本发明专利技术公开一种光电半导体装置，其包括一半导体叠层、一电极以及多个接触部。半导体叠层具有一第一型半导体结构、一活性结构位于第一型半导体结构上及一第二型半导体结构位于活性结构上。第一型半导体结构具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部位于第一凸部及第二凸部之间，且半导体叠层具有一厚度。电极位于第二型半导体结构上，并具有一部分对应于第一凸部。多个接触部位于第二凸部且未位于第一凸部并与第一型半导体结构接触，电极与最接近的接触部具有一第一距离，且第一距离与厚度的比值大于5。大于5。大于5。
【技术实现步骤摘要】
光电半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置，且特别是涉及一种光电半导体装置。
技术介绍
[0002]半导体装置包含由
Ⅲ-Ⅴ
族元素组成的化合物半导体，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)，半导体装置可以为功率装置(Power Device)或是光电半导体装置(例如发光二极管(LED)、激光二极管、光检测器、太阳能电池)。发光二极管包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性结构设于p型半导体层与n型半导体层之间，使得在一外加电场作用下，n型半导体层及p型半导体层所分别提供的电子及空穴在活性结构复合，以将电能转换成光能。如何提升光电半导体装置的光电转换效率，实为研发人员研发的重点之一。
技术实现思路
[0003]为解决上述问题，本专利技术提供一种光电半导体装置，包括一半导体叠层、一电极以及多个接触部。半导体叠层具有一第一型半导体结构、一活性结构位于第一型半导体结构上及一第二型半导体结构位于活性结构上。第一型半导体结构具有一第一凸部、一第二凸部及一凹部位于第一凸部及该第二凸部之间，且半导体叠层具有一厚度。电极位于第二型半导体结构上，并具有一部分对应于第一凸部。多个接触部位于第二凸部且未位于第一凸部并与第一型半导体结构接触，电极与最接近的接触部具有一第一距离，且第一距离与厚度的比值大于5。
附图说明
[0004]图1为一实施例的光电半导体装置的部分剖面示意图；
[0005]图2为一实施例的光电半导体装置的上视示意图；
[0006]图3至图4为一实施例的光电半导体装置制作流程的步骤中所完成的结构的下视示意图；
[0007]图5为一实施例的光电半导体装置的部分剖面示意图；
[0008]图6为一实施例的光电半导体装置绘示根据一实施例的光电半导体装置的部分剖面示意图；
[0009]图7A为一实施例的光电半导体装置的部分上视示意图；
[0010]图7B为一实施例的光电半导体装置的部分上视示意图；
[0011]图8为一实施例的光电半导体装置的封装结构示意图。
[0012]符号说明
[0013]100、200、300、400、500 光电半导体装置
[0014]1 半导体叠层
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11 第一型半导体结构
[0015]111 第一凸部
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112 第二凸部
[0016]113 凹部
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114 凸部
[0017]115 凹部结构
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116 凹槽
[0018]117 第三凸部
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118 第四凸部
[0019]1a 第一边
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1b 第二边
[0020]1c 第三边
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1d 第四边
[0021]12 活性结构
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13 第二型半导体结构
[0022]14 窗户层
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141 出光表面
[0023]15 第二接触结构
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2 第一接触结构
[0024]21 接触部
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22 接触群组
[0025]3 上电极
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31 电极垫
[0026]32 第一延伸电极
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33 第二延伸电极
[0027]4 基板
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5 反射结构
[0028]51 第一绝缘层
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511 开口
[0029]52 第一氧化导电层
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53 第二氧化导电层
[0030]531 第二平面
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54 金属层
[0031]541 第一平面
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55 第二绝缘层
[0032]551 第二开口
[0033]6 导电粘结层
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7 下电极
[0034]8 保护层
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900 封装结构
[0035]91封装基板
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92通孔
[0036]93载体
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93a第一部分
[0037]93b第二部分
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95接合线
[0038]96接触结构
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96a、96b接触垫
[0039]98封装材料
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T1第一厚度
[0040]T2第二厚度
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T3第三厚度
[0041]S下表面
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S1第一底面
[0042]S2第二底面
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S3第三底面
[0043]S4第一侧表面
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S5第二侧表面
[0044]S6表面
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S7侧壁
[0045]H高度
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θ1第一夹角
[0046]θ2第二夹角
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W1第一宽度
[0047]W2第二宽度
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W3第三宽度
[0048]W4第四宽度
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W5第五宽度
[0049]W6第四宽度
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W7第四宽度
[0050]D1第一距离
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D2第二距离
[0051]P走道
具体实施方式
[0052]为让本揭露的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：
[0053]图1为本揭露内容一实施例的光电半导体装置100的部分剖面示意图，图2为本揭露内容一实施例的光电半导体装置100的上视示意图，图2中的A-A
’
线剖面的结构即为图1呈现的部分的光电半导体装置100的剖面图。如图1及图2所示，光电半导体装置100包含一半导体叠层1、一第一接触结构2位于半导体叠层1下及一上电极3(参考图2，上电极3包含一电极垫31、一第一延伸电极32及一第二延伸电极33)位于半导体叠层1上。图1仅绘制第二延伸电极33。光电半导体装置100可选择设有一基板4及一反射结构5。反射结构5设于基板4与半导体叠层1之间，以将半导体叠层1产生的光线朝向第二延伸电极33的方向反射，由此增加发光效率。
[0054]半导体叠层1可为一p-n结构或是p-i-n结构。在一实施例中，半导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光电半导体装置，其特征在于，包括：半导体叠层，具有第一型半导体结构、活性结构位于该第一型半导体结构上及第二型半导体结构位于该活性结构上，该第一型半导体结构具有第一凸部、第二凸部及凹部位于该第一凸部及该第二凸部之间，且该半导体叠层具有第一厚度；电极，位于该第二型半导体结构上，并具有一部分对应于该第一凸部；以及接触结构，具有多个接触部，位于该第二凸部且未位于该第一凸部，并与该第一型半导体结构接触，该电极与最接近的接触部具有第一距离；其中，该第一距离与该第一厚度的比值大于5。2.如权利要求1所述的光电半导体装置，还包含具有多个开口的绝缘层，位于该第二凸部上。3.如权利要求2所述的光电半导体装置，其中，各该多个接触部位于各该多个开口中。4.如权利要求1所述的光电半导体装置，另包含凹槽形成于该第一型半导体结构中，使该第一型半导体结构包含该第一凸部、该第二凸部及该凹部，该凹槽具有第一宽度及第一高度，该第一宽度与该第一高度的比值大于3且小于8。5.如权利要求1所述的光电半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：王种皓，王郁琪，陈怡名，邱毅扬，林俊宇，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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