一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路制造技术

技术编号:27317261 阅读:15 留言:0更新日期:2021-02-10 09:51
本发明专利技术提供了一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,包括:主功能模块和死区修调模块;所述主功能模块的下臂输出端口复用为死区修调模块的输入端口;在修调模式下,所述死区修调模块通过所述下臂输出端口对上臂和下臂死区时间进行控制。上述的复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,节省了芯片的封装成本、减小了客户的应用成本,使产品具有更好的竞争力。产品具有更好的竞争力。产品具有更好的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
,具体涉及应用于功率器件半桥驱动电路。

技术介绍

[0002]在半桥驱动系统中,为了防止上臂和下臂的功率器件同时导通(也称为穿通),从而损坏系统板,通常采取的办法是先关后开:一种状态是在打开上臂的功率器件之前,提前关闭下臂的功率器件,另一种状态是在打开下臂的功率器件之前,提前关闭上臂的功率器件。而在同一种状态中,关闭和导通之间的时间间隔称为死区时间。死区时间是半桥驱动电路芯片决定的。
[0003]在不同的应用中,系统对死区时间的要求不同,现有的技术方案通常采用在驱动芯片外部连接不同的电阻,通过调整外部电阻来调整死区时间,如图1所示。该技术方案的缺点:由于上臂和下臂都需要调整死区时间,需要增加两个PIN,从而增加了封装成本;而在实际应用中,需要两个电阻,同时增加了PCB版的尺寸,增加了客户的成本。成本的增加在日益激烈的竞争中,会使产品失去竞争力。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的主要技术问题是提供一种复用输出端口调整死区时间的IGBT驱动电路,节省了芯片的封装成本、减小了客户的应用成本,使产品具有更好的竞争力。
[0005]为了解决上述的技术问题,本专利技术提供了一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,包括:主功能模块和死区修调模块;
[0006]所述主功能模块的下臂输出端口复用为死区修调模块的输入端口;在修调模式下,所述死区修调模块通过所述下臂输出端口对上臂和下臂死区时间进行控制。
[0007]在一较佳实施例中:所述主功能模块包括上臂主电路模块,上臂死区控制模块,上臂输出电路模块,逻辑控制电路模块,下臂主电路模块,下臂死区控制模块,下臂输出端口及复用端口控制模块;死区修调模块包括修调选择模块,修调寻址模块和修调烧断控制模块。
[0008]在一较佳实施例中:所述修调控制电路,上臂的死区控制模块电路,下臂死区控制电路,下臂输出端口及复用端口控制电路同属于低压域;上臂输出电路模块属于高压域。
[0009]在一较佳实施例中:所述上臂主电路模块用于接收前级MCU的输出信号作为输入上臂的数据信号HIGN_IN;所述上臂主电路模块将所述数据信号HIGN_IN输出到上臂死区控制模块和逻辑控制电路模块。
[0010]在一较佳实施例中:所述上臂死区控制模块用于设定下臂IGBT关断到上臂IGBT导通之间的时间间隔。
[0011]在一较佳实施例中:所述逻辑控制电路模块将所述数据信号HIGN_IN经过逻辑处理后输出至上臂输出电路模块,控制上臂IGBT的导通和关断。
[0012]在一较佳实施例中:所述下臂主电路模块用于接收前级MCU的输出信号,作为输入
下臂的数据信号LOW_IN;所述下臂主电路模块将所述数据信号LOW_IN输出到下臂死区控制模块和逻辑控制电路模块。
[0013]在一较佳实施例中:所述下臂死区控制模块用于设定上臂IGBT关断到下臂IGBT导通之间的时间间隔。
[0014]在一较佳实施例中:所述逻辑控制电路模块将所述数据信号LOW_IN经过逻辑处理后输出至下臂输出端口及复用端口控制模块,控制下臂IGBT的导通和关断。
[0015]在一较佳实施例中:所述修调选择模块根据修调输入信号确定修调上臂的死区时间或者下臂的死区时间;修调寻址模块根据修调输入信号定位需要修调的时间;修调烧断控制模块根据修调寻址所确定的修调时间,结合下臂输出端口的烧断信号,输出烧断信号,输出到上臂死区控制模块和下臂死区控制模块,进行对应死区时间的烧断修调
[0016]相较于现有技术,本专利技术的技术方案具备以下有益效果:
[0017]本专利技术提供了一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,把调整死区时间的电阻集成在驱动芯片内部,通过复用下臂的输出端口,客户可以根据具体应用通过输出端口调整死区时间,既节省了芯片的封装成本,也减小了客户的应用成本,从而使产品具有更好的竞争力。
附图说明
[0018]图1为现有技术中半桥驱动电路中死区调整的原理图;
[0019]图2为本专利技术优选实施例1中复用输出端口调整死区时间的原理图;
[0020]图3为本专利技术优选实施例1中复用输出端口调整死区时间的电路图;
[0021]图4为本专利技术优选实施例2中复用输出端口调整死区时间的电路图;
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述;显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接,可以是机械连接,也可以是电连接,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通,对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]实施例1
[0026]参考图2,本实施例提供了一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电
路,包括:主功能模块和死区修调模块;
[0027]所述主功能模块包括上臂主电路模块,上臂死区控制模块,上臂输出电路模块,逻辑控制电路模块,下臂主电路模块,下臂死区控制模块,下臂输出端口及复用端口控制模块;死区修调模块包括修调选择模块,修调寻址模块和修调烧断控制模块。
[0028]所述修调控制电路,上臂的死区控制模块电路,下臂死区控制电路,下臂输出端口及复用端口控制电路同属于低压域;上臂输出电路模块属于高压域。
[0029]工作时,所述上臂主电路模块用于接收前级MCU的输出信号作为输入上臂的数据信号HIGN_IN;所述上臂主电路模块将所述数据信号HIGN_IN输出到上臂死区控制模块和逻辑控制电路模块。所述上臂死区控制模块用于设定下臂IGBT关断到上臂IGBT导通之间的时间间隔。所述逻辑控制电路模块将所述数据信号HIGN_IN经过逻辑处理后输出至上臂输出电路模块,控制上臂IGBT的导通和关断。
[0030]所述下臂主电路模块用于接收前级MCU的输出信号,作为输入下臂的数据信号LOW_IN;所述下臂主电路模块将所述数据信号LOW_IN输出到下臂死区本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,其特征在于包括:主功能模块和死区修调模块;所述主功能模块的下臂输出端口复用为死区修调模块的输入端口;在修调模式下,所述死区修调模块通过所述下臂输出端口对上臂和下臂死区时间进行控制。2.根据权利要求1所述的一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,其特征在于:所述主功能模块包括上臂主电路模块,上臂死区控制模块,上臂输出电路模块,逻辑控制电路模块,下臂主电路模块,下臂死区控制模块,下臂输出端口及复用端口控制模块;死区修调模块包括修调选择模块,修调寻址模块和修调烧断控制模块。3.根据权利要求2所述的一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,其特征在于:所述修调控制电路,上臂的死区控制模块电路,下臂死区控制电路,下臂输出端口及复用端口控制电路同属于低压域;上臂输出电路模块属于高压域。4.根据权利要求2所述的一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,其特征在于:所述上臂主电路模块用于接收前级MCU的输出信号作为输入上臂的数据信号HIGN_IN;所述上臂主电路模块将所述数据信号HIGN_IN输出到上臂死区控制模块和逻辑控制电路模块。5.根据权利要求4所述的一种复用输出端口调整上下臂死区时间的IGBT驱动电路,其特征在于:所述上臂死区控制模块用于设定下臂IGBT关断到上臂IGBT导通之间的时间间隔。6.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李河清黄鑫
申请(专利权)人:厦门芯达茂微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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