【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超导材料领域，具体涉及一种常规超导体材料w3p单晶及其高温高压的制备方法。
技术介绍
1、高压通过改变原子间的距离、键长和键角进而影响材料特性，其作为一种重要的调控手段已经被广泛应用于超导材料领域的研究。通过高压提升材料的超导性能使这一技术成为超导研究中最重要的方法之一。同时，高压也是重要的材料制备方法，与常规的一些合成手段相比，其具有确保化学计量比、极大加快反应速率等独特的优势，并可以与温度、化学组分共同影响材料的合成。因此利用高温高压的实验条件，我们能合成很多常压下难以制备的新型材料。超导研究最终的目标是寻找常温超导体，因此，寻找更多尚未被发现的超导材料和提升材料的超导性能皆是超导研究中最为重要的研究工作之一。目前在超导领域，非常规超导还没有一个非常明确的超导机制，很多人把目光都聚焦在常规超导体上，很多研究都是基于现有超导材料调控其化学组分或者引入高压手段从而提升其超导转变温度。我们的工作则是通过高温高压的合成方法直接合成常压很难获得的超导材料单晶，其次通过调控温压条件改变材料的晶体结构从而提高材料的超导性能。
...【技术保护点】
1.一种常规超导体材料磷化钨(W3P)单晶，其特征在于：具有比常压获得的W3P的超导转变温度高的性质，且结构多样，其中，所有的单晶结构数据均来源于BRUKER D8 VENTURE型号的X射线单晶衍射仪。
2.根据权利要求1所述的超导材料W3P的单晶，其中，所述W3P单晶的第一种结构的空间群为I-42m，晶格常数其超导转变温度为5.7K。
3.根据权利要求1所述的超导材料W3P的单晶，其中，所述W3P单晶的第二种结构的空间群为I-42m，晶格常数其超导转变温度为5.9K。
4.根据权利要求1所述的超导材料W3P的单晶，其中，所述W3...
【技术特征摘要】
1.一种常规超导体材料磷化钨(w3p)单晶，其特征在于：具有比常压获得的w3p的超导转变温度高的性质，且结构多样，其中，所有的单晶结构数据均来源于bruker d8 venture型号的x射线单晶衍射仪。
2.根据权利要求1所述的超导材料w3p的单晶，其中，所述w3p单晶的第一种结构的空间群为i-42m，晶格常数其超导转变温度为5.7k。
3.根据权利要求1所述的超导材料w3p的单晶，其中，所述w3p单晶的第二种结构的空间群为i-42m，晶格常数其超导转变温度为5.9k。
4.根据权利要求1所述的超导材料w3p的单晶，其中，所述w3p单晶的第三种结构的空间群为i-4，晶格常数其超导转变温度为...
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