用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构技术

技术编号:27366982 阅读:37 留言:0更新日期:2021-02-19 13:51
本发明专利技术公开了一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构。引线框架包括承载片、第一阻焊油墨层和复数个按矩阵布置的单元电路,单元电路包括复数个电极,电极包括顶电极和底电极;顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面;对应于每个单元电路,第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔,底电极布置在底电极孔中,底电极的顶部固定在顶电极的底面上;承载片可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。本发明专利技术的引线框架制备工艺步骤少,工艺过程简单,成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构
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][0001]本专利技术涉及芯片封装,尤其涉及一种用于芯片封装的引线框架及制备方法和芯片封装结构。
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技术介绍
][0002]引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。
[0003]申请号为CN202010538887.5的专利技术公开了一种用于芯片封装的引线框架及制备方法。引线框架包括基板、基岛和多个围绕基岛外周布置的引脚,基岛包括布置在基板上方的上基岛、布置在基板下方的下基岛和穿透基板、连接上基岛与下基岛的金属岛,引脚包括布置在基板上方的上引脚、布置在基板下方的下引脚和穿透基板、连接上引脚与下引脚的金属柱。该专利技术以在铜箔蚀刻的凹槽中填充电泳树脂作为基板,对铜箔蚀刻需要覆盖感光膜,铜箔凹槽蚀刻的深度和填充电泳树脂厚度匹配较为困难,电泳树脂的固化过程会对感光层的褪膜性能产生较大的影响,且,电泳工艺的镀缸需要严格的维护保养,该专利技术工艺复杂、成本较高。
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技术实现思路
][0004]本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的引线框架,包括承载片和复数个按矩阵布置的单元电路,单元电路包括复数个电极,电极包括顶电极和底电极;其特征在于,包括第一阻焊油墨层,顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面;对应于每个单元电路,第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔,底电极布置在底电极孔中,底电极的顶部固定在顶电极的底面上;承载片可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。2.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,单元电路包括基岛,基岛包括上基岛和下基岛,上基岛布置在第一阻焊油墨层的顶面;对应于每个单元电路,第一阻焊油墨层包括基岛孔,下基岛布置在基岛孔中;下基岛的顶部固定在上基岛的底面上;承载片可剥离地粘贴在下基岛的底面上。3.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,顶电极的横向尺寸大于底电极的横向尺寸,顶电极全面覆盖底电极孔;上基岛的横向尺寸大于下基岛的横向尺寸,上基岛全面覆盖基岛孔;上基岛的高度与顶电极的高度相同。4.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,顶电极包括布置在第一阻焊油墨层顶面的铜箔层和电镀在铜箔层顶面的可焊金属层;底电极包括填充在第一阻焊油墨层的底电极孔中、电镀在顶电极底面的耐碱蚀金属层和电镀在耐碱蚀金属层底面的可焊金属层。5.根据权利要求2所述的引线框架,其特征在于,上基岛包括布置在第一阻焊油墨层顶面的铜箔层和电镀在铜箔层顶面的可焊金属层;下基岛包括填充在第一阻焊油墨层的基岛孔中、镀在上基岛底面的耐碱蚀金属层。6.根据权利要求4或5所述的引线框架,其特征在于,所述的耐碱蚀金属层为镀镍层、镀锡层、镀银层或镍、锡和银中至少两种的复合镀层,所述的可焊金属层为镀铜层、镀镍层、镀锡层、镀银层、镀金层或镀铜层、镀镍层、镀锡层、镀银层和镀金层中至少两种的复合镀层。7.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于,包括第二阻焊油墨层,第二阻焊油墨层覆盖在第一阻焊油墨层和顶电极的上方;第二阻焊油墨层包括窗口,顶电极的焊盘布置在第二阻焊油墨层的窗口中。8.一种权利要求1所述的引线框架的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:801)在铜箔的顶面贴承载膜,在铜箔的底面印刷第一阻焊油墨层;802)在第一阻焊油墨层上光刻出底电极孔,在底电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:何忠亮王成刘卫宾沈洁
申请(专利权)人:深圳市鼎华芯泰科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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