过螺栓固定有连接管，连接管的一端通过螺栓固定有回收箱。
[0009]优选地，所述回收箱的一边外壁开有滑槽，且滑槽的内壁通过螺栓固定有滑轨，滑轨的内壁滑动连接有回收抽屉。
[0010]优选地，所述反应筒外壁的两侧均通过螺栓固定有固定环，且固定环的外壁通过螺栓固定有安装杆，安装杆的一端通过螺栓固定于工作台的顶部外壁。
[0011]优选地，所述加速板的形状设置为S形，且加速板可以对气体形成漩涡加速效果。
[0012]优选地，所述反应筒的一侧外壁通过螺栓固定有过滤箱，且过滤箱的顶部外壁开有等距离分布的排气孔，排气孔的内壁插接有排气筒。
[0013]本专利技术中的有益效果为：
[0014]1、该有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，通过设置有第一进气管、第二进气管、转杆、煽动板、减压箱、衬底架、通风孔、吸气泵、散气板和散气管，通过第一进气管和第二进气管将两种气体分别输入到反应筒中，第一进气管进入的气体可以驱动煽动板进行转动，第二进气管进入到气体会沉积在衬底架的顶部附近，此时煽动板转动的同时可以将煽动板附近的另一种气体煽动到衬底架的顶部，同时还可以加速两种气体的混合速度，加快两种气体之间的反应，吸气泵将空气吸入到减压箱中，减压箱通过散气板和散气管可以在减压箱内部形成快速流动的气流，此时气流的附近会形成一个低压区域，因此反应中的两种气体会朝着低压区域的衬底架附近移动，进而可以增强气体的沉积能力，结构合理，实用性较强。
[0015]2、该有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，通过设置有加速板和加热箱，通过加热箱可以对反应筒顶部内壁附近的空气进行加热，加热后反应筒的顶部内壁附近的空气会进行膨胀，从而可以将第一进气管进入的气体推到衬底架附近，另外温度的提升有助于气体之间的反应，提升了气体的沉积效果，通过转杆带动加速板转动可以将反应筒中反应后的废气排到装置以外，将加速板设置成S形可以加速气体的流动。
[0016]3、该有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，通过设置有连接管、回收箱和回收抽屉，当第一进气管的气体和第二进气管中的气体混合反应时，总是会有一部分反应不够完全或者是会有一部分液体杂质的产生，此时废液可以通过连接管进入到回收箱中，人们可以通过回收抽屉对废液进行集中处理。
[0017]4、该有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，通过设置有过滤箱和排气筒，通过在反应筒的出气处设置过滤箱可以对装置排除的废气进行过滤，过滤后的废气再通过排气筒进行排放，体现了装置的绿色环保理念。
[0018]该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
附图说明
[0019]图1为本专利技术实施例1提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的整体结构示意图；
[0020]图2为本专利技术提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的衬底架立体结构图；
[0021]图3为本专利技术提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的减压箱剖视图；
[0022]图4为本专利技术提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的加速板立
体结构图；
[0023]图5为本专利技术实施例2提出的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的立体结构图。
[0024]图中：1安装板、2第一进气管、3第二进气管、4吸气泵、5工作台、6固定环、7反应筒、8加热箱、9减压箱、10衬底架、11回收箱、12回收抽屉、13出气板、14衬底、15通风孔、16安装环、17连接板、18煽动板、19转杆、20加速板、21安装杆、22排气筒、23过滤箱、24散气板、25散气管、26连接管。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0026]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]实施例1
[0028]参照图1-4，一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，包括工作台5，工作台5的顶部外壁通过螺栓固定有安装板1，安装板本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，包括工作台(5)，其特征在于，所述工作台(5)的顶部外壁通过螺栓固定有安装板(1)，所述安装板(1)一侧外壁的顶部外壁与底部分别开有第一固定孔和第二固定孔，且第一固定孔的内壁插接有第一进气管(2)，所述第二固定孔的内壁插接有第二进气管(3)，所述安装板(1)一侧外壁通过螺栓固定有反应筒(7)，所述反应筒(7)的内壁通过螺栓固定有安装环(16)，所述安装环(16)的内壁通过螺栓固定有等距离分布的固定杆，所述固定杆的一端通过螺栓固定有连接板(17)，所述连接板(17)的一侧外壁通过轴承连接有转杆(19)，所述转杆(19)的外壁分别通过螺栓固定有等距离分布的加速板(20)和煽动板(18)，所述反应筒(7)的内壁通过螺栓固定有衬底架(10)，所述衬底架(10)的顶部外壁开有等距离分布的通风孔(15)，且反应筒(7)的外壁通过固定有减压箱(9)，所述减压箱(9)的一侧外壁通过螺栓固定有吸气泵(4)，所述吸气泵(4)的输入端套接有吸气斗，所述减压箱(9)的一侧内壁通过螺栓固定有散气板(24)，所述散气板(24)的一侧外壁开有等距离分布的插接孔，所述插接孔的内壁插接有等距离分布的散气管(25)，所述散气管(25)和通风孔(15)配合使用。2.根据权利要求1所述的一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，其特征在于，所述衬底架(10)的顶部外壁通过螺栓固定有等距离分布的衬底(14)，且衬底(14)和煽动板(18)配合使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎志欣，徐永胜，王爽，李欢，李阳，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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