用于记录三维图像的SMI传感器的VCSEL装置制造方法及图纸

技术编号:27262003 阅读:29 留言:0更新日期:2021-02-06 11:22
本发明专利技术涉及一种用于记录三维图像的自混合干涉传感器(300)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置(100),所述VCSEL装置(100)包括VCSEL阵列、多个检测器(140)、第一电激光器接触体(105)和至少一个第二电激光器接触体(127),其中,VCSEL阵列包括多个激光二极管(122),其中,每个激光二极管(122)包括光学谐振器,其中,光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、第二分布式布拉格反射器(135)和用于发光的有源层(120),其中,有源层(120)布置在第一分布式布拉格反射器(115)和第二分布式布拉格反射器(135)之间,其中,第一电激光器接触体(105)和所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够提供电驱动电流,以对激光二极管(122)的光学谐振器电泵浦,其中,第一电激光器接触体(105)是VCSEL阵列的所有激光二极管(122)的公共接触体,其中,所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够与VCSEL阵列的所述多个激光二极管(122)中的至少一个子组电接触,其中,每个检测器(140)被布置为能够在接收到激光(10)时产生与至少一个激光二极管(122)相关联的电自混合干涉测量信号。本发明专利技术还涉及一种用于记录三维(3D)图像的自混合干涉传感器(300)、VCSEL装置以及一种制造这样的VCSEL装置的方法。造这样的VCSEL装置的方法。造这样的VCSEL装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于记录三维图像的SMI传感器的VCSEL装置


[0001]本专利技术涉及一种用于记录三维(3D:three-dimensional)图像的自混合干涉(SMI:self-mixing interference)传感器的垂直腔面发射激光器(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)装置、SMI传感器以及一种包括VCSEL装置或SMI传感器的移动通信装置。本专利技术还涉及一种制造这样的VCSEL装置的相应方法。

技术介绍

[0002]现有水平的光学3D传感器需要高功率的光源和相应的检测器。光学对正的复杂性、功耗和人眼安全性是关键点。
[0003]WO2017/016888A1公开了一种用于颗粒密度检测的激光传感器模块。激光传感器模块可以包括多个激光二极管的阵列。
[0004]US2011/0064110A1公开了一种具有单片集成光电二极管的垂直腔面发射激光器装置。
[0005]US2003/0021327A1公开了一种包括直接沉积到激光器结构的顶表面上的光电检测器的垂直腔面发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于记录三维图像的自混合干涉传感器(300)的垂直腔面发射激光器VCSEL装置(100),所述VCSEL装置(100)包括VCSEL阵列、多个检测器(140)、第一电激光器接触体(105)和至少一个第二电激光器接触体(127),其中,VCSEL阵列包括多个激光二极管(122),其中,每个激光二极管(122)包括光学谐振器,其中,光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、第二分布式布拉格反射器(135)和用于发光的有源层(120),其中,有源层(120)布置在第一分布式布拉格反射器(115)和第二分布式布拉格反射器(135)之间,其中,第一电激光器接触体(105)和所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够提供电驱动电流,以对激光二极管(122)的光学谐振器电泵浦,其中,第一电激光器接触体(105)是VCSEL阵列的所有激光二极管(122)的公共接触体,其中,所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够与VCSEL阵列的所述多个激光二极管(122)中的至少一个子组电接触,其中,每个检测器(140)被布置为能够在接收到激光(10)时产生与至少一个激光二极管(122)相关联的电自混合干涉测量信号。2.根据权利要求1所述的VCSEL装置(100),其中,所述多个激光二极管(122)包括至少1000个、优选地至少5000个以及最优选地至少10000个激光二极管(122)。3.根据前述权利要求中的任一项所述的VCSEL装置(100),其中,VCSEL装置(100)包括两个、三个、四个或更多个第二电激光器接触体(127),其中,每个第二电激光器接触体(127)被布置为能够电驱动VCSEL阵列的激光二极管(122)的相应的子组。4.根据权利要求1或2所述的VCSEL装置(100),其中,VCSEL装置(100)包括一个第二电激光器接触体(127),其中,第一电激光器接触体(105)和第二电激光器接触体(127)被布置为能够向VCSEL阵列的所有激光二极管(122)提供公共的电驱动电流。5.根据前述权利要求中的任一项所述的VCSEL装置(100),其中,每个检测器(140)被布置为能够从一个相应的激光二极管(122)接收激光(100)。6.根据前述权利要求中的任一项所述的VCSEL装置(100),其中,检测器(140)被集成在光学谐振器中。7.根据权利要求6所述的VCSEL装置(100),其中,每个光学谐振器包括一个专用的检测器(140)。8.根据权利要求7所述的VCSEL装置(100),其中,每个检测器(140)包括第一检测器电极(150),其中,第一检测器电极(150)和至少一个附加电极被布置为能够读取电自混合干涉测量信号。9.根据权利要求8所述的VCSEL装置(100),其中,所述至少一个附加电极包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:P
申请(专利权)人:通快光电器件有限公司
类型:发明
国别省市:

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