【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种刻制图案的方法，特别是涉及一种采用高压空气加金刚砂的旋转混合射流，在塑性图案保护层的掩蔽下，对硬质材料进行雕刻图案的方法及其所用的设备。近年来，在印刷、半导体器件的加工处理领域，发展了一种光刻技术，如CN86103644A公布了一种光刻工艺，包括在衬底旋涂保护层，并将掩模图形转移到保护层上而后进行曝光，图形被曝光后在衬底上形成该图形。它在衬底上的图形是通过显影得到的平面图形，这种图形在耐久性、形象的逼真程度以及装饰美感方面，都还存在一些不足。在光刻技术使用的设备方面，CN86107270公开了一种将光掩模敷在基片上的装置，它用辊子把光掩模敷在基片上，用真空限制装置使用在把光掩模敷在基片的过程中限制光掩模，使其保持张力。它将光掩模图象在光敏接收元件上曝光，这种光敏接收元件在印象框或类似装置中与带有图象的光掩模接触，并在特殊光源下曝光，并公开了一种定位装置，然后用橡胶刮刀或硬度为50的辊子在光掩模表面上往返移动，大气压使光掩模和光聚合物表面保持紧密接触，复制出清晰的光掩模图形。按照这种方法和设备，得出的图形是复制图形而不是立体图形，难以达到装饰...
【技术保护点】
一种在硬质材料表面照相砂雕图案的方法，其特征在于：在塑料保护层对不须雕刻部位的掩蔽下，用高压空气加金刚砂的混合射流，对待雕刻表面的待雕刻部位进行喷射雕刻，该法包括：１）用公知方法清洗所说的硬质材料平整的待雕刻图案的表面的清洗工艺；２）由在硬质材料待雕刻图案的表面上设置至少一层不干胶膜，然后在不干胶膜上涂敷塑性光敏胶层，将一其图案与欲雕刻的原著图案相反的掩模底板接触覆盖在塑性光敏胶层上，用紫外光或可见光在掩模底板的掩蔽下，对塑性光敏胶层进行曝光，使已曝光后的塑性光敏胶层显影、清洗，从待雕刻表面去掉未曝光部位即待雕刻部位的塑性光敏胶层，露出覆以不干胶膜的待雕刻部位，留下已曝光部...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁树森，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所职工技术协会，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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