【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体存储装置
[0001]本申请享受2018年4月23日申请的日本国特许申请编号2018-082281以及2018年12月5日申请的日本国特许申请编号2018-228246的优先权的利益，该日本国特许申请的全部内容被援用在本申请中。
[0002]本实施方式一般涉及半导体存储装置。
技术介绍
[0003]闪速存储器的存储容量伴随着技术改良而增大。伴随于此，如可移动(removable)存储卡那样的半导体存储装置的数据传送量增大，数据传送时间也增大。
[0004]若半导体存储装置的通信接口高速化，则能够缩短数据传送时间。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献1：日本特开2009-259207号公报
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式涉及的存储卡的例示性俯视图。
[0008]图2是表示第1实施方式的存储卡的例示性侧视图。
[0009]图3是表示第1实施方式的多个端子的信号分配的一个例子的例示性表。
[0010]图4是示意性地表示第1实施方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体存储装置，具备：壳体，其具有第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、在第1方向上延伸的第1端缘、位于所述第1端缘的相反侧并在所述第1方向上延伸的第2端缘、在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的第1侧缘、以及形成所述第1端缘与所述第1侧缘之间的缺口的第1角部；存储器，其设置于所述壳体的内部；控制器，其设置于所述壳体的内部，对所述存储器进行控制；以及多个端子，其包括在信号传输中使用的多个信号端子，设置于所述第1面，所述多个端子形成至少一个第1列和至少一个第2列，所述至少一个第1列分别包括在距所述第1端缘比距所述第2端缘近的位置相互隔着间隔而在所述第1方向上排列的所述多个端子，在所述多个端子形成多个所述第1列的情况下相互隔着间隔而在所述第2方向上排列，所述至少一个第2列分别包括在距所述第2端缘比距所述第1端缘近的位置相互隔着间隔而在所述第1方向上排列的所述多个端子，在所述多个端子形成多个所述第2列的情况下相互隔着间隔而在所述第2方向上排列。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，形成所述至少一个第1列的所述多个端子包括被分配了差分数据信号的至少一对差分数据信号端子。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，所述多个信号端子包括被分配了差分数据信号的至少一对第1信号端子、和被使用于传输频率比所述第1信号端子的信号的频率低的信号的第2信号端子，所述第1信号端子包括于所述至少一个第1列，所述第2信号端子包括于所述至少一个第2列。4.根据权利要求1或者3所述的半导体存储装置，所述至少一个第1列所包括的所述信号端子的数量比所述至少一个第2列所包括的所述信号端子的数量多。5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，形成所述至少一个第1列的所述多个端子包括被分配给了接地的多个接地端子，所述至少一对第1信号端子中的各对，位于所述多个接地端子中的两个之间，形成所述至少一个第2列的所述多个端子，包括被分配给了频率比所述差分数据信号的频率低的差分时钟信号的差分时钟信号端子、被分配给了单端信号的单端信号端子、以及被分配给了电源的至少一个电源端子。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，所述差分数据信号遵循PCIe标准，形成所述至少一个第1列的所述多个端子包括被分配给了所述差分数据信号的多个通道的多对所述第1信号端子。7.根据权利要求5或者6所述的半导体存储装置，所述单端信号端子包括被分配给了PCIe标准的边带信号的多个边带信号端子。8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体存储装置，所述电源端子包括被分配了第1电源的第1电源端子、被分配了电压为所述第1电源以
下的第2电源的多个第2电源端子、以及被分配了电压为所述第2电源以下的第3电源的多个第3电源端子。9.根据权利要求5～8中任一项所述的半导体存储装置，还具备调节器，所述调节器生成比所输入的电源电压低的电源电压，所述电源端子包括被分配了第1电源电压的电源的所述电源端子、和被分配了第2电源电压的电源的所述电源端子，所述调节器在被分配了所述第1电源电压的电源的所述电源端子已接地连接的情况下，从施加于被分配了所述第2电源电压的电源的所述电源端子的所述第2电源电压生成所述第1电源电压。10.根据权利要求5～9中任一项所述的半导体存储装置，形成所述至少一个第2列的所述多个端子包...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤本曜久，近藤敦志，坂本典哉，西山拓，渡边胜好，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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