一种基于玻璃基板的混合滤波器结构制造技术

本实用新型专利技术的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，包括一级裸片和堆叠于一级裸片侧面的二级裸片和三级裸片，一级裸片包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔，二级裸片包括表声波滤波器SAW，三级裸片包括体声波滤波器BAW，表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW通过凸点与玻璃半导体器件导通。通过把两个声学滤波器构造成单个滤波器，使得一个表面上的声滤波器在一个频率上提供陡峭的抑制，而另一表面上的声滤波器在不同频率上提供抑制，实现急剧的滤波器滚降和增加带宽，同时以玻璃相比硅基板等材料产品可靠性优异，适合高频应用，实现更优的电性能。电性能。电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于玻璃基板的混合滤波器结构


[0001]本技术属于声学滤波器
，具体来说是一种基于玻璃基板的混合滤波器结构。

技术介绍

[0002]目前随着移动通信的迅速发展,对声滤波器提出了愈来愈高的要求。一方面, 要求滤波器的插入损耗要低,以提高信噪比、降低功耗；另一方面,要求滤波器有较宽的带宽。窄带宽，低插入损耗滤波器比较成熟,但是宽带低插入损耗滤波器设计比较困难。
[0003]以玻璃基板为主体材料，相比硅基板等材料产品可靠性优异，适合高频应用，实现更优的电性能。SAW滤波器由压电材料(piezoelectric substrate)和2 个Interdigital Transducers(IDT)组成，SAW的频率与速率成正比，与IDT电极的间距成反比。当间距越小的时候，电流密度大会产生电迁移和发热等问题， SAW极易受温度变化影响且一般只适用于1.5GHz以下的应用。BAW滤波器(谐振器品质因数Q值高达5000)，具有低插损、高带外抑制、高隔离度和高功率容量(>30dBm)等优良特性。BAW滤波器适用于高频(1.5GHz以上有优势)，且尺寸会随频率升高而缩小，对温度变化不敏感，拥有极低损耗与陡峭的滤波器抑制。由于品质因数Q值越大则滤波器可以实现越窄的通带带宽，实现更好的选择性但也使两者的通带带宽都比较窄。

技术实现思路

[0004]1.技术要解决的技术问题
[0005]本技术的目的在于减轻独立运行的无源(IPD)滤波器和声学滤波器相关的缺点，窄带宽低插入损耗滤波器比较成熟，但是宽带低插入损耗滤波器设计比较困难。
[0006]2.技术方案
[0007]为达到上述目的，本技术提供的技术方案为：
[0008]本技术的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，包括一级裸片和堆叠于所述一级裸片侧面的二级裸片和三级裸片，所述一级裸片包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔，所述二级裸片和三级裸片与所述一级裸片靠近的侧面设有若干个凸点，若干个所述凸点与玻璃半导体器件导通或与玻璃通孔导通，所述二级裸片包括表声波滤波器 SAW，该表声波滤波器SAW为低通滤波器，所述三级裸片包括体声波滤波器，该体声波滤波器BAW为高通滤波器，所述表声波滤波器SAW和体声波滤波器 BAW通过凸点与玻璃半导体器件导通。
[0009]优选的，所述一级裸片的两侧面为侧面一和侧面二，所述侧面一和侧面二均设有钝化层。
[0010]优选的，所述玻璃基板上堆叠有表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW。
[0011]优选的，所述二级裸片和三级裸片均设置于侧面一或所述二级裸片和三级裸片均设置于侧面二。
[0012]优选的，所述二级裸片和三级裸片分别堆叠于一级裸片的侧面一和侧面二。
[0013]优选的，所述声学滤波器和所述玻璃半导体器件彼此叠置且相隔小于 100um。
[0014]优选的，所述一级裸片通过植球与玻璃通孔TGV和PCB载板相连。
[0015]优选的，所述玻璃通孔内填充有导电材料。
[0016]3.有益效果
[0017]采用本技术提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0018]本技术的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，包括一级裸片和堆叠于所述一级裸片侧面的二级裸片和三级裸片，所述一级裸片包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔，所述二级裸片和三级裸片与所述一级裸片靠近的侧面设有若干个凸点，若干个所述凸点与玻璃半导体器件导通或与玻璃通孔导通，所述二级裸片包括表声波滤波器 SAW，该表声波滤波器SAW为低通滤波器，所述三级裸片包括体声波滤波器，该体声波滤波器BAW为高通滤波器，所述表声波滤波器SAW和体声波滤波器 BAW通过凸点与玻璃半导体器件导通，通过把两个声学滤波器构造成单个滤波器，使得一个表面上的声滤波器在一个频率上提供陡峭的抑制，而另一表面上的声滤波器在不同频率上提供抑制，实现急剧的滤波器滚降和增加带宽，同时以玻璃为主体基板材料，相比硅基板等材料产品可靠性优异，适合高频应用，实现更优的电性能。
附图说明
[0019]图1为本技术的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构的结构示意图；
[0020]图2为本技术的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构的俯视图。
[0021]图中：1、一级裸片；11、侧面一；12、侧面二；2、二级裸片；3、三级裸片；4、PCB载板；5、植球；6、凸点；7、玻璃通孔；8、钝化层。
具体实施方式
[0022]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述，附图中给出了本技术的若干实施例，但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例，相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0023]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件；当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件；本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0024]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术；本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0025]实施例1
[0026]参照附图1-附图2，本实施例的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，包括一级裸片1和堆叠于所述一级裸片1侧面的二级裸片2和三级裸片3，所述一级裸片1包括玻璃基板、
设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔7，所述二级裸片2和三级裸片3与所述一级裸片1靠近的侧面设有若干个凸点6，若干个所述凸点6与玻璃半导体器件导通或与玻璃通孔7导通，所述二级裸片2包括表声波滤波器SAW，该表声波滤波器SAW为低通滤波器，所述三级裸片3包括体声波滤波器，该体声波滤波器为高通滤波器，所述表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW通过凸点6与玻璃半导体器件导通，玻璃通孔7内填充有导电材料。通过把两个声学滤波器构造成单个滤波器，使得一个表面上的声滤波器在一个频率上提供陡峭的抑制，而另一表面上的声滤波器在不同频率上提供抑制，实现急剧的滤波器滚降和增加带宽。同时以玻璃为主体基板材料，相比硅基板等材料产品可靠性优异，适合高频应用，实现更优的电性能。
[0027]一级裸片1的两侧面为侧面一11和侧面二12，所述侧面一11和侧面二12 均设有钝化层8。二级裸片2和三级裸片3均可以同时堆叠于一级裸片1的同一侧面如侧面一11或侧面二12。二级裸片2和三级裸片3也可以分别堆叠于一级裸片1的侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，其特征在于：包括一级裸片(1)和堆叠于所述一级裸片(1)侧面的二级裸片(2)和三级裸片(3)，所述一级裸片(1)包括玻璃基板、设置于玻璃基板上的玻璃半导体器件、设置于玻璃基板内的玻璃通孔(7)，所述二级裸片(2)和三级裸片(3)与所述一级裸片(1)靠近的侧面设有若干个凸点(6)，若干个所述凸点(6)与玻璃半导体器件导通或与玻璃通孔(7)导通，所述二级裸片(2)包括表声波滤波器SAW，该表声波滤波器SAW为低通滤波器，所述三级裸片(3)包括体声波滤波器，该体声波滤波器为高通滤波器，所述表声波滤波器SAW和体声波滤波器BAW通过凸点(6)与玻璃半导体器件导通。2.根据权利要求1所述的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，其特征在于：所述一级裸片(1)的两侧面为侧面一(11)和侧面二(12)，所述侧面一(11)和侧面二(12)均设有钝化层(8)。3.根据权利要求1所述的一种基于玻璃基板的混合滤波器结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡孝伟，代文亮，马举，
申请(专利权)人：上海芯波电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：