一种SE太阳能电池正面开槽结构及SE电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SE太阳能电池正面开槽结构，其包括设于硅片正面的多个主栅掺杂区、多个副栅掺杂区和多个激光MARK点；每个主栅掺杂区内设有1～6条第一线槽；每个副栅掺杂区内设有1～3条第二线槽；所述第一线槽包括多个沿其延伸方向分布的第一孔点，所述第二线槽包括多个沿其延伸方向分布的第二孔点。相应的，本实用新型专利技术还公开了一种SE电池。实施本实用新型专利技术，可扩大重掺杂区域，降低扩散层复合，提升太阳能电池效率。升太阳能电池效率。升太阳能电池效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SE太阳能电池正面开槽结构及SE电池


[0001]本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种SE太阳能电池正面开槽结构及SE电池。

技术介绍

[0002]选择性发射极(Selective Emitter)太阳能电池，即在金属栅线电极与硅片接触部位进行重掺杂，电极之间的位置进行轻掺杂，这种结构可降低扩散层的复合，减少受光面金属电极与硅片的接触电阻，改善电池的短路电流、开路电压和填充因子，从而提高光电转化效率。工业上常采用激光掺杂制备SE结构，即在磷扩散以后采用激光掺杂，将磷原子推进到PN结中，形成N++层。现有的激光掺杂位置均设置在副栅位置，主栅位置不进行激光掺杂。主要是由于主栅区域增加SE激光，会增加对硅片表面的损伤，对开路电压不利，造成效率损失。
[0003]另一方面，在完成激光掺杂后，一般还需要在硅片表面形成激光MARK点，以在后期实现丝网印刷对位。现有的太阳能电池制备过程中，一般在硅片四个角落各设置一个激光MARK点，共计四个激光MARK点。且为了提升印刷精确度，激光MARK点往往需要大量的雕刻工作，形成速度较慢，降低了生产效率。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于，提供一种SE太阳能电池正面开槽结构，其可扩大选择性发射极区域，降低扩散层复合，提升太阳能电池效率。
[0005]本技术还要解决的技术问题在于，提供一种SE电池。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种SE太阳能电池正面开槽结构，其包括设于硅片正面的多个主栅掺杂区、多个副栅掺杂区和多个激光MARK点；
[0007]每个主栅掺杂区内设有1～6条第一线槽；每个副栅掺杂区内设有1～3条第二线槽；
[0008]所述第一线槽包括多个沿其延伸方向分布的第一孔点，所述第二线槽包括多个沿其延伸方向分布的第二孔点。
[0009]作为上述技术方案的改进，所述主栅掺杂区的宽度为0.1～0.7mm，所述第一线槽60～120μm；
[0010]所述第二线槽60～120μm。
[0011]作为上述技术方案的改进，所述第一线槽间距均匀或不均匀地分布在所述主栅掺杂区内；相邻所述第一线槽之间的间距为0.05～0.3mm。
[0012]作为上述技术方案的改进，每个主栅掺杂区内设有2～5条第一线槽；每个副栅掺杂区内设有1条第二线槽。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述第一孔点的直径为60～100μm，相邻所述第一孔点呈相交和/或相切和/或相离关系；
[0014]所述第二孔点的直径为80～120μm，相邻所述第二孔点呈相交和/或相切和/或相离关系。
[0015]作为上述技术方案的改进，所述硅片正面设有3～6个激光MARK点；所述激光MARK点为十字形或方形。
[0016]作为上述技术方案的改进，所述硅片正面设有3个激光MARK点，所述激光MARK点呈三角形分布。
[0017]作为上述技术方案的改进，所述硅片正面设有3个激光MARK点，所述激光MARK点呈直角三角形分布；直角三角形的直角边与所述硅片的边缘平行。
[0018]作为上述技术方案的改进，所述激光MARK点设置于所述主栅掺杂区内。
[0019]相应的，本技术还公开了一种SE电池，其包括上述的SE太阳能电池正面开槽结构。
[0020]实施本技术，具有以下优点：
[0021]1.本技术对于主栅位置和副栅位置均进行了激光重掺杂，增加了激光重掺杂区域，降低了扩散层复合，降低了金属电极与硅片的接触电阻，提升了短波相应，提升了开路电压、短路电流，提升了太阳能电池的效率。
[0022]2.本技术在主栅位置设置1～6条不连续的第一线槽，通过控制第一线槽的数目和间距；降低了主栅激光重掺杂对于硅片的损伤，从而减弱了对太阳能电池开路电压和转化效率的不利影响。
[0023]3.本技术在硅片表面仅设置了三个激光MARK点，缩短了激光MARK点的激光雕刻时间；从而缓解增加主栅激光掺杂工序后所带来的产能损失。
[0024]4.本技术中的激光MARK点呈三角形分布，方便后期丝网印刷中相机对准。本技术中的太阳能电池制备工艺，工艺可行性高，硅片成品率高。
附图说明
[0025]图1是一实施例中SE太阳能电池正面开槽结构示意图；
[0026]图2是图1中A处的局部放大图；
[0027]图3是图1中B处的局部放大图；
[0028]图4是实施例激光MARK点分布示意图。
具体实施方式
[0029]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。仅此声明，本技术在文中出现或即将出现的上、下、左、右、前、后、内、外等方位用词，仅以本技术的附图为基准，其并不是对本技术的具体限定。
[0030]参见图1，本实施例提供一种SE太阳能电池正面开槽结构，其包括硅片1和设于硅片1正面的多个主栅掺杂区2、多个副栅掺杂区3和多个激光MARK点4。其中，主栅掺杂区2后期用于印刷主栅电极，副栅掺杂区3用于印刷副栅电极；主栅掺杂区2和副栅掺杂区3内均设有激光线槽。本技术对主栅位置和副栅位置均进行激光重掺杂，增加了掺杂区域，提升了太阳能电池的转化效率。
[0031]具体的，在本实施例之中，每个主栅掺杂区2内设置1～6条相互平行的第一线槽
21；当单个主栅掺杂区2内第一线槽21的数目＜1条时，重掺杂的作用较差，难以有效提升太阳能电池转化效率；当第一线槽21的数目＞6条时，第一线槽21之间的间距过窄，容易造成硅片隐裂，降低开路电压、转化效率，也会降低太阳能电池生产良品率。优选的，每个主栅掺杂区2内设置2～5条相互平行的第一线槽。示例性地为2条、3条、4条、5条或6条。
[0032]具体的，第一线槽21的宽度为60～120μm，示例性地为60μm、75μm、80μm、90μm、100μm、105μm，但不限于此。相邻第一线槽21之间的间距为0.05～0.3mm，示例性的为0.05mm、0.07mm、0.1mm、0.18mm、0.26mm，但不限于此。第一线槽21的深度为20～100nm，当其深度＞100nm时，容易与背电极连接，导致PN结被击穿，发生电池片失效现象；当其深度＜20nm时，激光重掺杂程度低，难以有效提升电池转换效率。示例性的，第一线槽21的深度为25nm、32nm、45nm、60nm、66nm、95nm，但不限于此。
[0033]具体的，参考图2，第一线槽21由沿线槽延伸方向分布的多个第一孔点22构成。第一孔点22可为圆形、椭圆形、方形、十字形等形状，但不限于此。相邻第一孔点22之间相交或不相交。当第一孔点22为圆形时，相邻第一孔点22还可呈相切关系。当相邻第一孔点22不相交时，孔点之间的距离为0.05～1mm。
[0034]具体的，在本实施例之中，第一孔点22为圆形；相邻第一孔点22呈相离的关系。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SE太阳能电池正面开槽结构，其特征在于，包括设于硅片正面的多个主栅掺杂区、多个副栅掺杂区和多个激光MARK点；每个主栅掺杂区内设有1～6条第一线槽；每个副栅掺杂区内设有1～3条第二线槽；所述第一线槽包括多个沿其延伸方向分布的第一孔点，所述第二线槽包括多个沿其延伸方向分布的第二孔点。2.如权利要求1所述的SE太阳能电池正面开槽结构，其特征在于，所述主栅掺杂区的宽度为0.1～0.7mm，所述第一线槽60～120μm；所述第二线槽60～120μm。3.如权利要求1所述的SE太阳能电池正面开槽结构，其特征在于，所述第一线槽间距均匀或不均匀地分布在所述主栅掺杂区内；相邻所述第一线槽之间的间距为0.05～0.3mm。4.如权利要求1所述的SE太阳能电池正面开槽结构，其特征在于，每个主栅掺杂区内设有2～5条第一线槽；每个副栅掺杂区内设有1条第二线槽。5.如权利要求1所述的SE太阳能电池正面开槽结构，其特征在于，所述第一孔点...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娟，方结彬，杨苏平，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱旭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：