【技术实现步骤摘要】
一种双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法及电子设备
[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法及电子设备。
技术介绍
[0002]随着电路集成度的不断提高，光刻图形的特征尺寸随之减小，对光刻分辨率和光刻工艺的要求也越来越高。基于目前的1.35NA的193nm浸没式光刻机，对于28nm以下逻辑技术节点的要求，需要依靠双重或者多重光刻技术实现技术节点的收缩，双重或者多重光刻技术也是在此背景上发展起来的。目前双重曝光技术已经广泛应用于22nm，20nm，16nm和14nm技术节点。三重或者多重也将被用于10nm技术节点。双重或者多重光刻技术适用于任何波长的光刻包括EUV。对于7nm及以下的技术节点，EUV也需要依靠双重或者多重EUV光刻满足分辨率要求。
[0003]双重图形技术(Double Pattern Technology)主要有两种实现方式：一种是曝光-刻蚀-曝光-刻蚀(LELE)，使用两块掩模版，分别曝光刻蚀将图形转移到同一块硬掩模上，最后把硬掩模...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供掩模版图，所述掩模版图包括至少一个第一层掩模图形和至少一个第二层掩模图形；S2、将所述至少一个第一层掩模图形和至少一个第二层掩模图形的边打断以获得关于第一层掩模图形的多条第一层线段以及关于第二层掩模图形的多条第二层线段，在每一所述第一层线段或者每一所述第二层线段上放置检测点；S3、设定关于第一层线段与第二层线段的配对规则，根据放置的检测点基于所述配对规则形成关于第一层线段和第二层线段的配对类型，所述配对类型包括边型配对以及角型配对；及S4、定义关于所述多条第一层线段的预测曝光图形为第一曝光图形，关于所述多条第二层线段的预测曝光图形为第二曝光图形，设定分别关于边型配对的第一搜索范围，以及关于角型配对的第二搜索范围，根据所述第一搜索范围以及第二搜索范围搜索所述第一曝光图形和/或第二曝光图形，基于搜索结果计算第一曝光图形和第二曝光图形之间的跨接距离。2.如权利要求1所述的双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法，其特征在于：双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法还包括如下步骤：S5、设置跨接阈值范围，将在所述跨接阈值范围内的跨接距离输出并定义为跨接缺陷。3.如权利要求1所述的双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法，其特征在于：在上述步骤S2中，在每一所述第一层线段的中点放置检测点或者在每一所述第二层线段的中点放置检测点。4.如权利要求1所述的双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法，其特征在于：所述边型配对包括边对边配对，所述角型配对包括边对角配对、角对边配对以及角对角配对。5.如权利要求4所述的双重图形掩模优化结果的跨接缺陷检测方法，其特征在于：所述配对规则包括边型配对规则以及角型配对规则，基于边型配对规则生成边对边配对，基于角型配对规则生成边对角配对、角对边配对以及角对角配对：边型配对规则如下：第二层线段与第一层线段相互平行，并且第一层线段与第二层线段两者之间存在重叠部分，所述第一层线段与所述第二层线段之间相邻；角型配对规则包括：角对角配对规则：定义所有第一层掩模图形和第二层掩模图形的轮廓内的填充区域相对第一层线段或者第二层线段的方向为右侧，定义放置有检测点的角型区域为待匹配角，按照角型区域两条线段的走向定义第一条边和第二条边；与所述待匹配角配对的角定义为配对角；待匹配角的顶点同时在配对角两条边的左侧，配对角的顶点同时在待匹配角两条边的左侧并且待匹配角的第一个边和配对角的第一条边方向相反并且待匹配角的第二条边和配对角的第二条边方向相反；或者待匹配角的顶点同时在配对角两条边的左侧，配对角的顶点同时在待匹配角两条边的左侧并且待匹配角的第二条边和配对角的第一条边方向相反并且待匹配角的第一条边和配对角的第二条边方向相反，方向相反定义为角度差大于90度且小于等于180度；角对边配对规则：检测点放置在边A上，与边A匹配的角为∠A，∠A的顶点在边A的左侧；
∠A的起点到边A的距离不等于∠A的顶点到边A的距离，∠A的终点到边A的距离不等于顶点到边A的距离；边对角配对规则：检测点放置在∠A上，与∠A匹配的角...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴士侠，方伟，丁明，施伟杰，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司深圳分公司，
类型：发明
国别省市：
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