聚焦环和包括其的基板处理装置制造方法及图纸

本申请提供了聚焦环和具有该聚焦环的基板处理装置。基板处理装置包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：工艺腔室提供用于基板的工艺处理空间；卡盘支承基板；聚焦环布置为围绕卡盘的边缘，其中，聚焦环包括具有不同性质的多个层，并且多个层之间的接合表面形成为预先设定的规定图案。定的规定图案。定的规定图案。

【技术实现步骤摘要】
聚焦环和包括其的基板处理装置


[0001]本专利技术涉及聚焦环和具有上述聚焦环的基板处理装置。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置或显示装置时，可以实施摄像、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洗等各种工艺。在这里，摄像工艺包括涂覆、曝光和显影工艺。将感光液涂覆到基板上(即，涂覆工艺)，在形成有感光膜的基板上进行曝光而形成电路图案(即，曝光工艺)，并且对基板的经曝光处理的区域进行选择性显影(即，显影工艺)。
[0003]通常，在半导体制造工艺中，可以利用等离子体来蚀刻形成在晶片或基板上的薄膜。通过在工艺腔室内部形成的电场，等离子体可以与晶片或基板碰撞，从而进行对薄膜的蚀刻。
[0004]为了提高集中在晶片或基板的边缘的等离子体的浓度，可以沿着晶片或基板的边缘设置环构件。等离子体通过环构件集中到晶片或基板的边缘，从而不仅可以对晶片或基板的中央部分，而且还可以对边缘进行高质量的蚀刻。

技术实现思路

[0005]解决的技术问题
[0006]本专利技术要解决的问题是提供聚焦环和具有上述聚焦环的基板处理装置。
[0007]本专利技术的问题不限于在上文中提及的问题，并且本领域的技术人员将通过下面的记载可以清楚地理解未提及的问题或其他问题。
[0008]解决方法
[0009]为解决上述问题的本专利技术的基板处理装置的一个方面包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：工艺腔室提供用于基板的工艺处理空间；卡盘支承基板；聚焦环布置为围绕卡盘的边缘，其中，聚焦环包括具有不同性质的多个层，并且多个层之间的接合表面形成为预先设定的规定图案。
[0010]多个层包括保护层和静电力产生层，其中：保护层作为多个层中的最上侧层，并且由耐蚀刻性的材质构成；静电力产生层布置在保护层的下侧，并且由产生静电力的材质构成。
[0011]保护层由碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)或氮化铝(AlN)材料制成。
[0012]静电力产生层由硅(Si)材料制成。
[0013]静电力产生层由介电常数高于保护层的介电常数的材质构成。
[0014]静电力产生层是单层，或者包括具有不同的介电常数的多个层。
[0015]多个层之间的接合表面具有相对于地面倾斜的形状。
[0016]接合表面具有相对于地面倾斜的形状，使得多个层中的一个层的厚度随着远离基板而变小，并且多个层中的另一个层的厚度随着远离基板而变大。
[0017]接合表面为平面或曲面。
[0018]为解决上述问题的本专利技术的聚焦环的一个方面包括保护层和静电力产生层，其中：保护层布置为围绕支承基板的卡盘的边缘，具有环形状，并且由耐蚀刻性的材质构成；静电力产生层布置在保护层的下侧，具有环形状，并且由产生静电力的材质构成，其中，保护层与静电力产生层之间的接合表面形成为预先设定的规定图案。
[0019]保护层由碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)或氮化铝(AlN)材料制成。
[0020]静电力产生层由硅(Si)材料制成。
[0021]静电力产生层由介电常数高于保护层的介电常数的材质构成。
[0022]静电力产生层是单层，或者包括具有不同的介电常数的多个层。
[0023]接合表面具有相对于地面倾斜的形状。
[0024]接合表面具有相对于地面倾斜的形状，使得保护层和静电力产生层中的一个层的厚度随着远离基板而变小，并且保护层和静电力产生层中的另一个的厚度随着远离基板而变大。
[0025]接合表面为平面或曲面。
[0026]为解决上述问题的本专利技术的基板处理装置的另一方面包括工艺腔室、卡盘和聚焦环，其中：工艺腔室提供用于基板的工艺处理空间；卡盘支承基板；聚焦环布置为围绕卡盘的边缘，其中，聚焦环包括具有不同性质的多个层，并且多个层之间的接合表面具有相对于地面倾斜的形状，使得接合表面被确定为减小随着聚焦环被蚀刻而改变的电场的变化。
[0027]接合表面具有相对于地面倾斜的形状，使得多个层中的一个层的厚度随着远离基板而变小，并且多个层中的另一个层的厚度随着远离基板而变大。
[0028]接合表面为平面或曲面。
[0029]其他实施方式的具体细节包含在详细的描述和附图中。
附图说明
[0030]图1是示出根据本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的图。
[0031]图2是示出图1所示的聚焦环的图。
[0032]图3是示出图2所示的聚焦环的截面的图。
[0033]图4至图7是示出根据本专利技术的另一实施方式的聚焦环的截面的图。
具体实施方式
[0034]在下文中，将参考附图详细描述本专利技术的优选实施方式。参考结合附图在下文详细叙述的实施方式，本专利技术的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得明确。然而，本专利技术并不受限于在下文中公布的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现，并且本实施方式仅是为了使本专利技术的公开内容完整并向本专利技术所属
的普通技术人员完整告知专利技术的范围而提供的，并且本专利技术仅由权利要求的范围限定。在整个说明书中，相同的参考标号指代相同的构成要素。
[0035]元件或层被称为在另一元件或层的“上方”或“上”时，其不仅包括在另一元件或另一层的正上方，还包括中间介入有另一层或另一元件的情况。相反，元件被称为“直接在上方”或“在正上方”时，其表示中间不存介入的另一元件或层。
[0036]可以使用“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语以便于描述如
图中所示的一个元件或构成要素与其他元件或构成要素的相互关系。空间相对术语应当理解为除了图中所示的方向之外还包括元件在使用时或操作时的不同方向的术语。例如，在图中所示的元件翻转的情况下，被描述为在另一元件的“下方”或“下面”的元件可以定位成在另一元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下方和上方两种方向。元件也可以定向为另外的方向，且因此空间相对术语可以依据定向进行解释。
[0037]虽然使用了第一、第二等来叙述各种元件、构成要素和/或部分，但显然这些元件、构成要素和/或部分不受这些术语的限制。这些术语仅是用于将一个元件、构成要素或部分与其他元件、构成要素或部分区分开。因此，在本专利技术的技术思想内，下文中提到的第一元件、第一构成要素或第一部分显然也可以是第二元件、第二构成要素或第二部分。
[0038]本说明书中使用的术语是用于描述实施方式的，而不是旨在限制本专利技术。在本说明书中，除非句子中特别说明，否则单数形式还包括复数形式。说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表示包括所提到的构成要素、步骤、操作和/或元件，而不排除一个以上的其他构成要素、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
[0039]除非另有定义，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被用作本专利技术所属
的普通技术人员通常可以理解的含义。此外，除非明确特别地进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基板处理装置，包括：工艺腔室，提供用于基板的工艺处理空间；卡盘，支承所述基板；以及聚焦环，布置为围绕所述卡盘的边缘，其中，所述聚焦环包括具有不同性质的多个层，以及所述多个层之间的接合表面形成为预先设定的图案。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个层包括：保护层，作为所述多个层中的最上侧层，并且由耐蚀刻性的材质构成；以及静电力产生层，布置在所述保护层的下侧，并且由产生静电力的材质构成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述保护层由碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氧化钇(Y2O3)或氮化铝(AlN)材料制成。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层由硅(Si)材料制成。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层由介电常数高于所述保护层的介电常数的材质构成。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层是单层，或者包括具有不同的介电常数的多个层。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个层之间的接合表面具有相对于地面倾斜的形状。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述接合表面具有相对于所述地面倾斜的形状，使得所述多个层中的一个层的厚度随着远离所述基板而变小，并且所述多个层中的另一个层的厚度随着远离所述基板而变大。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述接合表面为平面或曲面。10.聚焦环，包括：保护层，布置为围绕支承基板的卡盘的边缘，具有环形状，并且由耐蚀刻性的材质构成；以及静电力产生层，布置在所述保护层的下侧，具有环形状，并且由产生静电力的材质构成，其中，所述保护层与所述静电力产生层之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东穆，李相起，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：