显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:2716311 阅读:137 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种显示装置及其制造方法,其中,该显示装置具有:形成在与玻璃基板(1)上的反射区域(60a)相对应的区域,且具有作为反射膜的功能的源极(7);形成于源极(7)上方的平坦化膜(9);以及形成于平坦化膜(9)上方的透明电极(10)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置,尤其是涉及具有反射区域的显示装置。
技术介绍
现在,在半透过型液晶显示装置方面已提案出一种由在与反射区域相对应的区域中设置凸状绝缘膜,以使入射至透过区域的光通过液晶层的距离(光程长度)与入射至反射区域的光通过液晶层的距离(光程长度)相等的构造(参照例如专利文献1)。图11表示现有的具有凸状绝缘膜(平坦化膜)的半透过型液晶显示装置(显示装置)的构造俯视图。图12为图11所示的现有的半透过型液晶显示装置中(显示装置)沿着150-150线的剖视图。在现有的半透过型液晶显示装置中,于1个像素(pixel)内具有2个区域即反射区域160a与透过区域160b。而且,于反射区域160a中形成有反射电极110,在透过区域160b中,与反射区域160a不同并不形成反射电极110。由此,在反射区域160a中由反射电极110而使图12的箭头A方向的光反射以此显示图像。另一方面,在透过区域160b中,则通过使图12的箭头B方向的光通过以此显示图像。以下详加说明现有半透过型液晶显示装置的构造。在与上面含有缓冲层(buffer)101a的玻璃基板101上的反射区域160a相对应的区域中形成有主动层(active layer)102。于该主动层102中相隔设定间隔地形成有源极区域102b及漏极区域102c以便包夹沟道区域(channel region)102a。而且,在主动层102的沟道区域102a上通过栅极绝缘膜103而形成有栅极104。接着,由源极区域102b、漏极区域102c、栅极绝缘膜103及栅极104而构成薄膜晶体管(TFTThin Film Transistor)。此外,在与反射区域160a相对应的栅极绝缘膜103上的设定区域中形成有辅助电容电极105。然后由主动层102的辅助电容区域102d、栅极绝缘膜103与辅助电容电极105而构成辅助电容。如图11所示,栅极104及栅极线104a相连接,同时,辅助电容电极105与辅助电容线105a相连接。接着,如图12所示,以包覆薄膜晶体管及辅助电容的方式形成具有接触孔106a及106b的层间绝缘膜106。通过层间绝缘膜106的接触孔106a而以与源极区域102b以电连接的方式形成有源极107。而且,通过层间绝缘膜106的接触孔106b而以与漏极区域102c以电连接的方式形成有漏极108。而且,如图11所示,漏极108与漏极线108a相连接。而在层间绝缘膜106上形成有具有通孔(via hole)109a及开口部109b的由丙烯酸酯树脂(acrylic resin)所构成的平坦化膜109。该平坦化膜109形成剖面为凸状。此外,平坦化膜109的通孔109a及开口部109b的侧面以设定角度倾斜。而且,如图12所示,在与平坦化膜109上的反射区域160a相对应的区域中形成有反射电极110,该反射电极110通过通孔109a而与源极107电连接,同时沿着平坦化膜109的上面及平坦化膜109的开口部109b的侧面延伸。此外,在与反射电极110的透过区域160b相对应的区域中形成有开口部110a。在反射电极110上以及既未形成有平坦化膜109也未形成有反射电极110且位于开口部110a的层间绝缘膜106上形成有透明电极111。由该透明电极111与反射电极110而构成像素电极。而且,在与玻璃基板101相对向的位置上设有玻璃基板(对向基板)112。在玻璃基板112上形成有可呈现红(R)、绿(G)及蓝(B)等各色的滤色片(color filter)113。而且,在与玻璃基板112的像素间相对应的区域中形成有所构成防止像素间的光的泄漏的黑色矩阵薄膜(Black Matrix Film)114。然后,在滤色片113及黑色矩阵薄膜114上面形成有透明电极115。而且,在透明电极111及115的上面分别形成有定向膜(orientation film)(未图示)。然后,在玻璃基板101侧的定向膜与玻璃基板112侧的定向膜之间充填液晶层116。图13至图15所构成说明现有的半透过型液晶显示装置(显示装置)的制造过程的断面图。首先,如图13所示,在与上面含有缓冲层101a的玻璃基板1上的设定区域中相隔设定间隔地形成主动层102包夹沟道区域102a。接着,以包覆主动层102的方式形成栅极绝缘膜103。其后,对形成于全面的钼(Mo)层进行图案化(patterning),由此形成含有栅极104的栅极线104a(参照图13)与含有辅助电容电极105的辅助电容线105a。其后,以栅极104为光罩(mask)而将杂质离子植入主动层102,由此以包夹沟道区域102a的方式来形成一对源极/漏极区域102b及102c。接着,以包覆基板全面的方式而形成层间绝缘膜106。其后,在与层间绝缘膜106的源极区域102b及漏极区域102c相对应的区域分别形成接触孔106a及106b。接着,以嵌入接触孔106a及106b内并沿着层间绝缘膜106延伸的方式形成金属层(未图示)。然后,对该金属层进行图案化,由此形成源极107与漏极108。此时,也同时形成与漏极108同一层所构成的漏极线108a(参照图11)。其中,源极107通过接触孔106a而与源极区域102b电连接地形成,而漏极108通过接触孔106b而与漏极区域102c电连接形成。接着,在以包覆基板全面的方式形成由丙烯酸酯树脂(acrylicresin)构成的平坦化膜109之后,在平坦化膜109的设定部分形成通孔109a及开口部109b。接着,在以包覆全面的方式形成铝钕(AlNd)膜(未图示)之后,去除AlNd膜的设定区域。由此方式,如图14所示,以通过通孔109a而与源极107以电连接并沿着平坦化膜109的上面及平坦化膜109的开口部109b的侧面延伸的方式,形成由AlNd膜所构成的反射电极110。此外,该反射电极110形成为在对应于透过区域160b的区域中具有开口部110a。由此方式构成形成有反射电极110的反射区域160a以及未形成有平坦化膜109的开口部109b的反射电极110的透过区域160b。接着,如图15所示,在反射电极110上以及位于开口部110a的层间绝缘膜106上形成透明电极111。其后,于含有透明电极111的全面上形成定向膜(未图示。最后,如图12所示,在设置成与玻璃基板101相对向的玻璃基板(对向基板)112上形成滤色片113,同时,在与玻璃基板112上的像素间相对应的区域形成黑色矩阵薄膜114。接着,在滤色片113及黑色矩阵薄膜114的上面依序形成透明电极115及定向膜(未图示)。然后,通过在玻璃基板101侧的定向膜与玻璃基板112侧的定向膜之间充填液晶层116而形成现有的半透过型液晶显示装置。专利文献1特开2002-98951号公报然而,于上述现有的半透过型液晶显示装置中,由于需要将反射区域160a中所构成反射光的反射电极110另外与其它层分开设置,因此,需要分别将所构成构成反射电极110的层的堆积工序及对该层进行图案化的工序分别进行。其结果造成形成工序复杂化的问题。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一种显示装置,本专利技术第一方面的显示装置为一种具有反射区域的显示装置,具有形成在与基板上的反射区域相对应的区域中且有作为反射膜本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具有反射区域的显示装置,其特征在于,具有:形成在与基板上的前述反射区域相对应的区域中,且具有作为反射膜的功能的反射材料层;形成于前述反射材料层上的绝缘膜;以及形成于前述绝缘膜上的透明电极,前述反射材料层由 与具有不同于作为前述反射膜的功能的设定功能的层相同的层所形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:小田信彦山田努奥山正博
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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