一种二维材料场效应晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明专利技术提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。二维材料场效应晶体管。二维材料场效应晶体管。

【技术实现步骤摘要】
一种二维材料场效应晶体管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体晶体管
，尤其涉及一种二维材料场效应晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]二维材料，如石墨烯、二硫化钼、碳纳米管、二硫化钨等，具有与体材料完全不同的新奇性能，由二维材料制备的晶体管，可以应用于探测器，数字电路及射频电路中。
[0003]目前，传统的自对准晶体管制备技术是在二维材料表面蒸镀Au保护层，并使用自对准工艺腐蚀出二维材料沟道，再于沟道表面沉积栅介质和栅电极。然而，在制备过程中，通常会在二维材料表面残留Au和引入金属腐蚀液杂质，或Au腐蚀液与二维硫化物材料进行反应，造成晶体管沟道的污染破坏，降低了晶体管的性能。

技术实现思路

[0004]针对现有自对准晶体管制备技术中存在的上述技术问题，本专利技术提供一种二维材料场效应晶体管的制备方法。
[0005]为达到上述专利技术目的，本专利技术采用了如下的技术方案：
[0006]一种二维材料场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：
[0007]S1，在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；
[0008]S2，在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层，所述第一金属层为Ti或Ni，所述第二金属层为Au；
[0009]S3，在所述第二金属层表面旋涂台面胶，光刻显影形成台面图形，使用氧等离子体隔离台面，并用金属腐蚀液腐蚀台面外金属；
[0010]S4，去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，得到源漏电极图形，蒸镀源漏电极并剥离电极光刻胶；
[0011]S5，旋涂电子束光刻胶，进行曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀沟道图形处的第二金属层形成栅槽，并清洗；
[0012]S6，在空气气氛下，使栅槽处第一金属层中的Ti或Ni自氧化形成栅介质，蒸发栅金属并剥离，得到二维材料场效应晶体管。
[0013]相对于现有技术，本专利技术提供的二维材料场效应晶体管的制备方法，在二维材料表面依次蒸镀由Ti或Ni形成的第一金属层和由Au形成的第二金属层，采用两种金属层作为二维材料的保护层，在自对准工艺过程中，只腐蚀沟道处的第二金属层的Au而保留第一金属层的Ti或Ni，使Ti或Ni暴露在空气中自氧化形成TiO2或NiO栅介质，再在栅介质上形成栅，整个晶体管制作过程中沟道处的二维材料不会接触到任何溶液，可以有效的解决现有二维材料晶体管制作过程中材料表面被污染的问题，达到提升二维材料晶体管性能的目的。
[0014]进一步地，步骤S1中，所述绝缘衬底为二氧化硅、蓝宝石、金刚石、碳化硅、氧化镓、
氮化镓或砷化镓衬底中的一种。
[0015]进一步地，步骤S1中，所述二维材料层为单层或多层。
[0016]进一步地，步骤S1中，二维材料为石墨烯、碳纳米管、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、ReSe2、SnSe2、PtSe2、PdS2、MoTe2或GaTe中的一种。
[0017]进一步地，步骤S2中，所述第一金属层的厚度为1～10nm；所述第二金属层的厚度为20～50nm，作为保护层的同时，作为牺牲材料形成沟道，得到栅介质。
[0018]进一步地，步骤S3中，所述金属腐蚀液包括用于腐蚀Au的碘化钾溶液、用于腐蚀Ti的氢氟酸溶液和用于腐蚀Ni的三氯化铁溶液；所述氧等离子体的功率为50W～100W，隔离时间为4～6min。
[0019]进一步地，步骤S4中，所述源漏电极的底层为钛，上层为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种或两种以上组成的合金，所述源漏电极的厚度为15～500nm。
[0020]进一步地，步骤S6中，栅型为直栅或T型栅，栅的长为10～2000nm，宽为2～150μm。
[0021]进一步地，步骤S6中，Ti或Ni自氧化的温度为20～80℃，时间为6～24h，保证Ti或Ni完全氧化形成TiO2或NiO栅介质，保证绝缘隔离效果。
[0022]进一步地，步骤S6中，所述栅金属的底层为铝、镍或钛，上层为钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金、钛、铝、铬、锗、钼、镍、钨、铜、钴或铁中的一种或两种以上组成的合金，所述栅金属的厚度为100～500nm。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例1中蒸镀金属层后的Au/Ti/石墨烯/SiC衬底结构示意图；
[0024]图2是本专利技术实施例1中进行台面隔离后晶体管的俯视图；
[0025]图3为本专利技术实施例1中曝光并显影后的沟道结构示意图；
[0026]图4为本专利技术实施例1中腐蚀沟道处金后的栅槽结构示意图；
[0027]图5为本专利技术实施例1中Ti自氧化为栅介质的晶体管的示意图；
[0028]图6为本专利技术实施例1中蒸发栅金属后的晶体管的示意图；
[0029]图7为本专利技术实施例1中剥离光刻胶上的栅金属后晶体管的示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0031]本专利技术实施例提供一种二维材料场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：
[0032]S1，在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；
[0033]S2，在所述二维材料层表面依次蒸镀由Ti或Ni形成的第一金属层和由Au形成的第二金属层；
[0034]S3，在所述第二金属层表面旋涂台面胶，光刻显影形成台面图形，使用氧等离子体隔离台面，并用金属腐蚀液腐蚀台面外的第二金属层和第一金属层；
[0035]S4，去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，在台面两侧腐蚀掉金属的二维材料
表面得到源漏电极图形，蒸镀源漏电极并剥离电极光刻胶；
[0036]S5，旋涂电子束光刻胶，对台面进行曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀沟道图形处的由Au形成的第二金属层形成栅槽，并清洗；
[0037]S6，在空气气氛下，使栅槽处第一金属层中的Ti或Ni自氧化，形成TiO2或NiO栅介质，蒸发栅金属并剥离，得到二维材料场效应晶体管。
[0038]为了更好的说明本专利技术实施例提供的二维材料场效应晶体管的制备方法，下面通过实施例做进一步的举例说明。
[0039]实施例1
[0040]一种二维材料场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：
[0041]S1，在SiC衬底上热解制备石墨烯；
[0042]S2，在石墨烯表面依次蒸镀由Ti形成的第一金属层和由Au形成的第二金属层，得到Au/Ti/石墨烯/SiC衬底(如图1所示)，Ti层厚度为1nm，Au层厚度为20nm，；
[0043]S3，在第二金属层表面旋涂台面胶，光刻显影形成台面图形，使用功率为70W的氧等离子体隔离台面5min，并用金属腐蚀液腐蚀台面外的第二金属层和第一金属层，用碘化钾溶液腐蚀Au，用氢氟酸溶液腐蚀Ti，裸露出石墨烯(如图2所示)；
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维材料场效应晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；S2，在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层，所述第一金属层为Ti或Ni，所述第二金属层为Au；S3，在所述第二金属层表面旋涂台面胶，光刻显影形成台面图形，使用氧等离子体隔离台面，并用金属腐蚀液腐蚀台面外金属；S4，去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，得到源漏电极图形，蒸镀源漏电极并剥离电极光刻胶；S5，旋涂电子束光刻胶，进行曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀沟道图形处的第二金属层形成栅槽，并清洗；S6，在空气气氛下，使栅槽处第一金属层中的Ti或Ni自氧化形成栅介质，蒸发栅金属并剥离，得到二维材料场效应晶体管。2.如权利要求1所述的二维材料场效应晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述绝缘衬底为二氧化硅、蓝宝石、金刚石、碳化硅、氧化镓、氮化镓或砷化镓衬底中的一种。3.如权利要求1所述的二维材料场效应晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述二维材料层为单层或多层。4.如权利要求3所述的二维材料场效应晶体管的制备方法，其特征在于：步骤S1中，二维材料为石墨烯、碳纳米管、MoS2、WS2、MoSe2、WSe2、ReSe2、SnSe2、PtSe2、PdS2、MoTe2或GaTe中的一种。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高学栋，冯志红，蔚翠，何泽召，刘庆彬，郭建超，周闯杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：