掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法技术

本发明专利技术提供一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法，其中，掩膜上的对位标尺，其具有一基准线且包含一测量部与一刻号部。测量部位于基准线的第一侧，且由多个第一测量单元与多个第二测量单元所构成；其中，各第一测量单元与各第二测量单元相邻设置，且第一测量单元的长度大于第二测量单元的长度。刻号部则位于基准线的第二侧，且由一第一刻号单元与多个第二刻号单元所构成；其中，第一刻号单元设置于第二刻号单元之间，且第一刻号单元的长度大于第二刻号单元的长度。本发明专利技术亦揭露一种应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确认 方法。
技术介绍
在现有的液晶显示面板工艺中，通常在单一母板1上会设计有多个工艺 区块以制作为显示基板，如图1所示。不过在制作这些显示基板的流程中(尤 其是曝光工艺)，为避免在制作邻近的待工艺区块ll (尚未进行曝光工艺者)时彼此干扰，甚至是破坏已工艺完毕的已工艺区块12 (已完成曝光工艺者)， 在已知的技术中，曝光装置中通常会在掩膜(图未显示)与母板1之间设置 有至少一个屏蔽件，使母板1在对目标工艺区块lla进行曝光工艺时，可通 过屏蔽件与母板1之间的相对位置，将目标工艺区块lla露出，并有效地屏 蔽母板1上欲保护的工艺区块(包括其他待工艺区块11及已工艺区块12)。 举例来说，请参照图2A至图2C所示，其依序为已知母板在曝光装置中 进行曝光时的屏蔽件与母板之间的相对位置示意图。其中，根据图2A至图 2C所示，曝光装置设置有二相对应的屏蔽件22、 24。首先，在图2A中所示 的结构表示置放母板1于曝光装置中，其中母板1上具有多个己工艺区块12、 多个待工艺区块11及一目标工艺区块lla，此时由于尚未对目标工艺区块lla 进行曝光工艺，因此屏蔽件22、 24仍未移动。接续，当欲对母板l上的目标 工艺区块Ua进行曝光工艺时，则二屏蔽件22、 24分别移动至目标工艺区块 lla的边界，如图2B中所示，以屏蔽邻近于待工艺区块ll周围的己工艺区块 12与待工艺区块11，并在屏蔽件22、 24到达定位后，对此一目标工艺区块lla进行曝光工艺。最后，当此一目标工艺区块lla完成曝光工艺后，则屏蔽 件22、 24分别退回至原位，如图2C所示。不过，在已知技术中，屏蔽件的移动定位多半是以粗略的机械定位方式 以达成，举例来说，可能是通过曝光装置中附加的定位机构以确认屏蔽件的 移动位置(或距离)；更甚者，部分的已知技术中是以目测的方式来确认屏 蔽件的移动位置(或距离)。这些方式在过去母板内工艺区块密度较低的时 候，确实可满足工艺误差的要求，但在降低成本、提高产能的前提下，母板 必须具有较高的工艺区块密集度，也因此相对地使得工艺误差的范围随之縮 小，故如此粗糙的屏蔽件位置确认方式己经无法符合工艺误差的要求。因此，如何提供一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确 认方法，实属重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位 置确认方法，其通过对位标尺的设计并搭配曝光工艺以确认屏蔽件的位置。本专利技术的目的为提供一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位 置确认方法，其利用对位标尺的设计，以增加自动确认屏蔽件位置的精准度。为达上述目的，本专利技术揭露一种掩膜上的对位标尺，其具有一基准线且 包含一测量部与一刻号部。测量部位于基准线的第一侧，且由多个第一测量 单元与多个第二测量单元所构成；其中，各第一测量单元与各第二测量单元 相邻设置，且第一测量单元的长度大于第二测量单元的长度。刻号部则位于 基准线的第二侧，且由一第一刻号单元与多个第二刻号单元所构成；其中， 第一刻号单元设置于第二刻号单元之间，且第一刻号单元的长度大于第二刻 号单元的长度。为达上述目的，本专利技术同时揭露一种应用对位标尺的屏蔽件位置确认方 法包含以下步骤首先，提供一基板于一曝光装置，其中，此基板具有多个6 区块且彼此相邻，曝光装置具有一第一屏蔽件与一第二屏蔽件且彼此相对设 置；接续，提供一掩膜于基板上方，此掩膜具有一对位标尺，其具有一基准 线且包含一测量部与一刻号部，其中，测量部位于基准线的第一侧，且由多 个第一测量单元与多个第二测量单元所构成，各第一测量单元与各第二测量 单元相邻设置，且第一测量单元的长度大于第二测量单元的长度；刻号部则 位于基准线的第二侧，且由一第一刻号单元与多个第二刻号单元所构成，第 一刻号单元设置于第二刻号单元之间，且第一刻号单元的长度大于第二刻号 单元的长度；接续，移动第一屏蔽件与第二屏蔽件并使分别与掩膜的部分重 叠；接续，对基板进行第一次曝光以形成一第一图样于基板，且第一图样包含一第一屏蔽件的边界位置、 一第一图样的基准线及一第一图样的第一刻号单元；接续，完成第一次曝光后退回第一屏蔽件与第二屏蔽件；接续，以形 成于基板上的第一图样为基准，再次提供掩膜于基板上方；接续，移动第一 屏蔽件与第二屏蔽件并使分别与掩膜的部分重叠；接续，对基板进行第二次 曝光；完成第二次曝光后退回第一屏蔽件与第二屏蔽件；接续，显影基板以 获得一图样；最后，根据显影出的图样以判断第一屏蔽件与第二屏蔽件的对 准状态。承上所述，依据本专利技术所揭露的一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺 的屏蔽件位置确认方法，其可将掩膜上的对位标尺利用重复曝光(同时搭配 移动、旋转掩膜)，于是使对位标尺上的的测量部、刻号部与屏蔽件共同在 基板上形成一图样，藉以供自动或人工确认屏蔽件的对准状态。与已知技术 相较，本专利技术提供的一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确 认方法，不但能够符合高集密度基板的工艺误差要求，更因为最终图样相当 地清晰且具体，因此可避免误判而导致工艺良品率降低，并且能够同时应用 在自动化判断与人为判断的确认流程中。附图说明图1为已知用以制作液晶显示面板的母板结构示意图2A至图2C依序为已知母板在曝光装置中进行曝光时的屏蔽件与母板 之间的相对位置示意图3为本专利技术揭露的掩膜上的对位标尺的一实施例；图4为本专利技术所揭露的一种应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法的流程 图；以及图5A至图5K分别为图4中各个步骤所对应的结构示意图。附图标号1:母板11:待工艺区块lla:目标工艺区块12:己工艺区块22、 24:屏蔽件3、 3a、 3b:对位标尺32:基准线34:测量部341:第一测量单元342:第二测量单元36:刻号部361:第一刻号单元362:第二刻号单元381:位置标示符号382:层别标示符号4:基板41a、 41b、 41c:区块52:第一屏蔽件 54:第二屏蔽件 6:掩膜10a、 10b、 10c:第一图样101:第一屏蔽件的边界位置102:第一图样的基准线103:第一图样的第一刻号单20b:未显影图样20b':己显影图样 201:第二屏蔽件的边界位置 LI:第一测量单元的长度 L2:第二测量单元的长度 L3:第一刻号单元的长度 L4:第二刻号单元的长度 X:方向轴 Y:方向轴具体实施例方式以下将参照相关图式，说明本专利技术较佳实施例的一种掩膜上的对位标尺 及应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法。请参照图3所示，其为本专利技术揭露的掩膜上的对位标尺的一实施例。此对位标尺3具有基准线32且包含测量部34与刻号部36，其中，测量部34位 于基准线32的第一侧，刻号部36则是位于基准线32的第二侧，且在本实施 例中基准线32的第一侧与第二侧位于相对应的位置。测量部34由多个第一测量单元341与多个第二测量单元342所构成，而 各第一测量单元341与各第二测量单元342相邻设置，以本实施例为例，第 一测量单元341与第二测量单元342相隔设置并且彼此相连接为一体的结构。值得一提的是，第一测量单元341的长度Ll大于第二测量单元342的长度 L2，且在本实施例中，第一测量单元3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜上的对位标尺，其特征在于，具有一基准线，所述对位标尺包含：　一测量部，位于所述基准线的第一侧，所述测量部由多个第一测量单元与多个第二测量单元构成，各第一测量单元与各第二测量单元相邻设置且所述第一测量单元的长度大于所述第二测量单元的长度；以及　一刻号部，位于所述基准线的第二侧，所述刻号部由一第一刻号单元与多个第二刻号单元构成，所述第一刻号单元设置于所述多个第二刻号单元之间，且所述第一刻号单元的长度大于所述多个第二刻号单元的长度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林丰志，蒋富升，邱鼎玮，黄顺宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]