一种NOx气体传感器制造技术

技术编号:27142181 阅读:27 留言:0更新日期:2021-01-27 21:22
本发明专利技术公开了属于气体传感器领域的一种NOx气体传感器;其中自下而上依次包括:硅基底层、支撑层、加热电极、绝缘层、测试电极层;其中硅基底层上方的测试端一侧开有隔热腔;支撑层完全覆盖硅基底层;加热电极设置于支撑层和绝缘层之间,绝缘层用于隔离加热电极和测试电极层;所述测试电极层包括:平行排列的第二电极、第一电极和第三电极,其中第一电极、第二电极和第三电极均由电极端延伸至测试端。本发明专利技术中第一电极选用对NOx敏感材料制作,第二、第三电极采用贵金属制作,并构成三电极体系。测试时,第三电极作为参比电极,可调控第二电极极化电压;通入NOx气体后,可通过记录第一、第二电极间电流变化确定NOx含量。间电流变化确定NOx含量。间电流变化确定NOx含量。

【技术实现步骤摘要】
一种NOx气体传感器


[0001]本专利技术属于气体传感器
,具体为一种NOx气体传感器。

技术介绍

[0002]目前广泛应用的NOx气体传感器,包括半导体式和固态电解质式两类。其中,半导体式NOx气体传感器精确性差,难以满足日益严苛的使用环境;固态电解质式NOx气体传感器,则需要将NOx完全分解为O2进行测试,传感器结构复杂,电极数量较多,操作缺乏便宜性。因此,调整传感器结构,改变传感器运行模式,是NOx气体传感器的主要技术难点。
[0003]考虑到电化学类气体传感器在检测精度方面的优势,开展相关结构设计,实现传感器检测定量化分析具有一定意义。此外,随着MEMS技术的研究与发展,增加了平面结构器件制作的可操作性,因此,制备以硅基为衬底的传感器在降低成本、增加集成性等方面具有一定优势。
[0004]针对这一问题,我们提出了一种选用选用对NOx敏感材料制作而成的气体传感器,结构简便,易于操作。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中存在的问题,本专利技术提供了一种NOx气体传感器,其特征在于,自下而上依次包括:硅基底层、支撑层、加热电极、绝缘层、测试电极层;其中硅基底层上方的测试端一侧开有隔热腔;支撑层完全覆盖硅基底层;加热电极设置于支撑层和绝缘层之间,绝缘层用于隔离加热电极和测试电极层;
[0006]所述测试电极层包括:平行排列的第二电极、第一电极和第三电极,其中第一电极、第二电极和第三电极均由电极端延伸至测试端。
[0007]所述隔热腔为截面呈V形或弧形的凹槽
[0008]所述支撑层由支撑层绝缘区、中部以及支撑层支撑区组成,在测试端的支撑层绝缘区位于隔热腔的正上方。
[0009]所述加热电极包括:加热电极加热区、供电引线和供电电极,设置于测试端的加热电极加热区呈折线形,位于支撑层的支撑层绝缘区正上方。
[0010]所述支撑层为SiO2/Si3N4复合膜。
[0011]所述支撑层绝缘区为矩形。
[0012]所述加热电极的成分为Pt。
[0013]所述绝缘层为SiO2/Si3N4复合膜。
[0014]所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极的长度相同;所述第一电极到所述第二电极以及到第三电极的距离相等。
[0015]所述第一电极的材料成分为WO
3 60-80%、Pt 20-40%;第二电极和第三电极成分为Pt。
[0016]本专利技术的有益效果在于:
[0017]1.本专利技术的气体传感器基于MEMS工艺,与传统片式传感器相比,具有体积小、功耗低、成本低、易集成的优点。
[0018]2.本专利技术采用正面体硅腐蚀制备的空腔,可降低传感器热耗,增加传感器热量利用,且加工工艺稳定易控。
[0019]3.本专利技术中第一电极选用对NOx敏感材料制作,第二、第三电极采用贵金属制作,并构成三电极体系。测试过程中,第三电极作为参比电极,可调控第二电极极化电压。通入NOx气体后,可通过记录第一、第二电极间电流变化确定NOx含量,从而实现NOx检测的目的。本专利技术结构简便,易于操作。
附图说明
[0020]图1为本专利技术一种NOx气体传感器实施例的结构示意图;
[0021]图2为本专利技术实施例中支撑层的俯视图;
[0022]图3为本专利技术实施例中加热电极和支撑层的俯视图;
[0023]图4为本专利技术实施例中绝缘层的俯视图;
[0024]图5为本专利技术实施例中绝缘层和测试电极层的俯视图。
[0025]其中:
[0026]1-硅基底层,2-支撑层,3-加热电极,4-绝缘层,5-测试电极层,11-基底层空腔,21-支撑层绝缘区,22-支撑层支撑区,31-加热电极加热区,32-供电引线,33-供电电极,41-绝缘层通孔,51-第一电极,52-第二电极,53-第三电极。
具体实施方式
[0027]以下结合附图对本专利技术作进一步的详细说明。
[0028]如图1~图5所示的本专利技术实施例,结构自下而上依次包括:硅基底层1、支撑层2、加热电极3、绝缘层4、测试电极层5;其中硅基底层1为长条状矩形体,硅基底层1上方的测试端一侧开有隔热腔11;支撑层2完全覆盖硅基底层1;加热电极3设置于支撑层2和绝缘层4之间,绝缘层4用于隔离加热电极3和测试电极层5;
[0029]设置于绝缘层4上方的测试电极层5包括:平行排列的第二电极52、第一电极51和第三电极53,其中第一电极51、第二电极52和第三电极53均由电极端延伸至测试端;且第一电极51、第二电极52和第三电极53的长度基本相同,第一电极51与第二电极52的间距以及与第三电极53的间距基本相等。
[0030]在本实施例中,支撑层2由支撑层绝缘区21、中部以及支撑层支撑区22组成,在测试端的支撑层绝缘区21位于隔热腔11的正上方,支撑层绝缘区21俯视呈矩形;
[0031]在本实施例中,支撑层为SiO2/Si3N4复合膜;
[0032]在本实施例中,测试电极层5沉积于绝缘层4上;
[0033]在本实施例中,第一电极51材料成分为WO3 60-80%、Pt 20-40%,第二电极52和第三电极53成分均为Pt 100%,
[0034]在本实施例中,第一电极51、第二电极52和第三电极53非电极端部分(测试端和中部)的宽度小于电极端的宽度。
[0035]在本实施例中,绝缘层为SiO2/Si3N4复合膜;
[0036]如图1所示的隔热腔11为截面呈V形或弧形的凹槽;在本实施例中,隔热腔11通过正面体硅腐蚀制备实现。
[0037]如图3所示的加热电极3包括:加热电极加热区31、供电引线32和供电电极33,设置于测试端的加热电极加热区31呈折线形,位于支撑层绝缘区21正上方;加热电极加热区31通过供电引线32和供电电极33与外部电源相连,通过加热电极3加热后,测试区温度可达到200-700℃;加热电极3分布于支撑层2的上方,支撑层2除支撑作用外还起到绝缘作用,用于隔离硅基底层1和加热电极3,同时进一步稳定保证了下方空腔热量的稳定和利用;
[0038]在本实施例中,加热电极3的成分为Pt。
[0039]如图4和图5所示的绝缘层4,绝缘层4的电极端开有两个与供电电极33形状和位置相匹配的通孔41,用于引出加热层的供电电极33;绝缘层4用于在测试端隔离下方的加热电极3和上方的测试电极层5。
[0040]本专利技术的测试过程及原理:
[0041]步骤1、通过加热电极2对测试区域加热至200-500℃,使第一电极51、第二电极52和第三电极53所在的测试区域升温。
[0042]步骤2、对居中的第一电极51通电,第一电极51与第二电极52测试回路以及第二电极52、第三电极53测试回路之间同时产生5-15V电压,记录第一电极51、第三电极53测试回路与第二电极52、第三电极53测试回路的电流变化;其中第一电极51与第二电极52测试回路用于测量因检测气体本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NOx气体传感器,其特征在于,自下而上依次包括:硅基底层(1)、支撑层(2)、加热电极(3)、绝缘层(4)、测试电极层(5);其中硅基底层(1)上方的测试端一侧开有隔热腔(11);支撑层(2)完全覆盖硅基底层(1);加热电极(3)设置于支撑层(2)和绝缘层(4)之间,绝缘层(4)用于隔离加热电极(3)和测试电极层(5);所述测试电极层(5)包括:平行排列的第二电极(52)、第一电极(51)和第三电极(53),其中第一电极(51)、第二电极(52)和第三电极(53)均由电极端延伸至测试端。2.根据权利要求1所述的一种NOx气体传感器,其特征在于,所述隔热腔(11)为截面呈V形或弧形的凹槽。3.根据权利要求1所述的一种NOx气体传感器,其特征在于,所述支撑层(2)由支撑层绝缘区(21)、中部以及支撑层支撑区(22)组成,在测试端的支撑层绝缘区(21)位于隔热腔(11)的正上方。4.根据权利要求1或3之一所述的一种NOx气体传感器,其特征在于,所述支撑层(2)为SiO2/Si3N4复合膜。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓明安杰崔建东杨志民
申请(专利权)人:有研工程技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1