基于氮化铝基材的导热片制造技术

技术编号:39481738 阅读:5 留言:0更新日期:2023-11-23 15:02
本实用新型专利技术公开了基于氮化铝基材的导热片,包括氮化铝基材,所述氮化铝基材一侧设置有导热硅胶层,所述氮化铝基材另一侧设置有导热相变层,所述导热硅胶层远离氮化铝基材一侧设置有第一离型层,所述导热相变层远离氮化铝基材一侧设置有第二离型层,本结构由氮化铝陶瓷片层的一面与导热硅胶复合,赋予了产品贴服性,润湿性,压缩减震效果及填隙能力,另外一面与导热相变层复合后,使用于发热源与散热器之间,当温度升高至相变温度之上时,导热相变层会由固态熔融成液态,潜热储能,并可以填隙表面,降低界面热阻,提高导热效果。提高导热效果。提高导热效果。

【技术实现步骤摘要】
基于氮化铝基材的导热片


[0001]本技术涉及电子行业的导热片领域,特别涉及基于氮化铝基材的导热片。

技术介绍

[0002]在电子行业领域,由于氮化铝基材具有导热系数高的特点,因此常被置于电子产品的发热源与散热器之间,作为导热片来使用,但氮化铝基材表面无润湿性,用作导热界面材料时,无压缩填隙能力,因此界面热阻非常大,导热效果差。

技术实现思路

[0003]本技术解决的技术问题是提供一种能提高散热效果的基于氮化铝基材的导热片。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:基于氮化铝基材的导热片,包括氮化铝基材,所述氮化铝基材一侧设置有导热硅胶层,所述氮化铝基材另一侧设置有导热相变层,所述导热硅胶层远离氮化铝基材一侧设置有第一离型层,所述导热相变层远离氮化铝基材一侧设置有第二离型层。
[0005]进一步的是:所述氮化铝基材为氮化铝陶瓷片。
[0006]进一步的是:所述氮化铝陶瓷片的厚度为0.35~1.5mm。
[0007]进一步的是:所述导热硅胶层的厚度为0.1~1mm。
[0008]进一步的是:所述导热相变层的厚度为30~250um。
[0009]进一步的是:所述第一离型层为PET离型膜,所述第二离型层为离型纸。
[0010]本技术的有益效果是:本结构由氮化铝陶瓷片层的一面与导热硅胶复合,赋予了产品贴服性,润湿性,压缩减震效果及填隙能力,另外一面与导热相变层复合后,使用于发热源与散热器之间,当温度升高至相变温度之上时,导热相变层会由固态熔融成液态,潜热储能,并可以填隙表面,降低界面热阻,提高导热效果。
附图说明
[0011]图1为本申请实施例的基于氮化铝基材的导热片的结构示意图。
[0012]图中标记为:第一离型层1、导热硅胶层2、氮化铝基材3、导热相变层4、第二离型层5。
具体实施方式
[0013]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
[0014]如图1所示,本申请的实施例公开了基于氮化铝基材3的导热片,包括氮化铝基材3,所述氮化铝基材3一侧设置有导热硅胶层2,所述氮化铝基材3另一侧设置有导热相变层4,所述导热硅胶层2远离氮化铝基材3一侧设置有第一离型层,所述导热相变层4远离氮化
铝基材3一侧设置有第二离型层5。
[0015]具体的,本申请中使用的氮化铝基材3为氮化铝陶瓷片。
[0016]本结构主要用于电子产品中的发热源与散热器之间或LED、芯片、CPU、PCB板等导热散热部件中,具体使用时,当电子产品的发热源温度升高至相变温度之上时,导热相变层4会由固态熔融成液态,潜热储能,并可以填隙表面,降低界面热阻,提高导热效果。当电子元器件停止工作时,温度会从高温降到相变温度以下,导热相变层4由液态会变为固态,相变温度约45℃。
[0017]上述结构中,由于氮化铝陶瓷片导热系数高,最高可达320W/mk,同时具有绝缘性好的特点,但其表面无润湿性,刚性强,无压缩性,限制了其作为导热界面材料的运用。但将其两个表面分别与导热硅胶层2及导热相变层4复合在一起后,整体产品的界面润湿性及压缩性佳,热阻低,导热效果及绝缘性好。
[0018]本实施例中,所述氮化铝陶瓷片的厚度为0.35~1.5mm,具体可为0.35mm、0.5mm、0.9mm、1.5mm等,此种厚度的氮化铝陶瓷片既能保证产品高导热性能,又能保证该陶瓷片的厚度在工艺可制作的范围内,同时氮化铝材质还可提成产品的定型性能、防穿刺性能和机械强度。
[0019]本实施例中,所述导热硅胶层2的厚度为0.1~1mm,具体可为0.1mm、0.5mm、1mm等,此种厚度设置可使得导热硅胶层2具有较高的导热系数,可赋予产品良好的压缩性,界面润湿性和一定的导热性与绝缘性。
[0020]本实施例中,所述导热相变层4的厚度为30~250um,具体可为30um、100um、250um等。
[0021]本实施例中,所述第一离型层1为PET离型膜,所述第二离型层5为离型纸。
[0022]具体的,由于在具体生产时,要将导热硅胶原液压延或涂布于氮化铝基材3的其中一个表面上,再覆盖上PET离型膜,再经过烘烤硫化定型,由于在烘烤硫化定型时,温度会达到120摄氏度,而PET离型膜具有耐高温的特性,因此,第一离型层1选择PET离型膜,可以使得在生产时,第一离型层1不会出现损坏,而导热相变层4在生产时,第二离型层5无需跟随烘烤,因此第二离型层5可选择厚度更厚的离型纸,使得第二离型层5具有能被快速剥离的特点。
[0023]以上所述的具体实施例,对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本技术的具体实施例而已,并不用于限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于氮化铝基材的导热片,其特征在于:包括氮化铝基材(3),所述氮化铝基材(3)一侧设置有导热硅胶层(2),所述氮化铝基材(3)另一侧设置有导热相变层(4),所述导热硅胶层(2)远离氮化铝基材(3)一侧设置有第一离型层(1),所述导热相变层(4)远离氮化铝基材(3)一侧设置有第二离型层(5)。2.如权利要求1所述的基于氮化铝基材的导热片,其特征在于:所述氮化铝基材(3)为氮化铝陶瓷片。3.如权利要求2所述的基于氮...

【专利技术属性】
技术研发人员:黎海涛林秋燕
申请(专利权)人:东莞市汉品电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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