可变电阻存储器装置制造方法及图纸

提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上具有位于其中的绝热线；可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。位于选择结构上。位于选择结构上。

【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器装置
[0001]于2019年7月23日在韩国知识产权局提交且名称为“可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法”的第10-2019-0088777号韩国专利申请通过引用全部包含于此。


[0002]实施例涉及一种可变电阻存储器装置以及一种制造该可变电阻存储器装置的方法。

技术介绍

[0003]在制造PRAM装置的方法中，可以通过镶嵌工艺形成下电极、可变电阻图案和/或上电极，并且其中可以形成下电极、可变电阻图案和/或上电极的模制件的高宽比会增大。

技术实现思路

[0004]实施例可以通过提供一种可变电阻存储器装置来实现，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，位于基底上，第一导线结构具有位于其中的绝热线；至少一个可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触所述至少一个可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。
[0005]实施例可以通过提供一种可变电阻存储器装置来实现，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，位于基底上，第一导线结构在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸；可变电阻图案，在第一方向上彼此间隔开，可变电阻图案中的每个接触第一导线结构的上表面；模制件和填充结构，位于第一导线结构上，模制件和填充结构在第一方向上交替地布置在可变电阻图案中的相邻的可变电阻图案之间的相应空间中；蚀刻停止图案，位于模制件上；低电阻图案，接触可变电阻图案中的相应的可变电阻图案的上表面；以及选择结构，位于低电阻图案上。
[0006]实施例可以通过提供一种可变电阻存储器装置来实现，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上沿第二方向彼此间隔开，每个第一导线结构沿第一方向延伸，第一方向和第二方向中的每个基本平行于基底的上表面，并且第一方向与第二方向交叉；第二导线，在第一导线结构上沿第一方向彼此间隔开，每条第二导线沿第二方向延伸；可变电阻图案，在第一导线结构和第二导线沿基本垂直于基底的上表面的第三方向彼此叠置的相应区域处位于第一导线结构与第二导线之间，可变电阻图案分别接触第一导线结构的上表面；填充结构，包括在基底上在第一导线结构之间沿第一方向延伸的第一部分和在第一导线结构上从第一部分沿第二方向延伸的第二部分，第一部分接触可变电阻图案的在第二方向上的相对侧壁中的每个，每个第二部分接触可变电阻图案中的对应的可变电阻图案的在第一方向上的侧壁；模制件，位于每个第一导线结构上，每个模制件接触可变电阻图案中的对应的可变电阻图案的在第一方向上的侧壁，并且所述侧壁不接触每个第二部分；低电阻图案，接触每个可变电阻图案的上表面；以及选择结构，位于低电阻图案上，其中，每
个第一导线结构包括在第三方向上位于第一导线之间的绝热线，并且其中，选择结构包括在第三方向上顺序地堆叠的第一缓冲件、选择图案和第二缓冲件。
[0007]实施例可以通过提供一种制造可变电阻存储器装置的方法来实现，所述方法包括：在基底上形成第一导电层结构；在第一导电层结构上形成间隔线、模制线和第一填充线，间隔线在基本平行于基底的上表面的第一方向上彼此间隔开，并且模制线和第一填充线沿第一方向在间隔线之间的相应的空间中交替地布置；使间隔线、第一填充线、模制线和第一导电层结构图案化以分别形成间隔图案、第一填充图案、模制件和第一导线结构，第一导线结构在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，每个第一导线结构在第一方向上延伸，并且每个第一导线结构以及位于每个第一导线结构上的间隔图案、第一填充图案和模制件形成第一堆叠结构；在基底上沿第二方向在第一堆叠结构的相邻的第一堆叠结构之间形成第二填充线；用可变电阻图案分别代替间隔图案；以及在每个可变电阻图案上形成顺序地堆叠的低电阻图案和选择图案。
[0008]实施例可以通过提供一种制造可变电阻存储器装置的方法来实现，所述方法包括：在基底上形成导线结构，每个导线结构在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸，并且导线结构在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上通过第一绝缘夹层彼此间隔开；在导线结构和第一绝缘夹层上形成间隔线、模制线和第一填充线，间隔线沿第一方向彼此间隔开，模制线和第一填充线沿第一方向在间隔线之间的相应的空间中交替地布置，并且每条模制线具有在其上的蚀刻停止线；使间隔线、第一填充线、模制线和蚀刻停止线图案化以形成堆叠结构，所述堆叠结构通过各自使第一绝缘夹层的上表面暴露的第一开口在第二方向上彼此间隔开并且在第一方向上延伸，在每个导线结构上从间隔线、第一填充线、模制线和蚀刻停止线分别形成间隔图案、第一填充图案、模制件和蚀刻停止图案；在第一绝缘夹层和堆叠结构的暴露的上表面上形成第二填充层，以填充第一开口；使第二填充层平坦化直到暴露蚀刻停止图案，以在第一开口中分别形成第二填充线；用可变电阻图案分别代替间隔图案；以及在每个可变电阻图案上形成顺序地堆叠的低电阻图案和选择结构。
[0009]实施例可以通过提供一种制造可变电阻存储器装置的方法来实现，所述方法包括：在基底上形成导电层结构；在导电层结构上形成模制线，模制线通过各自暴露导电层结构的上表面的第一开口在基本平行于基底的上表面的第一方向上彼此间隔开，并且每条模制线在基本平行于基底的上表面并与第一方向交叉的第二方向上延伸；在导电层结构的暴露的上表面、第一开口的侧壁和模制线的上表面上形成间隔层；对间隔层执行回蚀刻工艺以去除间隔层的在导电层结构和模制线上的部分，使得每个第一开口的上部被扩大，从间隔层分别在模制线的相对侧壁上形成间隔线；形成第一填充线以分别填充第一开口；使间隔线、第一填充线、模制线和导电层结构图案化，以分别形成彼此间隔开的间隔图案、第一填充图案、模制件和导线结构，每个导线结构在第一方向上延伸，导线结构在第二方向上彼此间隔开，并且每个导线结构和在每个导线结构上的间隔图案、第一填充图案和模制件形成堆叠结构；在基底上的堆叠结构之间形成第二填充线；用可变电阻图案分别代替间隔图案；以及在每个可变电阻图案上形成顺序地堆叠的低电阻图案和选择结构。
附图说明
[0010]通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员而言将变得明显。
[0011]图1至图15示出了根据示例实施例的制造可变电阻存储器装置的方法中的阶段的透视图。
[0012]图16至图20示出了根据示例实施例的制造可变电阻存储器装置的方法中的阶段的透视图。
[0013]图21至图23示出了根据示例实施例的制造可变电阻存储器装置的方法中的阶段的透视图。
具体实施方式
[0014]图1至图15示出了根据示例实施例的制造可变电阻存储器装置的方法中的阶段的透视图。
[0015]在下文中，在说明书中(而不是在权利要求中)，在基本平行于基底的上表面的水平方向之中的彼此相交的两个方向分别被定义为第一方向和第二方向，并且基本垂直于基底的上表面的竖直方向被定义为第三方向。在示例实施例中，第一方向和第二方向可以彼此正交。
[0016]参照图1，可以在基底1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，位于基底上，第一导线结构具有位于其中的绝热线；至少一个可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触所述至少一个可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中：第一导线结构包括位于第一导线之间的所述绝热线，第一导线具有比所述至少一个可变电阻图案的电阻低的电阻，绝热线具有比第一导线的热导率低的热导率，并且所述至少一个可变电阻图案接触第一导线的上表面。3.根据权利要求2所述的可变电阻存储器装置，其中：第一导线包括金属，并且绝热线包括碳、碳化合物或含碳金属。4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中，低电阻图案包括金属。5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中，选择结构包括顺序地堆叠的第一缓冲件、选择图案和第二缓冲件。6.根据权利要求5所述的可变电阻存储器装置，其中：第一缓冲件具有比低电阻图案的热导率低的热导率，并且第一缓冲件的底表面接触低电阻图案的上表面。7.根据权利要求6所述的可变电阻存储器装置，其中，第一缓冲件和第二缓冲件中的每个包括碳、碳化合物或含碳金属。8.根据权利要求5所述的可变电阻存储器装置，其中，选择图案包括包含锗、硅、砷或碲的OTS材料。9.根据权利要求5所述的可变电阻存储器装置，其中，选择图案包括AsTeGeSiIn、GeTe、SnTe、GeSe、SnSe、AsTeGeSiSbS、AsTeGeSiInP、AsTeGeSi、As2Te3Ge、As2Se3Ge、As
25
(Te
90
Ge
10
)
75
、Te
40
As
35
Si
18
Ge
6.75
In
0.25
、Te
28
As
34.5
Ge
15.5
S
22
、Te
39
As
36
Si
17
Ge7P、As
10
Te
21
S2Ge
15
Se
50
Sb2、Si5Te
34
As
28
Ge
11
S
21
Se1、AsTeGeSiSeNS、AsTeGeSiP、AsSe、AsGeSe、AsTeGeSe、ZnTe、GeTePb、GeSeTe、AlAsTe、SeAsGeC、SeTeGeSi、GeSbTeSe、GeBiTeSe、GeAsSbSe、GeAsBiTe、GeAsBiSe、或Ge
x
Se
1-x
，其中，0<x<1。10.根据权利要求1所述的可变电阻存储器装置，其中：第一导线结构在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸，所述至少一个可变电阻图案包括在第一导线结构上在第一方向上彼此间隔开的多个可变电阻图案，并且第二导线在基本平行于基底的上表面并且与第一方向交叉的第二方向上延伸。11.根据权利要求10所述的可变电阻存储器装置，其中：多个第一导线结构在第二方向上彼此间隔开，并且多条第二导线在第一方向上彼此间隔开。12.根据权利要求10所述的可变电阻存储器装置，其中：
多个低电阻图案在所述多条第二导线中的每条下面沿第二方向彼此间隔开，并且多个选择结构在所述多条第二导线中的每条下面沿第二方向彼此间隔开。13.根据权利要求10所述的可变电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：白晙焕，朴勇振，梁辰旭，吴圭焕，郑智允，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：