电压转换电路制造技术

一种电压转换电路，包含桥式整流器、齐纳二极管、第一晶体管及第二晶体管，其中，齐纳二极管电性连接于第一晶体管和第二晶体管之间。极管电性连接于第一晶体管和第二晶体管之间。极管电性连接于第一晶体管和第二晶体管之间。

【技术实现步骤摘要】
电压转换电路


[0001]本专利技术是有关于一种电压转换电路与相关的应用，且特别是有关于一种将交流电压转换成直流电压的电路设计。

技术介绍

[0002]目前常用市电为110V(或220V)/60Hz的交流电压(AC)，而一般电路中控制IC的操作电压是3.3-12V的直流电压(DC)，因此需要将市电降压整流成IC能使用的电源。传统上使用CMOS做成的交流-直流电压转换电路会有高损耗，且电路元件数多，因此造成交流-直流电压转换电路有转换效率不佳及体积大等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术是公开一种电压转换电路，包括桥式整流器、第一晶体管、第二晶体管以及齐纳二极管。第一晶体管具有第一端点、第二端点以及第三端点，第二晶体管具有第一端点以及第二端点，且第一晶体管的第三端点和第二晶体管的第二端点经由齐纳二极管电性连接。第一晶体管的第一端点和第二晶体管的第一端点与桥式整流器电性连接，第一晶体管的第二端点和第二晶体管的第一端点电性连接。
附图说明
[0004]图1A为本专利技术一实施例的电压转换电路的示意图。
[0005]图1B显示交流输入电源转换成直流电源地电压波形图。
[0006]图2为本专利技术另一实施例的电压转换电路的示意图。
[0007]图3为本专利技术另一实施例的电压转换电路的示意图。
[0008]图4为本专利技术另一实施例的电压转换电路的示意图。
[0009]图5为本专利技术另一实施例的电压转换电路的示意图。
[0010]图6为本专利技术另一实施例的电压转换电路的示意图。
[0011]图7为本专利技术一实施例的智能照明电路的方块示意图。
[0012]图8A为本专利技术一实施例的智能照明电路的示意图。
[0013]图8B显示图8A中直流电源VDC-IN的电压波形14、充电电流ILDO的电流波形16、充电电流ICHG-D13的电流波形19、以及电流ILED的电流波形18。
[0014]图9A为依据本专利技术所实施的封装好的集成电路MOD；
[0015]图9B显示集成电路MOD的符号。
[0016]图10为集成电路MOD的封装内部结构。
[0017]图11为集成电路MOD的底部管脚配置图。
[0018]图12为依据本专利技术所实施的电压转换电路。
[0019]图13为依据本专利技术所实施的电压转换电路。
[0020]图14显示依据本专利技术所实施的智能插座的电路。
[0021]图15显示依据本专利技术所实施的智能插座的电路。
[0022]图16显示依据本专利技术所实施的智能插座的电路。
[0023]图17显示照明电路。
[0024]图18A为依据本专利技术所实施的定功率照明电路。
[0025]图18B显示电压波形DC110与DC220，电流波形ILED110与ILED220。
[0026]图18C为依据本专利技术所实施的定功率照明电路。
[0027]图19A为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0028]图19B为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0029]图20为依据本专利技术所实施的照明电路。
[0030]图21A为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0031]图21B为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0032]图22A为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0033]图22B为依据本专利技术所实施的可调光的照明电路。
[0034]图23显示电位转换器以及周遭相关电路。
[0035]图24为依据本专利技术所实施的智能照明电路。
[0036]图25为图24的智能照明电路的详细电路的实施例。
具体实施方式
[0037]图1A为根据本专利技术实施例的一种将交流电压(AC)转换成直流电压(DC)的电压转换电路100，主要目的在于经由接点Vout提供具有稳定的输出电压的输出电源，供应给其他电路。在此电压转换电路100中，具有桥式整流器101，电阻R1和R2，晶体管Q1和Q2，齐纳二极管D1以及电容C1。晶体管Q1可以是双极结晶体管(bipolar junction transistor；BJT)，更具体来说是一NPN双极性晶体管。晶体管Q2可以是高电子迁移率场效晶体管(high electron mobility transistor；HEMT)，更具体来说是耗尽型高电子迁移率场效晶体管(Depletion-mode HEMT)。晶体管Q1具有基极B、集电极C和射极E，晶体管Q2具有栅极G、漏极D和源极S。集电极C和漏极D与桥式整流器101电性连接，栅极G与集电极C电性连接。齐纳二极管D1的阴极电性连接至接点Vout，齐纳二极管D1的阳极电性连接至晶体管Q1的基极B。
[0038]桥式整流器101包含有四个整流二极管D2-D5。在一实施例中，整流二极管D2-D5可以都是肖特基二极管(Schottky Barrier Diode；SBD)。桥式整流器101将交流输入电源VAC-IN整流，用以产生直流电源VDC-IN以及接地电压。举例来说，交流输入电源VAC-IN可以是110VAC、220VAC或230VAC的市电。接地电压做为整个电压转换电路100中0V的参考电位。
[0039]图1B显示交流输入电源VAC-IN的电压波形11及直流电源VDC-IN的电压波形12。举例来说，交流输入电源VAC-IN是220VAC，为一正弦波。桥式整流器101提供全波整流，将电压波形11中电压值为负的部分转变成正，如同电压波形12所示。时段TP1表示直流电源VDC-IN的电压上升的时段，时段TP2表示直流电源VDC-IN的电压下降的时段。
[0040]晶体管Q2经由栅极G接收直流电源VDC-IN的电压，使得栅极G与源极S之间的电压大于晶体管Q2的阈值电压，晶体管Q2被导通(turn-on)并产生由漏极D流向源极S的电流。直流电源VDC-IN因此可经由电阻R2及晶体管Q2对电容C1充电，并造成接点Vout的输出电压上升。电阻R2可以用来限制流经晶体管Q2的最大电流。随着接点Vout的输出电压上升到一预
定电压，且此预定电压足够让齐纳二极管D1击穿(breakdown)时，接点Vout的输出电压可以造成晶体管Q1导通，进而让接地电压(Ground potential，通常为0伏特)经由晶体管Q1被施加至晶体管Q2的栅极G，使得晶体管Q2被关闭(turn-off)。所以直流电源VDC-IN无法再继续对电容C1充电，如此可以达到电容C1被充电到一预定电压(即让齐纳二极管D1击穿且晶体管Q1导通时的电压)时，便不再对其充电，达到提供稳定的输出电压的功效。
[0041]图2为根据本专利技术另一实施例的一种将交流电压(AC)转换成直流电压(DC)的电压转换电路200，主要目的在于接点Vout提供稳定的一输出电压。电压转换电路200具有桥式整流器101，电阻R1和R2，晶体管Q1和Q2，齐纳二极管D1以及一电容C1。齐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压转换电路，包括：桥式整流器；第一晶体管具有第一端点、第二端点以及第三端点；第二晶体管具有第一端点以及第二端点，其中该第一晶体管的该第一端点和该第二晶体管的该第一端点与该桥式整流器电性连接，该第一晶体管的该第二端点和该第二晶体管的该第一端点电性连接；以及齐纳二极管，其中该第一晶体管的该第三端点和该第二晶体管的该第二端点经由该齐纳二极管电性连接。2.根据权利要求1所述的电压转换电路，还包括第一分压电路及第一接点，其中，该第一分压电路包含第一电阻及第二电阻，该第一接点直接与该第一电阻、该第二电阻及该第二晶体管连接。3.根据权利要求2所述的电压转换电路，其中，该第二晶体管的该第二端点与该第一接点电性连接。4.根据权利要求1所述的电压转换电路，还包括第二分压电路及第二接点，该第二分压电路包含第三电阻及第四电阻，其中，该第二接点位于该第三电阻和该第四电阻之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王圣博，傅乔，吴长协，郭家泰，张朝凯，刘耀钟，沈依如，王振宇，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：