液晶显示器件制造技术

一种液晶显示器件，包含一对基板和位于该对基板之间的液晶层。一片基板包含多个电极以施加基本上与基板平行的电场于液晶层，至少一个电极的保护层，在保护层或电极上形成的取向层。取向层适合于使ＡＣ残留图像小于８％，结果得到高品质图像显示，没有因ＡＣ残留图像而出现的失效。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器件，其中在近似平行于基板平坦表面的方向上施加电场以驱动液晶。液晶显示器件就应用而言是特别有效的，因为在其中减少了由纯交流(AC)驱动引起的残留图像，提供了优良的显示特性，并且有卓越的生产率。
技术介绍
在普通液晶显示器件中，应用以扭曲向列显示系统为代表的纵向电场系统，其中，驱动夹持在一对基板之间的液晶层的电极，由在该对基板相互对置形成的透明电极构成，施加在近似垂直于基板表面的方向上提供的电场，以驱动液晶。另一方面，开发了一种横向电场系统，其中，施加于液晶的电场在近似于平行基板表面的方向上被提供。作为该系统的一个例子，应用了一对梳形电极，其中，提供近似平行于电极表面的电场的电极在基板之一上形成，该内容公开在日本专利公报No21,907/1988、美国专利说明书No 4,345,249、欧洲专利No91/10,936、日本专利公开No 222,397/1994和160,878/1994等。不必要的是，这些文献中所公开的电极是透明的，并应用了具有高导电率的不透明金属电极。在如上述文献所公开的、施加于液晶的电场的方向为近似平行于基板表面的方向的显示系统中，迄今，在日本专利公开No159,786/1995中，提出了一种减少从一开始就存在的显示不均匀性，例如边缘畴的方法。但是，完全没有述及，消除在应力试验如高温工作试验或类似试验中发生的显示不均匀性和改善生产率所需要的结构等。本专利技术申请人发现，就上述横向电场系统的液晶显示器件而论，通常AC驱动在高温55℃或类似温度下进行，会形成导致显示缺陷的残留图像(这称作AC残留图像)。为了消除这种显示不均匀性，本专利技术申请人进行了刻苦的努力，从而证实，只要AC残留图像低于某一百分率，就不会观察到显示不均匀性。还发现，为模拟显示不均匀性引起的显示缺陷，有效的是使用特定取向膜并增加取向膜和液晶分子的相互作用。还发现，在取向膜中的、一般用于改善与基板粘合性的硅烷偶联剂对显示不均匀性有影响。本专利技术旨在提供一种能够显示高质量图像的、消除了由AC残留图像引起的显示缺陷的液晶显示器件。
技术实现思路
本专利技术的特征在于下述(1)～(6)中所述的结构。(1)液晶显示器件，包括一对基板和夹持于这对基板之间的液晶层，至少该对基板之一装有多个电极以施加电场于液晶层；一层保护膜，它保护至少多个电极之一；以及一层取向膜，它是为覆盖保护膜或电极而形成的，其中，保护膜的膜厚为0.1μm～0.7μm，取向膜的AC残留图像小于8％。(2)液晶层的比电阻为1010Ω·cm或更高。(3)至少一层在(1)或(2)中的取向膜是含有至少一种聚合物和低聚物的有机聚合物，其中，具有施加于胺组分或酸物质(sentence)的长链烷基基团的重物质，为总摩尔量的至少5％，最多30％。(4)在(3)中的聚合物和低聚物的重均分子量为至少2,000，最多30,000。(5)在(3)或(4)中的聚合物和低聚物含有至少一个主链型和端基型的长链亚烷基基团。(6)在(1)至(5)中的取向膜是有机聚合物，它是含长链亚烷基基团的酰氨基酸酰亚胺型聚合物和/或低聚物、酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物亚氨基硅氧烷型聚合物和/或低聚物或酰胺-酰亚胺型聚合物和/或低聚物。(7)液晶显示器件，包含一对基板和夹持在这对基板之间的液晶层，至少这对基板之一装有至少一对电极，用于施加电场于液晶层，保护膜，用于保护多个电极和在保护膜和电极上形成的取向膜，其中保护膜的膜厚为小于0.5μm，以及取向膜的AC残留图像为小于8％。附图简述附图说明图1是表示一片基板的简化结构的截面示意图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例；图2是表示在单元像素中各个电板的结构的平面示意图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例；图3是等效电路图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例的驱动结构；图4是本专利技术的液晶显示器件中的摩擦角和偏转片的角的说明图；图5是评价B-V特性变化的测量系统的方块图；和图6是像素电极和钝化膜的重叠部分的断面图。实施本专利技术的最佳方式现参照附图较详细地叙述本专利技术如下。顺便提一下，在本专利技术中，本专利技术的权利要求范围并不被限制于如下实施例。实施例1图1是表示一片基板的简化结构的断面示意图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例。所示基板是在横向电场系统的液晶显示器件中的在其上形成电极的基板。1是公用电极，2是栅绝缘膜，3是像素电极，4是钝化膜(绝缘膜)，5是取向膜，7是构成在其上形成电极的基板的玻璃基板，11是薄膜晶体管，和12是图像信号电极。另外，图2是表示在一个单元像素中各个电极结构的平面示意图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例。9是扫描信号电极，以及，10是无定形Si。扫描信号电极9是公用电极1在抛光的玻璃基板7上形成，在扫描信号电极9和公用电极1的表面被氧化铝膜涂覆，氧化铝膜是铝(Al)的阳极氧化物膜。形成由氮化硅(SiN)膜制成的栅绝缘膜2和无定形硅(a-Si)膜10，用以覆盖扫描信号电极9和公用电极1，n型a-Si膜、像素电极3和图像信号电极12在该a-Si膜10上形成。在底涂层中的采用铬(Cr)的、在上层中采用铝(Al)的层叠电极，用作像素电极3和图像信号电极12。膜厚总计为0.2μm。扫描信号电极9、公用电极1、像素电极3和图像信号电极12的材料并不限于上述材料，所用材料不受限制，只要它们是具有低电阻的金属材料即可。例如，也可提供的有金属如铬、铝、铜或铌等，合金如CrMo或AlTiTa等，或者在底层采用铝而在上层采用铬的层叠结构。像素电极3和图像信号电极12具有的结构是，如图2所示，两者均平行于条形公用电极1，并且与扫描信号电极9交叉，和一个晶体管元件(薄膜晶体管TFT)11和金属电极组在一个基板上形成。因此，在一个基板上的像素电极3和公用电极1之间形成的电场近似平行于基板表面。电极的排列并不限于图2所示者。也可提供使像素上液晶的驱动方向为双向的结构，例如公用电极1和像素电极3为锯齿形的结构，或者公用电极1和像素电极3不平行于图像信号电极12的结构。像素个数是1,024(×3)×768，像素间距在横向(即，公用电极之间)上为88μm，在纵向(即，扫描信号电极之间)上为264μm。另外，与具有晶体管元件的基板相对的基板(未示出)在其上装有R、G和B三色的条形滤色片。为了使表面变平的透明树脂层叠在该滤色片上。采用环氧树脂作为透明树脂的材料。另外，将聚酰亚胺基取向膜涂布在透明树脂上。图3是等效电路图，用以描述本专利技术的液晶显示器件的第一实施例的驱动结构。13是垂直扫描电路，14是图像信号驱动电路，15是电源电路/控制器，17是显示部件(液晶面板)，以及，18是公用电极驱动电路。驱动LSI与显示部件17相连，垂直扫描电路13和图像信号驱动电路14均与此相连，以及扫描信号电压、图像信号电压和同步信号等由电源电路/控制器15供电，以进行图像显示。图4是本专利技术的液晶显示器件中的摩擦角和偏转片的角的说明图。6是电场方向，19是摩擦方向，和20是偏转片的透射轴。在该图中，在上基板和下基板(在上面形成滤色片的基板，和在上面形成电极的基板)上形成的取向膜的摩擦方向19彼此大致平行，与所施加的电场的方向6的夹角fLC为75°。将二块偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器件，包括：一对基板和被夹持在该对基板之间的液晶层， 该对基板中的至少一片附有多个电极以用于施加电场于液晶层，提供保护膜以保护多个电极中的至少一个，并形成取向膜以覆盖保护膜或电极，其特征在于： 保护膜的膜厚为０．１μｍ～０．７μｍ；以及 取向膜的ＡＣ残留图像小于８％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：小林节郎，柳川和彦，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]