一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器。基于发明专利技术的杂蒽衍生物，具有优异的出光特性，可作为有机电致发光器件的出光层材料，对器件出光效率具有显著提升；且该出光层材料具有优异的成膜特性，能更好的解决有机材料和基底间的折射率差异致使有机电致发光器件内全反射造成的光的损耗，在电流效率和出光效率上具有比同类化合物和现有技术的化合物更为显著的优势。化合物更为显著的优势。化合物更为显著的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器件


[0001]本专利技术属于光电材料领域，具体涉及一种杂蒽衍生物及其应用和有机电致发光器。

技术介绍

[0002]OLED，即有机发光二极管，又称为有机电激光显示。OLED具有自发光的特性，采 用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且OLED 显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因此OLED被视为21世纪最具前途的产 品之一。但迄今为止，OLED器件仍未能实现普及化应用，其中，器件的效率是制约其 普及化的重要原因。
[0003]在光学器件中，可在器件的表面蒸镀介质薄膜来降低表面的反射损耗，原理是薄膜 的干涉相消作用，进一步可以解释为光波在传播的过程中，由于边界条件的不同，在两 种不同传播介质的界面处，能量的分布发生了变化。因此，在有机电致发光器件的出光 侧金属电极之外引入出光层材料，它对器件的电学性能基本不会造成影响，只是改变光 波的透射和反射能量的分布，增强光的输出耦合能力。作为微腔OLED的出光耦合层材 料，主要考虑到它们的高折射率指数、可见光范围内对光的低吸收率以及比较容易的蒸 发生长方式等特性，增强光的耦合输出能力，提高器件外量子效率，减少光在器件内部 的损耗。
[0004]目前，光电领域虽然开发了一些Alq3、TPBI及其它高折射低吸收的出光层材料，但 至今，还没有一种材料能满足产业层面对出光层的要求，在器件内对光的耦合输出能力 有限。开发出不影响器件本征性能的同时，大幅度提高器件出光效率的出光层材料依旧 是光电领域研发人员追求的目标之一。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是：提供一种对器件出光效率提升幅度更高的出光层材料， 从而将其应用至有机电致发光器件，以更好的解决有机材料和基底间的折射率差异致使 有机电致发光器件内全反射造成的光的损耗。
[0006]本专利技术提供了一种杂蒽衍生物，杂蒽衍生物为式(I)所示结构：
[0007][0008]其中，X独立的选自O、S、S＝O或S(＝O)2中的一种；
[0009]R1、R2分别独立的选自下列A1、A2、A3、A4、A5或A6所示的基团中的一种：
[0010][0011]其中，Z
1-Z5分别独立的选自CR6或N；
[0012]Q
1-Q8分别独立的选自CR7或N；
[0013]L
1-L6分别独立的选自单键，未取代的或由氟基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚 苯基，未取代的或由氟基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚联苯基，未取代的或由氟 基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚萘基中的一种；
[0014]Ar1、Ar2、Ar3分别独立的单环芳烃、多环芳烃或稠环芳烃，所述Ar1、Ar2、Ar3与连 接的萘环之间直接稠合，各所述虚线分别独立的表示Ar1、Ar2和Ar3存在或不存在；
[0015]Y1、Y2分别独立的选自C(R8)(R9)、N(R
10
)、O、S，R9、R
10
相互独立或者通过单 键连接；
[0016]R
3-R
10
分别独立的选自氢、氟基、硝基、氰基、磺酰基、C
1-20
的烷基、C
1-20
的硅烷基、 C
6-50
的芳基、C
3-50
的杂芳基、C
6-50
的芳氧基或C
6-50
的芳硫基中的一种；
[0017]*为取代位点。
[0018]在上述方案的基础上，本专利技术该可以进行如下改进：
[0019]进一步，所述C
1-20
的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲 丁基或叔丁基中的一种；C
6-50
的芳基选自：取代基取代或未取代的苯基、取代基取代或 未取代的联苯基、由取代基取代或未取代的三联苯基、取代基取代或未取代的萘基、取 代基取代或未取代的蒽基、取代基取代或未取代的菲基、取代基取代或未取代的芘基、 取代基取代或未取代的苯并菲基、取代基取代或未取代的芴基、取代基取代或未取代的 螺二芴基中的一种；C
3-50
的杂芳基选自：取代基取代或未取代的吡啶基、取代基取代或 未取代的嘧啶基、取代基取代或未取代的吡嗪基、取代基取代或未取代的三嗪基、取代 基取代或未取代的吲哚基、取代基取代或未取代的苯并呋喃基、取代基取代或未取代的 苯并噻吩基、取代基取代或未取代的苯并噁唑基、取代基取代或未取代的苯并噻唑基、 取代基取代或未取代的咔唑基、取代基取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的 二苯并噻吩基中的一种。
[0020]进一步，取代基选自：氰基、氟基、硝基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、 异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、芴基、吡啶基、嘧 啶基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、 咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的一种。
[0021]优选的，A1选自下列基团：
[0022][0023]A2选自下列基团：
[0024][0025]A3选自下列基团：
[0026][0027][0028]A4选自下列基团：
[0029][0030]A5选自下列基团：
[0031][0032]A6选自下列基团：
[0033][0034]进一步的，所述R1和R2分别连接在杂蒽1位和6位，或者1位和9位，或者2位和 8位，或者2位和7位；
[0035]优选的，所述R1和R2分别连接在杂蒽的2位和7位。
[0036]优选的，所述X分别独自的选自S、S＝O、S(＝O)2中的一种。
[0037]基于本专利技术的杂蒽衍生物，在杂蒽的2，7位采用不对称修饰，可强化非金属重原子 S在杂蒽衍生物的重原子效应，使得杂蒽衍生物具有更高的玻璃化转变温度和高折射低 吸收特性。
[0038]优选的，杂蒽衍生物选自以下结构：
[0039][0040][0041][0042][0043][0044][0045][0046][0047][0048][0049][0050][0051][0052][0053][0054]在杂蒽基团的2，7位设计特定基团，从而构建得到的本申请中的杂蒽衍生物表现出 了优异的出光层材料特性，将其作为出光层材料制备得到的有机电致发光器件，相比于 同样结构的没有出光层的有机电致发光器件以及同样结构利用传统的出光层材料，比如 Alq3，在电流效率、外量子效率上具有显著的优势；上述杂蒽衍生物在杂蒽的2，7位修 饰特定基团后，由于偏向于线型的空间构型，使得材料蒸镀成膜后定向排列，微观状态 下的膜表面更为光滑，有利于作为出光层增强OLED器件光的耦合输出能力，使得本发 明的杂蒽衍生物作为出光层制备的器件，在电流效率、外量子效率(出光效率)上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种杂蒽衍生物，其特征在于，杂蒽衍生物为式(I)所示结构：其中，X独立的选自O、S、S＝O或S(＝O)2中的一种；R1、R2分别独立的选自下列A1、A2、A3、A4、A5或A6所示的基团中的一种：其中，Z
1-Z5分别独立的选自CR6或N；Q
1-Q8分别独立的选自CR7或N；L
1-L6分别独立的选自单键，未取代的或由氟基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚苯基，未取代的或由氟基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚联苯基，未取代的或由氟基、硝基、氰基、C
1-20
的烷基取代的亚萘基中的一种；Ar1、Ar2、Ar3分别独立的单环芳烃、多环芳烃或稠环芳烃，所述Ar1、Ar2、Ar3与连接的萘环之间直接稠合，各所述虚线分别独立的表示Ar1、Ar2和Ar3存在或不存在；Y1、Y2分别独立的选自C(R8)(R9)、N(R
10
)、O、S，R8、R9相互独立或者通过单键连接；R
3-R
10
分别独立的选自氢、氟基、硝基、氰基、磺酰基、C
1-20
的烷基、C
1-20
的硅烷基、C
6-50
的芳基、C
3-50
的杂芳基、C
6-50
的芳氧基或C
6-50
的芳硫基中的一种；*为取代位点。2.根据权利要求1所述的杂蒽衍生物，其特征在于，C
1-20
的烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基中的一种；C
6-50
的芳基选自：取代基取代或未取代的苯基、取代基取代或未取代的联苯基、由取代基取代或未取代的三联苯基、取代基取代或未取代的萘基、取代基取代或未取代的蒽基、取代基取代或未取代的菲基、取代基取代或未取代的芘基、取代基取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆广园，庄少卿，任春婷，徐鹏，
申请(专利权)人：武汉尚赛光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：