一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置制造方法及图纸

技术编号:27142414 阅读:38 留言:0更新日期:2021-01-27 21:24
本发明专利技术公开了一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置,包括浸没机构、用于放置芯片硅圆移动的移动机构、放料机构、机架,所述浸没机构设置在所述机架顶部,所述移动机构设置在所述机架前侧,所述放料机构位于所述移动机构顶部,还包括回收机构、脱水机构、皮碗和真空发生器,所述回收机构包括回收风机、回收罩、旋风集尘器、导流管。本发明专利技术利用真空发生器在皮碗内产生吸力来对晶圆进行固定,同时利用脱水电机带动脱水杆进行高速的转动,从而来将晶圆上的反应液进行甩干,利用脱水气缸、脱水架和脱水罩来对甩干时的晶圆进行套住,从而通过回收机构来将晶圆转动时甩出的水和反应液进行收集。收集。收集。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置


[0001]本专利技术涉及芯片制造领域,特别是涉及一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置。

技术介绍

[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类;通常所指蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果;传统的蚀刻装置在对硅圆片进行蚀刻结束后,需要对硅圆片上的反应液进行快速的清除,从而来防止芯片蚀刻过度,而传统的蚀刻一般都是将硅圆片浸没在清洗液中,从而去除硅圆片上的反应液进行清除,这种清洗方式在长时间清洗时,清洗液中会混合有相应适量的反应液,继而会造成清洗时的硅圆片继续造成蚀刻,同时也会造成反应液的浪费和硅圆片的蚀刻过度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置。
[0004]本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]一种用于芯片制造的防止过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置,其特征在于:包括浸没机构、用于放置芯片硅圆移动的移动机构、放料机构、机架,还包括回收机构、脱水机构、皮碗和真空发生器,所述浸没机构设置在所述机架顶部,所述移动机构设置在所述机架前侧,所述放料机构位于所述移动机构顶部,所述回收机构包括回收风机、回收罩、旋风集尘器、导流管,所述回收罩前端安装在所述回收风机一侧,所述回收罩后端安装在所述旋风集尘器上端的侧面,所述导流管上端安装在所述旋风集尘器下端,所述导流管下端安装在所述机架后侧;所述脱水机构包括脱水气缸、脱水架、弯管、脱水罩、底座、脱水电机、脱水杆,所述弯管上端安装在所述回收风机另一侧,所述弯管下端安装在所述脱水架顶部的中间位置,所述脱水气缸固定部安装在所述机架顶部且位于两个所述浸没机构之间,所述脱水气缸伸缩部安装在所述脱水架顶部前后两端,所述脱水罩顶部安装在所述脱水架底部,所述底座安装在所述机架中间位置,所述脱水电机安装在所述底座底部,所述脱水杆下端安装在所述底座中心位置;所述皮碗设置在所述脱水杆顶部,所述真空发生器设置在所述皮碗下端且位于所述脱水杆内侧。2.根据权利要求1所述的一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置,其特征在于:所述浸没机构包括浸没气缸、浸没架、支撑座,所述浸没气缸固定部通过螺栓连接在所述机架顶部,所述浸没架顶部安装在所述浸没气缸伸缩部,所述支撑座安装在所述浸没架内侧。3.根据权利要求1所述的一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置,其特征在于:所述移动机构包括滑块、滑轨、移动电机、移动丝杠,所述滑轨通过螺栓连接在所述机架前侧,所述滑块设置在所述滑轨顶部,所述移动电机通过螺栓连接在所述机架侧面,所述移动丝杠两端通过轴承连接在所述机架前侧。4.根据权利要求1所述的一种用于芯片制造的防止过度蚀刻的蚀刻装置,其特征在于:所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚刚陈永宁
申请(专利权)人:郑州竹蜻蜓电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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