一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用技术

一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法，其具有如下步骤：S1，由烃基三烷氧基硅烷的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，T单位为R1SiO3‑

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用


[0001]本专利技术涉及薄膜开口剂，更具体地涉及一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用。

技术介绍

[0002]薄膜开口剂是少量添加在塑料薄膜中，在膜表面形成凸起使薄膜不易粘接、易剥离的无机粒子，其中最常用的是二氧化硅。开口剂要求不能存在粗大颗粒，因为粗大颗粒会脱落并在薄膜上产生划痕。同时开口剂要求不存在细粉，因为细粉不起开口剂作用，且会影响薄膜的透明性。由于薄膜的膜厚一般在10至50微米，开口剂的平均直径在0.5至5微米。因此，现在的开口剂是平均直径0.5至5微米的粒度分布狭的二氧化硅粒子，最常用的是湿法二氧化硅的造粒品。但现在的开口剂一般为多孔性粒子，会造成薄膜的气体屏障性下降，不适于有气密性要求的薄膜产品。

技术实现思路

[0003]为了解决上述现有技术中的薄膜开口剂为多孔性粒子而不适用于有气密性要求的薄膜的问题，本专利技术提供一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用。
[0004]根据本专利技术提供一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法，其包括如下步骤：S1，由烃基三烷氧基硅烷的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，T单位为R1SiO
3-，R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基；S2，在氧化气体氛围条件下煅烧球形聚硅氧烷，煅烧温度介于450度-1200度之间，得到不含有直径大于10微米的二氧化硅粒子的非多孔性球形二氧化硅开口剂。
[0005]优选地，所述步骤S1包括：将烃基三烷氧基硅烷在酸性条件下加水分解溶于去离子水中，然后在碱性条件下缩合得球形聚硅氧烷。在优选的实施例中，烃基三烷氧基硅烷为甲基三甲氧基硅烷。
[0006]优选地，所述步骤S1具体为：将去离子水加入带有搅拌器的反应釜内，在搅拌的情况下加入烃基三烷氧基硅烷和醋酸，加入氨水搅拌后静置，过滤，干燥得球形聚硅氧烷。
[0007]优选地，去离子水和烃基三烷氧基硅烷的重量比为750-1800：80。
[0008]优选地，氨水为质量百分比5％的稀氨水。
[0009]优选地，去离子水和氨水的重量比为750-1800：25。
[0010]优选地，氧化气体中含有氧气以将聚硅氧烷中的有机物全部氧化。具体地，所述步骤S2包括：将球形聚硅氧烷粉体放入马弗炉中通入干燥空气进行煅烧。
[0011]优选地，煅烧温度介于450度-1100度之间，煅烧时间介于6小时-12小时之间。
[0012]优选地，该球形聚硅氧烷还含有Q单位、D单位、和/或M单位，其中，Q单位＝SiO
4-，D单位＝R2R3SiO
2-，M单位＝R4R5R6SiO
2-，R2，R3，R4，R5，R6分别为氢原子或可独立选择的碳原子
1至18的烃基。
[0013]优选地，该制备方法还包括加入处理剂对球形二氧化硅粉体填料进行表面处理，该处理剂包括硅烷偶联剂和/或二硅氮烷；该硅烷偶联剂为(R7)
a
(R8)
b
Si(M)
4-a-b
，R7，R8为可独立选择的碳原子1至18的烃基、氢原子、或被官能团置换的碳原子1至18的烃基，该官能团选自由以下有机官能团组成的组中的至少一种：乙烯基，烯丙基，苯乙烯基，环氧基，脂肪族氨基，芳香族氨基，甲基丙烯酰氧丙基，丙烯酰氧丙基，脲基丙基，氯丙基，巯基丙基，聚硫化物基，异氰酸酯丙基；M为碳原子1至18的烃氧基或卤素原子，a＝0、1、2或3，b＝0、1、2或3，a+b＝1、2或3；该二硅氮烷为(R9R
10
R
11
)SiNHSi(R
12
R
13
R
14
)，R9，R
10
，R
11
，R
12
，R
13
，R
14
为可独立选择的碳原子1至18的烃基或氢原子。在一个优选的实施例中，该处理剂为乙烯基三甲氧基硅烷。
[0014]本专利技术还提供一种根据上述的制备方法得到的薄膜开口剂，其不含有直径大于10微米的二氧化硅粒子，非多孔性球形二氧化硅开口剂的平均粒径介于0.5微米-5微米之间。更优选地，非多孔性球形二氧化硅开口剂的平均粒径介于0.5微米-4微米之间。
[0015]本专利技术又提供一种上述的薄膜开口剂的应用，上述的非多孔性球形二氧化硅开口剂和有机树脂混合形成母料以适用于薄膜。
[0016]根据本专利技术的非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法，提供的二氧化硅粒子不具有多孔性，不会导致气体屏障性下降，适用于气密性要求的薄膜产品。总之，根据本专利技术的薄膜开口剂具有高薄膜气体屏障性，高透明性和高开口防粘性。
具体实施方式
[0017]下面给出本专利技术的较佳实施例，并予以详细描述。
[0018]以下实施例中涉及的检测方法包括：
[0019]平均粒径用HORIBA的激光粒度分布仪LA-700测定；
[0020]10微米以上二氧化硅粒子的有无用场发射扫描电子显微(FE-SEM)镜直接观测，任意选择10张5千倍照片，以实质上观测不到10微米以上颗粒为不含10微米以上粗大颗粒粒子；
[0021]将对比例的开口剂、W.RGrace公司的Sylobloc45，本专利技术的实施例开口剂按0.1％的添加量添加到聚丙烯原料中混合后吹膜，膜厚20微米。开口性用市贩薄膜开口性测试仪评价。氧气透过性用薄膜试样将低压和高压室隔开，高压室充105Pa的氧气。低压室抽真空，然后测一定时间后的低压室的压力增量。以Sylocloc45为其准测出了实施例的相对氧气透过性，即：相对氧气透过量＝(实施例的压力增量/Sylobloc45的压力增量)
×
100；
[0022]在本文中，“度”指的是“摄氏度”，即℃。
[0023]在本文中，平均粒径指粒子的体积平均直径。
[0024]例1
[0025]室温下取一定重量部的去离子水放入带有搅拌器的反应釜内，开启搅拌，加入80重量部的甲基三甲氧基硅烷和少量醋酸将PH调至5左右。甲基三甲氧基硅烷溶解后加入25重量部5％的氨水搅拌10秒钟后停止搅拌。静止1小时后过滤，干燥后得球形聚硅氧烷。将聚硅氧烷粉体放入马弗炉中通入干燥空气进行煅烧，煅烧时间为12小时。样品的分析结果列入下表1。
[0026]表1
[0027]例2
[0028]将实施例3的球形二氧化硅用乙烯基三甲氧基硅烷处理得实施例5的球形二氧化硅。
[0029]例3
[0030]Sylobloc45和实施例1至5的开口性、相对氧气透过性列于下表2。
[0031]表2样品开口性相对氧气透过量(％)Sylobloc45易揭开100实施例1可揭开78实施例2易揭开82实施例3易揭开85实施例4易揭开86实施例5易揭开80...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法，其特征在于，该制备方法具有如下步骤：S1，由烃基三烷氧基硅烷的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，T单位为R1SiO
3-，R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基；S2，在氧化气体氛围条件下煅烧球形聚硅氧烷，煅烧温度介于450度-1200度之间，得到不含有直径大于10微米的二氧化硅粒子的非多孔性球形二氧化硅开口剂。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：将烃基三烷氧基硅烷在酸性条件下加水分解溶于去离子水中，然后在碱性条件下缩合得球形聚硅氧烷。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：将去离子水加入带有搅拌器的反应釜内，在搅拌的情况下加入烃基三烷氧基硅烷和醋酸，加入氨水搅拌后静置，过滤，干燥得球形聚硅氧烷。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，去离子水和烃基三烷氧基硅烷的重量比为750-1800：80。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，去离子水和氨水的重量比为750-1800：25。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该球形聚硅氧烷还含有Q单位、D单位、和/或M单位，其中，Q单位＝SiO
4-，D单位＝R2R3SiO
2-，M单位＝R4R5R6SiO
2-，R2，R3，R4，R5，R6分别为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的烃基。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法还包括加入处理剂对球形二氧化硅粉体填料进行表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈树真，李锐，唐成，丁烈平，陈晨，
申请(专利权)人：浙江三时纪新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：