透明复合式PI膜、含该PI膜的透明复合式PI基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种透明复合式PI膜、含该PI膜的透明复合式PI基板及其制备方法，包括第一铜箔层、抗UV透明聚酰亚胺层、抗UV透明接着剂层和第二铜箔层；所述透明复合式PI膜的光的穿透率>88％且雾度<1％，通过紫外可见光亮度计测得的L*a*b表色系统的L值为92-99，a值为-2.0-2.0且b值为-2.0-2.0，表面硬度>4H，CTE<30ppm；所述抗UV透明聚酰亚胺层的玻璃化转变温度>320℃；所述透明复合式PI膜的厚度为8-70μm。本发明专利技术该基板具有极高的穿透率、极低的雾度、耐QUV照射、高Tg、高挠曲、低反弹力、耐电压和低CTE的基板。和低CTE的基板。和低CTE的基板。

【技术实现步骤摘要】
透明复合式PI膜、含该PI膜的透明复合式PI基板及其制备方法


[0001]本专利技术属于FPC(柔性线路板)及其制备
，特别是涉及双面铜箔基板，主要应用于光学仪器、照明仪器、触摸屏、太阳能电池板、柔性手机、AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)、大屏TV、车载显示器等透明基板。

技术介绍

[0002]与传统的显示技术相比，有机发光二极管(OLED)显示技术具有超轻、超薄、广视角、高清晰、耐低温、抗震性能好等一系列优点。因此，有机发光显示技术在近20年时间内取得了长足的进步，各种高性能、长寿命的有机发光材料和器件不断问世。随着有机发光显示技术的进一步发展，信息量更加丰富的有源驱动OLED显示器、柔软的OLED显示屏以及可用于照明的OLED光源将在不久的未来给我们创造更加丰富多彩的世界，OLED具有十分广阔的应用前景。在显示领域，OLED不仅可以用于手机、MP3/MP4、数码相机、GPS、PDA、5G通信终端、壁挂电视、台式和笔记本电脑、家电、工业仪表等民用产品领域。OLED更是一种理想的显示器，有着更加广泛的应用前景。与此同时，OLED是目前所有显示技术中，唯一可制作大尺寸、高亮度、高分辨率软屏的显示技术，器件的厚度只有两层塑料片厚。届时，幕布式电视、可卷曲携带的电子报纸等“梦幻般的显示器”将逐渐成为现实。在照明领域，OLED不仅可以用作室内外通用照明、背光源、装饰照明等领域，甚至可以制备富有艺术性的柔性发光墙纸、可单色或彩色发光的窗户、可穿戴的发光警示牌等产品。
[0003]为此有针对柔性电路板基材中的透明设计现在市场上主要有两种方案，一种是使用透明PI膜搭配耐黄变的透明接着剂的有胶透明PI基板，一种是使用高透明的PET/PEN膜搭配耐黄变的透明接着剂的高透明基板，但是皆存在一些缺点。
[0004]目前市场上透明PI薄膜存在以下缺点：
[0005]1、传统PI膜的制备方法为流延法或吹膜法，再进行单轴或双轴延伸，对设备要求高且要经过高温500-800℃脱水闭环处理，工艺复杂、成本极为高昂；
[0006]2、难以制作超薄5-15um的膜，穿透率、雾度等光学特性受影响；
[0007]3、或无抗UV吸收剂，在长时间紫外光照射下会出现黄化、变脆。
[0008]目前市场上透明PET/PEN薄膜存在以下缺点：
[0009]1、透明PET/PEN薄膜搭配透明胶水制作成透明产品，但由于PET/PEN熔点在225～260℃耐热性较差，无法耐高温(288℃)的FPC制程如SMT回流焊，应用上要用于柔性基板存忧；
[0010]2、难以制作超薄5-15um的膜，穿透率、雾度等光学特性受影响，其厚度多在25um以上；
[0011]3、PET/PEN材料因分子结构原因整体CTE偏大，对于下游线路设计特别是细线路设计有影响；
[0012]4、或无抗UV吸收剂，在长时间紫外光照射下会出现黄化、变脆。
[0013]举凡于台湾专利号第I560056B、中国专利号第104109489B号公布了一种使用PET、PEN、PBT搭配透明性树脂以及硬涂层的覆盖膜，台湾专利号第201629725A号公布了一种使用PET、PEN、PEI树脂穿透率大于90％的触控面板用导电性基板。

技术实现思路

[0014]本专利技术主要解决的技术问题是提供一种透明复合式PI膜、含该PI膜的透明复合式PI基板及其制备方法，该基板为具有极高的穿透率、极低的雾度、耐QUV照射、高Tg、高挠曲、低反弹力、耐电压和低CTE的基板，而且厚度设计更具弹性，去掉铜箔层部分的透明复合式PI膜厚度可低至8μm。相比先前技术的有胶透明PI膜基板成本更低且能制作超薄基板对于透光度有利；相比先前技术的高透明PET/PEN膜基板耐热性高、CTE小，能够配合FPC高温制程、制作细线路设计且能制作超薄基板对于透光度有利。
[0015]为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：一种透明复合式PI膜，包括抗UV透明聚酰亚胺层和抗UV透明接着剂层；
[0016]所述透明复合式PI膜的光的穿透率>88％且雾度<1％，通过紫外可见光亮度计测得的L*a*b表色系统的L值为92-99，a值为-2.0-2.0且b值为-2.0-2.0，表面硬度>4H，CTE<30ppm；
[0017]所述抗UV透明聚酰亚胺层的玻璃化转变温度>320℃；
[0018]所述透明复合式PI膜的厚度为8-70μm；其中，所述抗UV透明聚酰亚胺层的厚度为3-20μm；所述抗UV透明接着剂层的厚度为5-50μm。
[0019]所述抗UV透明聚酰亚胺层为含有抗UV吸收剂的透明聚酰亚胺清漆层。
[0020]所述抗UV透明接着剂层为亚克力胶层或聚酯胶层。
[0021]所述抗UV透明接着剂层为聚酯胶层，所述聚酯胶层包括有机物组分B、低温固化剂和抗UV吸收剂。
[0022]所述聚酯胶层各组分的重量百分含量为：所述有机物组分B为90-95％、所述透明阻燃剂为3-5％、所述低温固化剂为0.09-3％和所述抗UV吸收剂为0.01-2％。
[0023]所述有机物组分B为丙烯酸甲酯、乙酯、聚苯基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯中的至少一种。
[0024]所述抗UV吸收剂为二苯基酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、[2-羟基-4-(辛氧基)苯基]苯基酮、2-羟基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基苯甲酮、二苯酮-12、苯甲酮-12、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基苯并苯酮、紫外线吸收剂BP-12、二苯甲酮-12、紫外吸收剂531和紫外线吸收剂UV-531中的至少一种。
[0025]一种含有所述的透明复合式PI膜的透明复合式PI基板，包括第一铜箔层和第二铜箔层，所述抗UV透明聚酰亚胺层位于所述第一铜箔层和所述抗UV透明接着剂层之间，所述抗UV透明接着剂层位于所述抗UV透明聚酰亚胺层和所述第二铜箔层之间；所述第一铜箔层的粗糙度和所述第二铜箔层的粗糙度皆<2.0。
[0026]所述第一铜箔层和所述第二铜箔层皆为压延铜箔层或是电解铜箔层。
[0027]一种所述的透明复合式PI基板的制备方法，包括以下步骤：
[0028]S1、将抗UV透明聚酰亚胺层的原料按配比混合，也将抗UV透明接着剂层的原料按配比混合，备用；
[0029]S2、将步骤S1中制得的抗UV透明聚酰亚胺层的前体物涂布在第一铜箔层，并在100-150℃下低温固化3-10min，形成透明复合型PI半成品。
[0030]在透明复合型PI半成品的抗UV透明聚酰亚胺层的表面涂布抗UV透明接着剂层并压合第二铜箔层，烘烤，收卷完成则形成透明复合型PI基板；
[0031]其中，烘烤过程的参数为：温度为60-90℃，风机转速为750-800rpm；压合时的压力为0.8-1.5kgf/cm2；
[0032]S3、熟化：对步骤S2制得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明复合式PI膜，其特征在于：包括抗UV透明聚酰亚胺层和抗UV透明接着剂层；所述透明复合式PI膜的光的穿透率>88％且雾度<1％，通过紫外可见光亮度计测得的L*a*b表色系统的L值为92-99，a值为-2.0-2.0且b值为-2.0-2.0，表面硬度>4H，CTE<30ppm；所述抗UV透明聚酰亚胺层的玻璃化转变温度>320℃；所述透明复合式PI膜的厚度为8-70μm；其中，所述抗UV透明聚酰亚胺层的厚度为3-20μm；所述抗UV透明接着剂层的厚度为5-50μm。2.根据权利要求1所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述抗UV透明聚酰亚胺层为含有抗UV吸收剂的透明聚酰亚胺清漆层。3.根据权利要求1所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述抗UV透明接着剂层为亚克力胶层或聚酯胶层。4.根据权利要求3所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述抗UV透明接着剂层为聚酯胶层，所述聚酯胶层包括有机物组分B、透明阻燃剂、低温固化剂和抗UV吸收剂。5.根据权利要求4所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述聚酯胶层各组分的重量百分含量为：所述有机物组分B为90-95％、所述透明阻燃剂为3-5％、所述低温固化剂为0.09-3％和所述抗UV吸收剂为0.01-2％。6.根据权利要求4或5所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述有机物组分B为丙烯酸甲酯、乙酯、聚苯基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯中的至少一种。7.根据权利要求2或4所述的透明复合式PI膜，其特征在于：所述抗UV吸收剂为二苯基酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、[2-羟基-4-(辛氧基)苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：李韦志，林志铭，李建辉，
申请(专利权)人：雅森电子材料科技东台有限公司，
类型：发明
国别省市：