一种12英寸硅片包装工艺制造技术

本发明专利技术提供一种12英寸硅片包装工艺，包括S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa

【技术实现步骤摘要】
一种12英寸硅片包装工艺


[0001]本专利技术属于半导体材料制造领域，尤其是涉及一种12英寸硅片包装工艺。

技术介绍

[0002]随着集成电路产业的发展，硅片的尺寸不断增大，硅片产品的成本越来越高，这对硅片的运输和包装要求也越来越高。由于12英寸硅片片盒结构与8英寸及以下尺寸包装片盒结构的不同，且体积更大，以往的包装工艺并不适用于12英寸硅片产品的包装。用8英寸及以下尺寸的包装工艺参数来进行对12英寸硅片的包装，在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的问题是提供一种12英寸硅片包装工艺，有效的解决在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于，包括：S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa-65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；将热封好的所述外包装袋进行冷却；用胶带固定所述外包装袋封口。<br/>[0005]优选地，所述步骤S2中，所述真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，所述真空压强为60kpa。
[0006]优选地，所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封时，设置热封温度为140℃-160℃。
[0007]优选地，所述热封温度为150℃。
[0008]优选地，所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封时，设置热封时间为0.4s-0.6s。
[0009]优选地，所述热封时间为0.5s。
[0010]优选地，所述步骤S4中，所述内包装袋冷却时，设置冷却温度为45℃-55℃。
[0011]优选地，所述冷却时间为50℃。
[0012]优选地，所述步骤S6中，将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封，设置热封温度为140℃-160℃，设置热封时间为0.4s-0.6s；将热封好的所述外包装袋进行冷却，设置冷却温度为45℃-55℃；用胶带固定所述外包装袋封口。
[0013]优选地，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为60kpa；所述外包装袋封口处进行热封，设置热封温度为150℃，设置热封时间为0.5s；将热封好的所述外包装袋进行冷却，设置冷却温度为50℃。
[0014]由于12英寸硅片包装工艺中参数的重新设置，解决了在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高的问题，提高硅片的质量。
附图说明
[0015]图1是本专利技术实施例不同包装工艺条件下硅片表面颗粒增长量示意图
[0016]图2是本专利技术实施例不同包装工艺条件下硅片表面金属含量测试结果示意图
具体实施方式
[0017]下面结合实施例和附图对本专利技术作进一步说明：
[0018]在本专利技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“顶部”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0019]本专利技术一个实施例中，一种12英寸硅片包装工艺，包括，S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa-65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；用胶带固定所述外包装袋封口；将热封好的所述外包装袋进行冷却。
[0020]具体的：
[0021]S1：将12英寸的硅片装入FOSB类片盒中，将内合格证标签贴在片盒上盖，再将FOSB类片盒装入内包装袋中；
[0022]S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，本实施例使用的真空包装装置为CR-600-10D真空包装机，设置真空压强为55kpa-65kpa，优选真空压强为60kpa，如表1不同包装工艺条件下运输破损率所示，表明在真空压强为60kpa时，硅片的运输破损率最低。
[0023]包装工艺/vacuum破损率10Kpa10％25Kpa060Kpa075Kpa20％
[0024]表1不同包装工艺条件下运输破损率
[0025]如图1不同包装工艺条件下硅片表面颗粒增长量示意图所示，在真空压强选用60kpa时，硅片的表面颗粒增长量最小。硅片表面颗粒多会导致硅片良品率降低，硅片性能也会受到一定影响，如果颗粒移动到硅片的敏感位置，会导致整个硅片不能使用。
[0026]如图2不同包装工艺条件下硅片表面金属含量测试结果示意图所示，在真空压强选用60kpa时，硅片表面的金属含量最低。硅片表面金属含量高会污染硅片，直接影响硅片的寿命。因此包装工艺选择合适的参数可以提高硅片的质量及良品率。
[0027]S3：整理内包装袋封口处，将封口处整理平整，再在所述内包装袋封口处进行热封，设置热封温度为140℃-160℃，优选为150℃；热封时间为0.4s-0.6s，优选为0.5s。
[0028]S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却，设置冷却温度为45℃-55℃，优选为50℃。
[0029]S5：用胶带固定所述内包装袋封口。
[0030]S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，重复上述内包装袋的步骤，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa，优选为60kpa；所述外包装袋封口处进行热封，设置热封温度为140℃-160℃，优选为150℃，设置热封时间为0.4s-0.6s，优选为0.5s；将热封好的所述外包装袋进行冷却，设置冷却温度为45℃-55℃，优选为50℃；在与内合格证标签相同的位置贴合外合格证标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于，包括：S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa-65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；将热封好的所述外包装袋进行冷却；用胶带固定所述外包装袋封口。2.根据权利要求1所述的一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于：所述步骤S2中，所述真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，所述真空压强为60kpa。3.根据权利要求1所述的一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于：所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封时，设置热封温度为140℃-160℃。4.根据权利要求3所述的一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于：所述热封温度为150℃。5.根据权利要求1所述的一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于：所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢艳，杨春雪，刘秒，武卫，刘建伟，刘园，孙晨光，王彦君，祝斌，刘姣龙，裴坤羽，常雪岩，袁祥龙，张宏杰，吕莹，徐荣清，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：