【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅生长炉结构技术，具体涉及一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构。
技术介绍
1、单晶体是指样品中所含分子(原子或离子)在三维空间中呈规则、周期排列的一种固体状态。化学药物中的原料药(一般由单一成分组成)在合适的溶剂系统中经重结晶可得到适合x射线衍射使用的单晶样品，其大小约为0.5mm左右，单晶体是半导体科学技术上的重要材料；
2、以碳化硅为例，碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅(含sic约85％)是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
3、密封下的长晶炉采用自动控制系统可控制感应线圈超慢速升降和快速升降切换，超慢速升降可实现晶体近匀速生长，快速升降可实现不同工艺条件下线圈的快速定位，如若密封不好会导致拉晶生长缓慢，且质量不好，因此亟需一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构来解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，以解决现有技术中的上述不足之处。
2、为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，包括炉底盘和提升支架，所述炉底盘位于提升支架
4、进一步的，所述炉底盘和提升支架之间设置有缓冲组件，所述缓冲组件位于销轴的外部。
5、进一步的，所述缓冲组件为弹簧。
6、进一步的，所述直线轴承的数量为若干个，若干个所述直线轴承均匀分布在提升支架的一侧。
7、进一步的，所述销轴的数量与直线轴承的数量一一对应。
8、进一步的，若干个所述直线轴承平行分布在提升支架的一侧。
9、在上述技术方案中，本技术提供的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，(1)通过设置的找正导向机构，可以有效的将炉底盘的位置进行校正，能够很好的防止错位导致，降低炉底盘密封不够密实导致拉晶失败和质量不好的情况。
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1.一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，包括炉底盘(1)和提升支架(5)，所述炉底盘(1)位于提升支架(5)的上方，提升支架(5)设置有直线轴承(3)，所述直线轴承的内部设置有销轴(4)，所述销轴(4)与炉底盘(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述炉底盘(1)和提升支架(5)之间设置有缓冲组件，所述缓冲组件位于销轴(4)的外部。
3.根据权利要求2所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述缓冲组件为弹簧(2)。
4.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述直线轴承(3)的数量为若干个，若干个所述直线轴承均匀分布在提升支架(5)的一侧。
5.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述销轴(4)的数量与直线轴承(3)的数量一一对应。
6.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，若干个所述直线轴承(3)平行分布在提升支架(5)的一侧。
【技术特征摘要】
1.一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，包括炉底盘(1)和提升支架(5)，所述炉底盘(1)位于提升支架(5)的上方，提升支架(5)设置有直线轴承(3)，所述直线轴承的内部设置有销轴(4)，所述销轴(4)与炉底盘(1)连接。
2.根据权利要求1所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特征在于，所述炉底盘(1)和提升支架(5)之间设置有缓冲组件，所述缓冲组件位于销轴(4)的外部。
3.根据权利要求2所述的一种长晶炉炉底盘水平找正及导向机构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李扬，胡动力，刘陈亚，张瑶勇，马文龙，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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