晶圆试验台制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆试验台。晶圆试验台用于向晶圆施加剪切力，晶圆试验台包括：基座，包括基座本体，基座本体具有安装凹部；压接结构，包括压接本体和与压接本体连接的连接部，一部分连接部伸入安装凹部内且与安装凹部连接，压接本体、基座本体及另一部分连接部之间形成用于安装晶圆的安装空间，压接本体与晶圆的第一表面连接，基座本体与晶圆的第二表面连接；其中，第一表面与第二表面相背设置，基座本体的热膨胀系数α1大于压接结构的热膨胀系数α2；热量传导结构，热量传导结构设置在基座本体的下方，以用于对基座本体进行加热或制冷，以使基座本体发生热胀冷缩。本实用新型专利技术解决了现有技术中无法做出晶圆仅受到纯剪切力实验的问题。实验的问题。实验的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆试验台


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆试验台。

技术介绍

[0002]目前，在对晶圆进行加工的过程中，由于晶圆通常受到残余应力、热加工产生的热应力、化学机械抛光(CMP)过程中的剪切力、划片工艺对边缘冲击力及硅基底减薄过程中的弯曲应力等作用力，上述作用力可能会导致晶圆的层与层之间发生脱离现象，并引起电路失效甚至芯片的永久失效。
[0003]因此，通常需要对晶圆进行试验，以判断晶圆的层与层之间的结合力是否满足加工要求，如进行双悬臂梁实验(DCB)和四点弯曲实验(4PB)等实验。其中，双悬臂梁实验(DCB)属于I型拉伸断裂，即DCB实验中仅存在正向力。四点弯曲实验(4PB)属于I型和Ⅱ型混合型加载方式，即4PB实验中同时存在正向力和剪切力。由于晶圆的层与层之间的断裂强度与应力状态密切相关，应力状态不同，层与层之间的结合强度也会不同。
[0004]然而，在现有技术中，无法做出晶圆仅受到纯剪切力的实验，不能够满足研发人员的实验需求。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供一种晶圆试验台，以解决现有技术中无法做出晶圆仅受到纯剪切力实验的问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供了一种晶圆试验台，用于向晶圆施加剪切力，晶圆试验台包括：基座，包括基座本体，基座本体具有安装凹部；压接结构，包括压接本体和与压接本体连接的连接部，一部分连接部伸入安装凹部内且与安装凹部连接，压接本体、基座本体及另一部分连接部之间形成用于安装晶圆的安装空间，压接本体与晶圆的第一表面连接，基座本体与晶圆的第二表面连接；其中，第一表面与第二表面相背设置，基座本体的热膨胀系数α1大于压接结构的热膨胀系数α2；热量传导结构，热量传导结构设置在基座本体的下方，以用于对基座本体进行加热或制冷，以使基座本体发生热胀冷缩。
[0007]进一步地，基座本体的热膨胀系数α1与压接结构的热膨胀系数α2的比值为预设值A，且满足预设值A大于或等于10。
[0008]进一步地，晶圆试验台还包括：紧固件，紧固件的一端伸入安装凹部后与连接部连接，以将连接部和基座本体连接在一起。
[0009]进一步地，紧固件设置在连接部远离安装空间的一侧。
[0010]进一步地，安装凹部为第一通孔，基座本体还具有第二通孔，第二通孔与第一通孔相连通，紧固件的一端穿过第二通孔后伸入第一通孔内。
[0011]进一步地，第二通孔为一个或多个，紧固件为一个或多个；当第二通孔为多个时，紧固件为多个，多个紧固件与多个第二通孔一一对应地设置，多个第二通孔沿第一预设方向和/或第二预设方向间隔设置，第一预设方向与第二预设方向呈夹角设置。
[0012]进一步地，压接本体与晶圆的第一表面粘接；和/或基座本体与晶圆的第二表面粘接。
[0013]进一步地，压接本体朝向基座本体的第三表面与基座本体朝向压接本体的第四表面相互平行设置，第三表面与第一表面相互平行设置，第四表面与第二表面相互平行设置。
[0014]进一步地，基座本体和/或压接本体为板状结构。
[0015]进一步地，晶圆试验台还包括：加热装置，加热装置与热量传导结构连接，以用于将热量传导至热量传导结构上；制冷装置，制冷装置与热量传导结构连接，以用于将冷量传导至热量传导结构上；控制模块，控制模块与加热装置和制冷装置均连接，以用于控制加热装置与热量传导结构的通断或制冷装置与热量传导结构的通断。
[0016]应用本技术的技术方案，当需要对晶圆进行纯剪切力实验时，将晶圆放置在安装空间内，且使得压接本体与晶圆的第一表面连接，基座本体与晶圆的第二表面连接，进而使得晶圆的上、下表面被固定。之后，将热量传递至热量传导结构上，以通过热量传导结构对基座本体进行加热，由于基座本体的热膨胀系数α1大于压接结构的热膨胀系数α2，故基座本体受热后沿水平方向膨胀，而压接结构不会发生膨胀，基座本体进行膨胀的过程中带动第二表面相对于第一表面平移，进而使得晶圆仅受到剪切力。亦可将冷量传递至热量传导结构上，以通过热量传导结构对基座本体进行制冷，由于基座本体的热膨胀系数α1大于压接结构的热膨胀系数α2，故基座本体受冷后沿水平方向收缩，而压接结构不会发生收缩，基座本体进行收缩的过程中带动第二表面相对于第一表面平移，进而使得晶圆仅受到剪切力。这样，本申请中的晶圆试验台通过基座带动晶圆的第二表面相对于晶圆的第一表面平移，以使晶圆仅受到纯剪切力，进而解决了现有技术中无法做出晶圆仅受到纯剪切力实验的问题。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了根据本技术的晶圆试验台的实施例的立体结构示意图；以及
[0019]图2示出了图1中的晶圆试验台的爆炸图。
[0020]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0021]10、基座；11、基座本体；111、安装凹部；112、第二通孔；113、第四表面；20、压接结构；21、压接本体；211、第三表面；22、连接部；30、晶圆；31、第一表面；32、第二表面；40、安装空间；50、紧固件。
具体实施方式
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0023]需要指出的是，除非另有指明，本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0024]在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下”通常是针对
附图所示的方向而言的，或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“左、右”通常是针对附图所示的左、右；“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本技术。
[0025]为了解决现有技术中无法做出晶圆仅受到纯剪切力实验的问题，本申请提供了一种晶圆试验台。
[0026]如图1和图2所示，晶圆试验台用于向晶圆30施加剪切力。其中，晶圆试验台包括基座10、压接结构20及热量传导结构。基座10包括基座本体11，基座本体11具有安装凹部111。压接结构20包括压接本体21和与压接本体21连接的连接部22，一部分连接部22伸入安装凹部111内且与安装凹部111连接，压接本体21、基座本体11及另一部分连接部22之间形成用于安装晶圆30的安装空间40，压接本体21与晶圆30的第一表面31连接，基座本体11与晶圆30的第二表面32连接。其中，第一表面31与第二表面32相背设置，基座本体11的热膨胀系数α1大于压接结构20的热膨胀系数α2。热量传导结构设置在基座本体11的下方，以用于对基座本体11进行加热或制冷，以使基座本体11发生热胀冷缩。
[0027]应用本实施例的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆试验台，用于向晶圆(30)施加剪切力，其特征在于，所述晶圆试验台包括：基座(10)，包括基座本体(11)，所述基座本体(11)具有安装凹部(111)；压接结构(20)，包括压接本体(21)和与所述压接本体(21)连接的连接部(22)，一部分所述连接部(22)伸入所述安装凹部(111)内且与所述安装凹部(111)连接，所述压接本体(21)、所述基座本体(11)及另一部分所述连接部(22)之间形成用于安装所述晶圆(30)的安装空间(40)，所述压接本体(21)与所述晶圆(30)的第一表面(31)连接，所述基座本体(11)与所述晶圆(30)的第二表面(32)连接；其中，所述第一表面(31)与所述第二表面(32)相背设置，所述基座本体(11)的热膨胀系数α1大于所述压接结构(20)的热膨胀系数α2；热量传导结构，所述热量传导结构设置在所述基座本体(11)的下方，以用于对所述基座本体(11)进行加热或制冷，以使所述基座本体(11)发生热胀冷缩。2.根据权利要求1所述的晶圆试验台，其特征在于，所述基座本体(11)的热膨胀系数α1与所述压接结构(20)的热膨胀系数α2的比值为预设值A，且满足所述预设值A大于或等于10。3.根据权利要求1所述的晶圆试验台，其特征在于，所述晶圆试验台还包括：紧固件(50)，所述紧固件(50)的一端伸入所述安装凹部(111)后与所述连接部(22)连接，以将所述连接部(22)和所述基座本体(11)连接在一起。4.根据权利要求3所述的晶圆试验台，其特征在于，所述紧固件(50)设置在所述连接部(22)远离所述安装空间(40)的一侧。5.根据权利要求3所述的晶圆试验台，其特征在于，所述安装凹部(111)为第一通孔，所述基座本体(11)还具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超，黄翔，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：