一种PI基材相变型导热垫片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PI基材相变型导热垫片，包括PI层，所述PI层两侧分别涂布复合第一相变层和第二相变层，所述第一相变层远离PI层一侧设置有第一离型膜，所述第二相变层远离PI层一侧设置有第二离型膜，本结构具有良好的相变性能，在室温下材料是固体，并且便于处理，可以将其作为干垫清洁而坚固的用于散热片或器件的表面，当达到器件工作温度时，相变材料变软，加一点加紧力，材料就像热滑脂一样很容易就和两个配合表面粘合，具有能完全填充界面气隙和器件与散热片间空隙的能力，同时PI层具有一定的定型支撑及抗撕裂作用，便于使用。便于使用。便于使用。

【技术实现步骤摘要】
一种PI基材相变型导热垫片


[0001]本技术涉及电子行业，特别涉及一种PI基材相变型导热垫片。

技术介绍

[0002]导热垫片是填充发热器件和散热片或金属底座之间的空气间隙，它们的柔性、弹性特征使其能够用于覆盖非常不平整的表面。热量从分离器件或整个PCB传导到金属外壳或扩散板上，从而能提高发热电子组件的效率和使用寿命，目前的导热垫片主要有，第一种：霍尼韦尔PCM45F,或莱尔德PCM585(无基材)等，但这两种导热垫片绝缘性差，产品无强度，不好应用，第二种为导热硅胶玻纤布基材或无基材导热硅胶，此种硅胶垫片应用时界面热阻大，热传导效果差。

技术实现思路

[0003]本技术解决的技术问题是提供一种PI基材相变型导热垫片，其具有减小热阻力，使得与之相连的散热片的性能达到最佳的特性。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种PI基材相变型导热垫片，包括PI层，所述PI层两侧分别涂布复合第一相变层和第二相变层，所述第一相变层远离PI层一侧设置有第一离型膜，所述第二相变层远离PI层一侧设置有第二离型膜。
[0005]进一步的是：所述PI层为导热PI层。
[0006]进一步的是：所述PI层的厚度为50u。
[0007]进一步的是：所述第一相变层和第二相变层的厚度为6u～150u。
[0008]本技术的有益效果是：
[0009]1、导热型PI击穿电压大于4KV/mm，导热系数可达6W/mk,用于使功率消耗型电子器件和与之相连的散热片之间的热阻力降低到最小,这一热阻小的通道使散热片的性能达到最佳,并且改善了微处理器,存储器模块转换器和功率模块的可靠性；
[0010]2、具有良好的相变性能，在室温下材料是固体，并且便于处理，可以将其作为干垫清洁而坚固的用于散热片或器件的表面，当达到器件工作温度时，相变材料变软，加一点加紧力，材料就像热滑脂一样很容易就和两个配合表面粘合，有良好界面润湿性，具有能完全填充界面气隙和器件与散热片间空隙的能力，同时PI层具有一定的定型支撑及抗撕裂作用，便于使用，使得本PI基材相变型导热垫片优于非流动弹性体导热效果，同时附贴性佳，界面热阻小，填隙能力强，绝缘性佳的特性，可应用于电子产品绝缘性能要求高的应用场合
附图说明
[0011]图1为PI基材相变型导热垫片结构示意图。
[0012]图中标记为：PI层1、第一相变层2、第二相变层3、第一离型膜4、第二离型膜5。
具体实施方式
[0013]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0014]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0015]如图1所示的一种PI基材相变型导热垫片，包括PI层1，所述PI层1两侧分别涂布复合第一相变层2和第二相变层3，所述第一相变层2远离PI层1一侧设置有第一离型膜4，所述第二相变层3远离PI层1一侧设置有第二离型膜5，本结构的PI基材相变型导热垫片相变温度为45-48度，超过相变化温度即可熔融液化，能像散热膏一样排除空气，填充于材料中，本垫片在室温下为固体，可以将其作为干垫清洁而坚固的用于散热片或器件的表面，当达到器件工作温度时，导热型PI基材相变片变软，加一点加紧力，本垫片就像热滑脂一样很容易就和两个配合表面粘合，有良好的界面润湿性，具有能完全填充界面气隙和器件与散热片间空隙的能力，同时PI层1具有一定的定型支撑及抗撕裂作用，便于使用，使得本PI基材相变型导热垫片优于非流动弹性体导热效果，同时附贴性佳，界面热阻小，填隙能力强，绝缘性佳的特性，可应用于电子产品绝缘性能要求高的应用场合，
[0016]本垫片的制作过程如下所述：先用带有加热装置的双行星搅拌机将导热相变原材料配合工艺搅拌分散好后转入带有加热装置胶槽的涂布机内，涂布于PI层1上，待自然冷却固化后，复上离型纸或离型膜收卷，再于上述步骤，涂布于另一面PI层1上。
[0017]在上述基础上，所述PI层1为导热PI层1，所述PI层1的厚度为50u，所述第一相变层2和第二相变层3的厚度为6u～150u，使得本垫片的总厚度为100u～300u之间。
[0018]以上所述的具体实施例，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PI基材相变型导热垫片，其特征在于：包括PI层(1)，所述PI层(1)两侧分别涂布复合第一相变层(2)和第二相变层(3)，所述第一相变层(2)远离PI层(1)一侧设置有第一离型膜(4)，所述第二相变层(3)远离PI层(1)一侧设置有第二离型膜(5)。2.如权利要求1所述的一种PI基材相...

【专利技术属性】
技术研发人员：林秋燕，黎海涛，徐保，
申请(专利权)人：东莞市汉品电子有限公司，
类型：新型
国别省市：