【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅生长炉结构技术，具体涉及一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构。
技术介绍
1、单晶体是指样品中所含分子(原子或离子)在三维空间中呈规则、周期排列的一种固体状态。化学药物中的原料药(一般由单一成分组成)在合适的溶剂系统中经重结晶可得到适合x射线衍射使用的单晶样品，其大小约为0.5mm左右，单晶体是半导体科学技术上的重要材料；
2、以碳化硅为例，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅(含sic约85％)是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
3、密封下的长晶炉采用自动控制系统可控制感应线圈超慢速升降和快速升降切换，超慢速升降可实现晶体近匀速生长，快速升降可实现不同工艺条件下线圈的快速定位，如若密封不好会...
【技术保护点】
1.一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，包括炉底盘(1)和提升支架(5)，所述炉底盘(1)位于提升支架(5)的上方，提升支架(5)设置有直线轴承(3)，所述直线轴承的内部设置有销轴(4)，所述销轴(4)与炉底盘(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述炉底盘(1)和提升支架(5)之间设置有缓冲组件，所述缓冲组件位于销轴(4)的外部。
3.根据权利要求2所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述缓冲组件为弹簧(2)。
4.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水...
【技术特征摘要】
1.一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，包括炉底盘(1)和提升支架(5)，所述炉底盘(1)位于提升支架(5)的上方，提升支架(5)设置有直线轴承(3)，所述直线轴承的内部设置有销轴(4)，所述销轴(4)与炉底盘(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述炉底盘(1)和提升支架(5)之间设置有缓冲组件，所述缓冲组件位于销轴(4)的外部。
3.根据权利要求2所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，胡动力，刘陈亚，张瑶勇，马文龙，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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